专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置和方法-CN99121640.7无效
  • 张勇;曹尔妍;李成明 - 中国科学院力学研究所
  • 1999-10-11 - 2004-01-28 - C23C14/38
  • 本发明属涉及表面多弧离子镀膜装置和方法,它包括在真空室内装有通入反应气体用的机构和安装蒸发源靶,真空系统连接在真空室,真空腔接地为阳极;直流电源的阴极与蒸发源靶相连接,阳极与真空腔连接接地;在真空室底部有一支架,支架下有加热元件并连接加热电源,还包括一个磁场电源,和在电弧蒸发源靶下方安置磁场线圈;磁场电源与磁场线圈电连接,一磁场直流电源和脉冲电源各自一端连接一开关,另一端与蒸发源靶的直流电源电连接,又与真空腔连接接地,开关一端与工件电连接。
  • 脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置方法
  • [发明专利]金属低温渗入的装置和方法-CN99121641.5无效
  • 李成明;张勇;曹尔妍;薛明伦 - 中国科学院力学研究所
  • 1999-10-11 - 2004-01-28 - C23C14/38
  • 本发明涉及在金属基体表面低温下渗入金属离子的装置,它包括气体通入和气体控制部分、真空系统与真空室相通、电弧蒸发源靶、触发引弧结构均安置在真空室内上部;真空室内下部设有一放置工件的转动机构带动的具有公转和自转的支架,直流电源的阴极与靶相连接,阳极与真空腔连接接地;其特征在于:还包括一高压直流脉冲电源,高压直流脉冲电源连接在工件阴极和真空腔之间,可调节孔径大小的挡板安置在电弧蒸发源的前端。
  • 金属低温渗入装置方法
  • [实用新型]金属低温渗入的装置-CN99248218.6无效
  • 李成明;张勇;曹尔妍;薛明伦 - 中国科学院力学研究所
  • 1999-10-11 - 2000-09-20 - C23C14/30
  • 本实用新型涉及在金属基体表面低温下渗入金属离子的装置,它包括气体通入和气体控制部分、真空系统与真空室相通、电弧蒸发源靶、触发引弧结构均安置在真空室内上部;真空室内下部设有一放置工件的转动机构带动的具有公转和自转的支架,直流电源的阴极与靶相连接,阳极与真空腔连接接地;其特征在于还包括一高压直流脉冲电源,高压直流脉冲电源连接在工件阴极和真空腔之间,可调节孔径大小的挡板安置在电弧蒸发源的前端。
  • 金属低温渗入装置

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