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[发明专利]分支线耦合器及有源天线系统-CN201980045217.5有效
发明人： 易怀仁;马正翔 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：提供了一种分支线耦合器和有源天线系统。在实施例中，分支线耦合器包括四个谐振器。该四个谐振器由主体和接地元件形成。谐振器包括电容器元件和电感器元件。该电容器元件的第一部分包括主体的至少一部分，并且该电容器元件的第二部分包括接地元件的至少一部分。电感器元件并联连接至电容器元件。电感器元件包括主体的至少一部分并延伸至接地元件。第一谐振器和第二谐振器通过第一耦合耦合，第二谐振器和第三谐振器通过第二耦合耦合，第三谐振器和第四谐振器通过第三耦合耦合，并且第四谐振器和第一谐振器通过第四耦合耦合。
支线耦合器有源天线系统

[发明专利]集成双工器和组合器-CN201780005494.4有效
发明人：马正翔;易怀仁 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01Q21/24 文献下载
摘要：公开了一种电信系统中的集成双工器和组合器，诸如交叉极化天线系统。集成双工器和组合器可以导致发射滤波器的使用数量减少。发射滤波器可以通过在两个接收信号路径之间提供隔离的传输网络与两个接收滤波器耦合，同时，向两个双工发射信号路径提供发射器功率的功率分配。传输网络包括在两个接收滤波器的输入端之间耦合的第一λ/4传输线和第二λ/4传输线。第三λ/4传输线将第一λ/4传输线和第二λ/4传输线与发射滤波器的输出端耦合。两个接收滤波器可以具有相同的通带，而发射滤波器可以具有不同的通带。
集成双工器组合

[发明专利]用于合成器电路的椭圆定向滤波器-CN201880006865.5在审
发明人： 易怀仁;马正翔 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H04L5/10 文献下载
摘要：椭圆合成器电路对第一频带中的第一信号和第二频带中的第二信号进行滤波。第一谐振器经由第一电容器耦合至第一输入端并且经由第二电容器耦合至第二输入端。第二谐振器经由第三电容器耦合至第一信号路径并且经由第四电容器耦合至第二信号路径，第一信号路径和第二信号路径耦接至第一输入端和第二输入端。第一电感器耦合在第一电容器与第三电容器之间以及在第二电容器与第四电容器之间。第三谐振器通过第五电容器、第六电容器和第七电容器耦合至第一信号路径和第二信号路径。第四谐振器通过第八电容器、第九电容器和第十电容器耦合至第一信号路径和端接端口。第二电感器耦合在第五电容器与第八电容器之间以及在第七电容器与第十电容器之间。输出端输出第一信号和第二信号。
电容器电容器耦合第二信号输入端谐振器第一电容器电感器耦合合成器电路椭圆定向滤波器路径耦接输出端耦合滤波输出

[发明专利]具有有限传输零点的陶瓷滤波器的设计方法-CN201780078658.6在审
发明人： 易怀仁;马正翔 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：一种装置，包括具有通带频率范围的带通电路，其中所述带通电路包括第一构建块电路，所述第一构建块电路包括一个陶瓷谐振器电路元件，其中所述构建块电路是单极滤波器电路，并且所述第一构建块电路的传递函数包括一个有限传输零点，并且其中所述带通电路的传递函数包括的有限传输零点的频率位于低于通带频率范围的频率或高于通带频率范围的频率之一处。
电路构建传输零点带通电路通带频率传递函数单极滤波器陶瓷滤波器陶瓷谐振器电路元件

[发明专利]分束用户特定倾斜天线的射频分配网络-CN201680075977.7在审
发明人：马正翔;李奥纳德·皮亚齐;易怀仁 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01Q3/40 文献下载
摘要：公开了分束天线的RF分束分配网络。分束天线可包括4T4R或4T8R系统中实施的四列交叉极化并特定于用户的倾斜天线。RF分配网络可从发射器向天线提供发射信号，同时从天线提供接收信号。RF分配网络可包括连接至天线的180°6.9dB组合器以及连接的90°混合器。180°6.9dB组合器可包括在4T4R系统中具有传输线的传输网络。可替代地，180°6.9dB组合器可包括4T8R系统中具有传输和接收滤波器的传输网络。传输网络通过至少三条λ/4传输线连接发射滤波器和两个滤波器。传输网络在两个接收信号路径之间提供隔离，同时向两个双工发射信号路径提供发射器功率的分解功率。
传输网络天线分束分配网络组合器传输线倾斜天线混合器滤波器发射信号路径接收信号路径射频分配网络发射滤波器发射器功率接收滤波器发射器发射信号交叉极化用户特定双工四列隔离分解传输替代

[发明专利]高临界温度超导薄膜制备方法-CN90101675.6无效
发明人：王瑞兰;李宏成;易怀仁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1990-03-28 - 公布日： 1991-12-04 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明为高临界温度(90K)超导薄膜制备方法。采用超高真空系统，单个化合物靶，高气压低电压直流磁控溅射、原位外延生长、原位低温热处理制备工艺，用于制备MBa2Cu3O7型高临界温度氧化物超导薄膜(M＝Y，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb)。零电阻临界温度高达92.7K，77K临界电流密度高达3.6MA/cm2。这种薄膜可用于制备在液氮温度下工作的超导电子器件和超导体-半导体混合电子器件。
临界温度超导薄膜制备方法