专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]增益可变型放大器-CN200310120436.6无效
  • 高木进 - 新日本无线株式会社
  • 2003-12-11 - 2004-07-21 - H03F1/08
  • 本发明是具有利用信号放大用场效应晶体管进行高频信号的放大的结构的增益可变型放大器。它具备:输入阻抗校正装置,在上述信号放大用场效应晶体管的输入侧,用于在增益可变时进行输入阻抗的校正;输出阻抗校正装置,在上述信号放大用场效应晶体管的输出侧,用于在增益可变时进行输出阻抗的校正;以及放大器旁路装置,在增益可变时把上述信号放大用场效应晶体管旁路,使高频输入信号旁通至输出侧。无论有无增益可变,输入输出端的电压驻波比(VSWR)良好,并且可以任意设定增益衰减量。另外,在增益可变时,即使强电场的高频信号输入增益可变型放大器,也能够得到良好的输入输出功率特性。
  • 增益变型放大器
  • [发明专利]脉冲磁控管-CN200310114947.7有效
  • 小畑英幸;辻直树 - 新日本无线株式会社
  • 2003-11-13 - 2004-06-02 - H01J25/50
  • 提供一种能够防止脉冲上升时和下降时在低于规定工作点的点进行工作而产生的振荡,特别是抑制比基频低的频率的寄生振荡,可得到对称性优良的频谱的磁控管。在阳极1的中心部设置了阴极2,并且设置了1组极片3,使得可以对叶片12的前端部与阴极2的表面相向的作用空间4施加磁场。以如下方式形成阳极和阴极:在该作用空间4,对在阴极2轴方向的磁通密度为最小的值,叶片高度方向的两端部的叶片12前端部的内切圆半径和阴极2表面的半径满足工作原理公式的关系,并且与两端部的关系相比,在阴极2的轴方向的中心部侧,满足(i)增大阳极半径,和(ii)减小阴极表面的半径,这2项中的至少1项。
  • 脉冲磁控管
  • [发明专利]磁控管-CN03160118.9有效
  • 小畑英幸;辻直树 - 新日本无线株式会社
  • 2003-09-26 - 2004-05-19 - H01J23/40
  • π-1模式等寄生振荡是磁控管中特别的问题,本发明提供一种能够抑制寄生振荡,即使不配置滤波器也能够抑制寄生辐射的磁控管。本发明的磁控管,在圆柱形的阳极壳体11的内周壁上设置多个叶片12形成了阳极1,叶片的前端12a朝向阳极壳体11的中心呈放射状延伸,中心部分设置阴极2。设置一组极片4用于为叶片前端12a与阴极2相对的作用空间3施加磁场。极片中至少有一个,在大于从叶片前端12a开始该叶片长度L的1/3的范围内,叶片侧端12b与极片前端的间隔B小于等于0.015λ(λ是磁控管的振荡波长)。
  • 磁控管
  • [发明专利]开关半导体集成电路-CN03107420.0无效
  • 登坂裕之 - 新日本无线株式会社
  • 2003-03-20 - 2004-04-28 - H03K17/00
  • 一种开关半导体集成电路具有控制高频信号通过的开关FET,使开关FET在通-断操作间切换。开关半导体集成电路包含使用反相器电路的逻辑控制部分,它根据外部施加的控制信号来产生开关信号,反相器电路使用结型FET,开关FET的栅极经栅极电阻器连接至反相器电路的输出端,此输出端又与耦合部分高频信号的耦合电容器相连。耦合的高频信号被结型FET的栅与漏间的等效二极管整流而叠加在施于开关FET栅极的DC电压上。
  • 开关半导体集成电路
  • [发明专利]二极管限制装置-CN98115507.3有效
  • 木佐贯郁朗;富田学 - 新日本无线株式会社
  • 1998-06-26 - 2003-05-14 - H01P1/22
  • 一种二极管限制装置,其中在一H表面的壁面上形成第一个通孔;通过柱的PIN二极管安装侧和PIN二极管的另一侧所支撑的PIN二极管;第二个通孔形成在另一壁面上;一与所述导电柱一起夹住PIN二极管的第二个导电螺丝套电绝缘地支撑到第二个通孔上;安装其上安装有一检波二极管和电阻器的配线基板,并且由第三个螺丝套支撑在第二个通孔中,从而可提高产量和降低价格。
  • 二极管限制装置
  • [发明专利]环绕声再生电路-CN02107540.9有效
  • 杉本芳酮 - 新日本无线株式会社
  • 2002-03-15 - 2002-10-30 - H04S5/00
  • 一种环绕声再生电路,包括第一加法器,用于产生被输入的L信号和R信号的差信号,连接到第一加法器输出侧的低通滤波器,以及第二和第三加法器,用于把作为环绕声信号的低通滤波器输出信号与L信号和R信号以彼此反向的相位关系混合起束。在频带20Hz到20KHz的频带内减少了相位的变化且定位能够变得确定,而且,减少了刺耳的高通成分。于是,能够实现具有自然扩展的环绕声效果。此外,还能够降低所需的电容器数目。
  • 环绕声再生电路
  • [发明专利]人工立体声电路及人工立体声装置-CN02107539.5有效
  • 杉本芳酮 - 新日本无线株式会社
  • 2002-03-15 - 2002-10-30 - H04S5/00
  • 一种人工立体声电路,该电路包括单声信号输入端,连接到信号输入端的L声道和R声道之一的信号输出端,其输入侧连接到信号输入端的相移电路,以及其输出侧连接到相移电路的L声道和R声道另一声道的信号输出端。在输入信号的全频带中该相移电路具有几乎相等的增益,且根据输入信号频率的增加进行从0到180度的变化的相移。相位的变化可降低到最小并能够实现自然的立体声效果。此外,对完全形成IC只需要一个电容器和一个外附着用的引脚即可。
  • 人工立体声电路装置
  • [发明专利]半导体集成转换电路-CN01112084.3无效
  • 高桥胜 - 新日本无线株式会社
  • 2001-03-30 - 2002-07-10 - H04Q7/32
  • 应用于双频带移动电话中的半导体集成转换电路S1包含第一到第四场效晶体管1、2、3、4,其控制着从第一到第四输入/输出端口22到25中的任一个和公用输入输出端口21之间的电连接,与第二场效晶体管2相通的第五场效晶体管5和串联谐振电路51,其具有与通过第二场效晶体管2的信号的较高频率谐波相同的谐振频率。第五场效晶体管5和串联谐振电路51串联,并被连接在公用输入输出端口21和地面之间,以使得信号的较高次谐波导入地面而对信号无传输损耗。
  • 半导体集成转换电路
  • [发明专利]交流电驱动器-CN95190202.4无效
  • 冲上富雄;落合正三 - 西铁城时计株式会社;新日本无线株式会社
  • 1995-02-23 - 2000-02-23 - G04G9/00
  • 本发明涉及EL驱动器的改进,所述的EL驱动器包括第二电压产生器,它用电池作为第一电源产生驱动EL灯用的第二电压;第三电压产生器,它产生高于第一电压低于第二电压的第三电压;和驱动信号供给器,当用第三电压驱动时它向EL驱动装置提供交流驱动信号。交流驱动信号的电平分两步增加。此EL驱动器的半导体器件的特征在于能用低压有效地驱动高压和高的阈电压。
  • 交流电驱动器

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