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[发明专利]磷光体和组合物-CN201880049379.1在审
发明人：大仓央;S·德廷格;T·辛格;铃木龙太;东和久;西原英治;石垣雅;大观光德;山梨遼太;户田健司;D·萨博;松田宪之 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C09K11/77 文献下载
摘要：本发明涉及磷光体和组合物。
磷光体组合

[发明专利]组合物-CN201880048979.6在审
发明人：大仓央;S·德汀格;铃木龙太;东和久;山梨辽太;西原英治;石垣雅;大观光德;户田健司 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： A01N59/00 文献下载
摘要：本发明涉及包含至少一种发光体的组合物。
组合

[发明专利]氟化物红色荧光体及其基质晶体的制造方法-CN201910167749.8在审
发明人： 户田健司;盐原利夫;兼子达朗;工藤嘉昭 -专利权人：国立大学法人新泻大学;信越化学工业株式会社;N-发光股份有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够在不使用氟化氢等有毒物质的情况下制造的氟化物红色荧光体及其基质晶体的制造方法。氟化物红色荧光体的基质晶体的制造方法的特征在于，包括如下工序：作为钾源和氟源准备氟化钾的工序，作为硅源准备聚硅氮烷、TEOS、SiO₂、硅酸钾中的至少一种的工序，准备弱碱性、中性或酸性的溶液的工序，将所述钾源和氟源、所述硅源以及所述溶液进行混合的工序，以及使所述混合物反应而析出K₂SiF₆的工序。并且，在准备所述溶液的工序中，使用由除HF和KHF₂以外的化合物制备的酸性、中性或弱碱性的溶液。
红色荧光体基质晶体氟化物弱碱性制造氟源硅源钾源化合物制备混合物反应析出聚硅氮烷氟化钾氟化氢硅酸钾

[发明专利]氟化物红色荧光体的制造方法-CN201910168061.1在审
发明人： 户田健司;盐原利夫;兼子达朗;工藤嘉昭 -专利权人：国立大学法人新泻大学;信越化学工业株式会社;N-发光股份有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够在不使用氟化氢的情况下制造的氟化物红色荧光体的制造方法。氟化物红色荧光体的制造方法的特征在于，包括如下工序：作为钾源和氟源准备氟化钾的工序；作为硅源准备聚硅氮烷、TEOS、SiO₂、硅酸钾中的至少一种的工序；作为锰源准备K₂MnF₆、Mn(HPO₄)₂、Mn(CH₃COO)₂·4H₂O、MnO(OH)₂、Na₂MnF₆或KMnO₄中的至少一种的工序；准备弱碱性、中性或酸性的溶液的工序；将所述钾源和氟源、所述硅源、所述锰源以及所述溶液进行混合的工序；以及使所述混合物反应而析出K₂SiF₆的工序，并且，在准备所述溶液的工序中，使用由除HF和KHF₂以外的化合物制备的酸性、中性或弱碱性的溶液。
红色荧光体氟化物弱碱性制造氟源硅源钾源锰源化合物制备混合物反应析出聚硅氮烷氟化钾氟化氢硅酸钾

[发明专利]结晶性物质的制备方法-CN201180057885.3无效
发明人： 户田健司;上松和义;佐藤峰夫;石垣雅;川上义贵;梅田铁 -专利权人：国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C01B33/20 文献下载
摘要：一种结晶性物质的制备方法，包括下述工序：在含有NH3气的气氛下烧成包含M1、M2、M3及L的原料混合物，使M12a(M2bLc)M3dOyNx所表示的结晶性物质生成。
结晶物质制备方法

[发明专利]结晶性物质，以及使用其的发光装置及白色LED-CN201180057926.9无效
发明人： 户田健司;上松和义;佐藤峰夫;石垣雅;川上义贵;梅田铁 -专利权人：国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C01B33/20 文献下载
摘要：一种结晶性物质，其由M12a(M2bLc)M3dOyNx表示，其中，M1是选自碱金属中的至少一种元素，M2是选自Ca、Sr及Ba中的至少一种元素，M3是选自Si及Ge中的至少一种元素，L是选自稀土类元素、Bi及Mn中的至少一种元素，a为0.9～1.5，b为0.8～1.2，c为0.005～0.2，d为0.8～1.2，x为0.001～1.0，y为3.0～4.0以下。
结晶物质以及使用发光装置白色 led

[发明专利]荧光体的制造方法-CN201180057940.9无效
发明人： 户田健司;上松和义;佐藤峰夫;石垣雅;川上义贵;梅田铁 -专利权人：国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅酸盐系氧氮化物荧光体的制造方法，所述制造方法包括：在使原料混合物与含有气相的Si的含Si气体接触的同时进行烧成，生成硅酸盐系氧氮化物荧光体的工序。
荧光制造方法

[发明专利]荧光体及发光装置-CN201180043068.2有效
发明人： 户田健司;石垣雅 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体，其被从蓝色光到近紫外光的波长区的激发光高效率地激发可发出绿色的荧光，相对于激发光的波长变动的发光强度的变化小，而且容易制造。本发明的荧光体具有用以下通式（A）表示的化学结构。A（M1-a-xEuaMnx）L（Si1-bGeb）2O7……（A）。A为选自Li、Na及K中的一种以上的元素，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn及Mn中的一种以上的元素，L为选自Ga、Al、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的元素，a为满足0.001≤a≤0.3的数，b为满足0≤b≤0.5的数，x为满足0≤x≤0.2的数。
荧光发光装置

