专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种多芯片拼接的CMOS平板探测器及拼接方法-CN202211142887.9在审
  • 朱程举;连玄;罗杰 - 成都善思微科技有限公司
  • 2022-09-20 - 2023-04-21 - H04N25/76
  • 本发明公开了一种多芯片拼接的CMOS平板探测器及拼接方法,CMOS平板探测器芯片包括行选通电路和像素阵列。行选通电路包括D触发器、反相器、数据选择器MUX1和数据选择器MUX2。数据选择器MUX1的IN1输入端用于接收BIN信号,控制端用于接收SEL信号;反相器与偶数行的数据选择器MUX1的控制端连接。通过数据选择器MUX1和数据选择器MUX2对BIN信号和SEL信号进行处理,然后将像素阵列中的第N行与拼接缝合并读取。本申请通过增加了两个数据选择器和一个选择信号SEL,两个数据选择器通过BIN信号和SEL信号的组合使拼接缝与芯片像素合并从而消除拼接缝,解决了图像产生畸变的问题。
  • 一种芯片拼接cmos平板探测器方法
  • [发明专利]一种CMOS图像传感器的像素阵列读出结构-CN202111283729.0在审
  • 朱程举;尤六一;罗杰 - 成都善思微科技有限公司
  • 2021-11-01 - 2022-01-28 - H04N5/374
  • 本发明公开了一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,包括CMOS图像传感器像素阵列和设置在所述CMOS图像传感器像素阵列上的积分器电路阵列;还包括电荷释放电路阵列,所述电荷释放电路阵列设置在远离所述积分器电路阵列的一侧,且所述电荷释放电路阵列中的电荷释放电路分别与所述CMOS图像传感器像素阵列中的列信号线电连接。本发明的目的在于提供一种CMOS图像传感器的像素阵列读出结构,通过在CMOS图像传感器像素阵列远离积分器电路阵列的一侧加入电荷释放电路阵列,使得将坏列中像素累积的电荷清除掉,从而使其不影响相邻的列。
  • 一种cmos图像传感器像素阵列读出结构
  • [实用新型]光电二极管成像阵列的读出电路-CN202120023765.2有效
  • 朱程举;何海龙;赵必成 - 成都善思微科技有限公司
  • 2021-01-06 - 2021-07-06 - H04N5/378
  • 本实用新型公开了光电二极管成像阵列的读出电路,涉及光电成像阵列读出电路,解决了MUX buffer的设计限制导致信号链路性能受限制的问题。本实用新型包括接入光电二极管阵列输出信号的多积分器通道,在每个积分器通道中,积分器输出端依次串联采样保持电路、SUBADC,MUX开关,采样保持电路采样积分器输出,SUBADC将积分器输出粗量化产生高位数字输出信号,在MUX逻辑电路控制下,采样保持电路输出、SUBADC粗量化输出和残差放大器输入端连接,残差放大器输出接后级ADC。本实用新型降低了读出电路的功耗和噪声,电路结构更简单,减小读出电路噪声和失调。
  • 光电二极管成像阵列读出电路
  • [实用新型]一种单端输入的低温漂数据转换器和数据读出电路-CN202022643872.3有效
  • 朱程举;罗杰;何海龙 - 成都善思微科技有限公司
  • 2020-11-16 - 2021-05-14 - H03M1/08
  • 本实用新型公开了一种单端输入的低温漂数据转换器和数据读出电路,本实用新型的数据转换器的负向输入端由N个单位电容构成,用于直接接收前端放大器输出的单端电压信号;所述数据转换器的正向输入端由N个单位电容构成,用于采集参考电压VREFN和参考电压VREFP,其中,M个接参考电压VREFP,N‑M个接参考电压VREFN,M和N均为正整数且MN。相较于传统全差分结构需要全差分结构放大器插在前端电荷放大器与ADC之间,本实用新型可直接采样前端电荷放大器输出,降低了芯片面积和功耗;也避免低噪声全差分结构放大器的设计。同时引入CDS与CHOP方案可提供较只有CDS功能的ADC有更低的温漂特性。
  • 一种输入低温数据转换器读出电路
  • [发明专利]光电二极管成像阵列的读出电路和应用方法-CN202110013558.3在审
  • 朱程举;何海龙;赵必成 - 成都善思微科技有限公司
  • 2021-01-06 - 2021-04-23 - H04N5/378
  • 本发明公开了光电二极管成像阵列的读出电路和应用方法,涉及光电成像阵列读出电路,解决了MUX buffer的设计限制导致信号链路性能受限制的问题。本发明包括接入光电二极管阵列输出信号的多积分器通道,在每个积分器通道中,积分器输出端依次串联采样保持电路、SUBADC,MUX开关,采样保持电路采样积分器输出,SUBADC将积分器输出粗量化产生高位数字输出信号,在MUX逻辑电路控制下,采样保持电路输出、SUBADC粗量化输出和残差放大器输入端连接,残差放大器输出接后级ADC。本发明降低了读出电路的功耗和噪声,电路结构更简单,减小读出电路噪声和失调。
  • 光电二极管成像阵列读出电路应用方法

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