[发明专利]荧光体、发光装置及白色发光二极管-CN201110030369.3无效
发明人：今成裕一郎;宫崎进;户田健司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体、发光装置及白色发光二极管。荧光体包括由式(1)表示的化合物、及作为活化剂的Eu。aM12O·bM2O·cM3O2(1)在式(1)中，M1是从由Li、Na、K、Rb以及Cs构成的组中选择的至少一个，M2是从由Ca、Sr、Ba、Mg以及Zn构成的组中选择的至少一个，M3是从由Si及Ge构成的组中选择的至少一个，0.1≤a≤1.5、0.8≤b≤1.2及0.8≤c≤1.2，其中，当M1是Li，M3是Si且a＝b＝c＝1时，M2不单独为Sr。
荧光发光装置白色发光二极管

[发明专利]荧光体-CN200980113217.0无效
发明人： 户田健司;上松和义;佐藤峰夫;梅田铁;伊藤丰 -专利权人：国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：提供可以表现更高发射亮度的荧光体。其中活化剂被包含在由式xM1O·M2O·yM3O2(M1表示选自由Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或多种元素，M2表示Mg和/或Zn，M3表示Si和/或Ge，x是在4至6的范围内的值，并且y是在2至4的范围内的值)表示的化合物中的荧光体。由式M15(1-z)EuzM2M33O12(其中M1、M2和M3具有与上述相同的含义，并且z是在0.0001至0.3的范围内的值)表示的荧光体。上述荧光体具有与白硅钙石相同的晶体结构。
荧光

[发明专利]荧光体及其制造方法-CN200980109380.X无效
发明人： 户田健司;上松和义;佐藤峰夫;梅田铁;伊藤丰 -专利权人：国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供可获得能够进一步改善以演色性为主的发光特性的发光装置的荧光体。本发明是一种荧光体，其为下式(1)所示化合物中的M2的至少一部分被M4(M4表示3价阳离子元素)取代、该化合物中的O的一部分被M5(M5表示3价阴离子元素)取代、该化合物的M1和/或M2的一部分被活化元素取代而成，aM1O·3M2O·6M3O2 (1)(这里，M1表示选自Ba、Sr和Ca的1种以上的碱土类金属元素、M2表示选自Mg和Zn的1种以上的2价金属元素、M3表示四价金属元素、a为3以上9以下范围的值)。
荧光及其制造方法

[发明专利]近紫外线激发发光元件用荧光体-CN200980109487.4无效
发明人： 户田健司;上松和义;佐藤峰夫;梅田铁;伊藤丰 -专利权人：国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C09K11/71 文献下载
摘要：本发明涉及一种近紫外线激发发光元件用荧光体，其为式(1)所示化合物中的元素M1及/或M2的一部分被活化元素(M3)取代而成，M1aM2bPcO15(1)(这里，M1表示选自Ca、Sr及Ba的1种以上，M2表示选自Mg及Zn的1种以上，a为1.5以上2.5以下范围的值，b为2.5以上3.5以下范围的值，c为3.5以上4.5以下范围的值)。优选M1为Sr、M2为Mg的上述荧光体，优选M3为Eu的上述荧光体。本发明还涉及具有上述荧光体的荧光体糊剂及具有上述荧光体的发光强度高的近紫外线激发发光元件。
紫外线激发发光元件荧光

[发明专利]空气中的镭射气和钍射气的测定方法-CN200680054851.8无效
发明人：上松和义;佐藤峰夫;太田雅寿;户田健司 -专利权人：国立大学法人新泻大学
申请日： 2006-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：本发明提供一种可以进行高敏感度的镭射气和钍射气的分离测定，并且装置结构很小，不受测定环境的影响的新颖的空气中的镭射气及钍射气的测定方法。将空气中镭射气和钍射气中的至少一种吸附于吸附剂上，对在镭射气和钍射气中的至少一种的蜕变过程中放出的贝塔射线通过所述吸附剂时产生的切伦科夫光进行测定，据此，对镭射气和钍射气中的至少一种进行测定。基于切伦科夫光的衰减时间，对镭射气和钍射气的混合比例进行测定。吸附剂最好使用具有孔径为0.3～30nm的细孔的多孔玻璃。
空气中的镭射气钍射气测定方法

[发明专利]荧光物质-CN200680033992.1无效
发明人： 户田健司;佐藤峰夫;上松和义;米野宪;小广健司;土田良彦 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：本发明提供一种磷光体，所述磷光体能够提供在实践上提高主要为显色性的发光特性的发光器件。所述磷光体的特征在于包含由式aM¹O－bM²₂O₃－cM³O₂表示的化合物，其中M¹表示选自Ba、Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一种元素，M²表示选自Al、Sc、Ga、Y、In、La、Gd和Lu中的至少一种元素，M³表示选自Si、Ti、Ge、Zr、Sn和Hf中的至少一种元素，a是不小于8且不大于10的值，b是不小于0.8且不大于1.2的值，并且c是不小于5且不大于7的值；并且具有至少一种元素作为活化剂，所述至少一种元素选自稀土元素、Mn、Bi和Zn，并且结合到所述化合物中。
荧光物质

[发明专利]真空紫外线辐射激发发光装置-CN200710096182.7无效
发明人： 户田健司;佐藤峰夫;大野庆司;宫崎进;武田隆史 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：通过用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料提供了包括该荧光材料的真空紫外线辐射激发发光装置，其包括由通式：mM¹O·nM²O·2M³O₂表示的化合物，其中M¹是选自Ca、Sr和Ba的至少一种金属，M²是选自Mg和Zn的至少一种金属，M³是选自Si和Ge的至少一种金属，和m和n分别满足0.5≤m≤3.5和0.5≤n≤2.5，条件是当m＝n＝1时，M¹是选自Ca、Sr和Ba的至少两种金属，或选自Sr和Ba的一种金属；和选自Eu和Mn的至少一种金属作为活化剂。
真空紫外线辐射激发发光装置

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