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[发明专利]磁头和磁记录装置-CN202110858621.3在审
发明人：中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美;岩崎仁志;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
磁头记录装置

[发明专利]磁头以及磁记录装置-CN202010952619.8有效
发明人：岩崎仁志;高岸雅幸;成田直幸;永泽鹤美;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。所述磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括：第1非磁性层；第1磁性层，其设置在所述第1非磁性层与所述第2磁极之间；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第2非磁性层，其设置在所述第1层与所述第2磁极之间；第2磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第2磁极之间；以及第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第2磁极之间。所述电气电路向所述层叠体供给第1电流，所述第1电流具有从所述第2磁极朝向所述第1磁极的第1方向。
磁头以及记录装置

[发明专利]磁头以及磁记录装置-CN202010933146.7有效
发明人：岩崎仁志;高岸雅幸;成田直幸;永泽鹤美;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、和设置在磁极与第1屏蔽件之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、第2磁性层、设置在第1磁性层与第2磁性层之间的第1层以及设置在第1磁性层与第1层之间的第1非磁性层，所述第1层包含选自由Ta、Zr、Hf、Mo、W、Tc、Re、Ru、Rh、Os、Ir、Pd、Pt、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、GD、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的至少一种。电气电路向层叠体供给电流。
磁头以及记录装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202110947763.7在审
发明人：岩崎仁志;成田直幸;首藤浩文;高岸雅幸;永泽鹤美 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：提供能够进行稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、及层叠体。层叠体包括第1磁性部件、设置于第1磁性部件与第2磁极之间的第2磁性部件、及设置于第1磁性部件与第2磁性部件之间且包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个的第1层。第1磁性部件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。第1非磁性区域包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。多个第1磁性区域包含选自由Fe、Co及Ni构成的群的至少1个。第1层的沿着第1方向的厚度比第1非磁性区域的沿着第1方向的厚度厚。
磁头记录装置

[发明专利]磁记录装置以及磁记录方法-CN202110973274.9在审
发明人：首藤浩文;永泽鹤美;高岸雅幸;成田直幸;前田知幸;岩崎仁志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
记录装置以及方法

[发明专利]磁头的评价方法及磁头的评价装置-CN202110838075.7在审
发明人：首藤浩文;永泽鹤美;高岸雅幸;成田直幸;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：提供能够评价磁头的特性的磁头的评价方法及磁头的评价装置。根据实施方式，磁头的评价方法包括取得在向包括第1磁极、第2磁极、磁元件及线圈的磁头的所述线圈供给了第1交流电流且向所述磁元件供给了第2电流时从所述磁元件得到的电信号。所述磁元件设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，包括第1磁性层。所述评价方法包括基于所述电信号来检测以所述第1交流电流的极性反转的时刻为基准的所述磁元件的电阻的变化所需的时间。
磁头评价方法装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202010168901.7有效
发明人：高岸雅幸;成田直幸;前田知幸;首藤浩文;永泽鹤美;菅原克也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11B5/11 文献下载
摘要：提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层。所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离，为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且10％以下。
磁头记录装置

[发明专利]磁头以及磁记录装置-CN202010170190.7有效
发明人：高岸雅幸;成田直幸;前田知幸;岩崎仁志;首藤浩文;永泽鹤美 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
磁头以及记录装置

[发明专利]磁头及磁记录再现装置-CN201910183329.9有效
发明人： 成田直幸;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：提供一种能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、第2屏蔽件、第1层叠体以及第2层叠体。磁极的至少一部分设置于第1屏蔽件与第2屏蔽件之间。第1层叠体设置于磁极与第1屏蔽件之间。第2层叠体设置于磁极与第2屏蔽件之间。第1层叠体包括：第1磁性层，包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个；第1导电层，设置于磁极与第1磁性层之间；以及第2导电层，设置于第1磁性层与第1屏蔽件之间。第2层叠体包括：第2磁性层，包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个；第3导电层，设置于磁极与第2磁性层之间；以及第4导电层，设置于第2磁性层与第2屏蔽件之间。
磁头记录再现装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202110213952.1在审
发明人：岩崎仁志;成田直幸;首藤浩文;高岸雅幸;永泽鹤美 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第3非磁性层。第2磁性层包括第1磁性区域及第2磁性区域。第2磁性区域处于第2非磁性层与第1磁性区域之间。第1磁性区域包括第1元素，第1元素包括Fe、Co及Ni的至少1个。第2磁性区域包括第1元素和第2元素，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。第1磁性区域不包括第2元素，或者，第1磁性区域中的第2元素的浓度比第2磁性区域中的第2元素的浓度低。
磁头记录装置

[发明专利]磁头的评价方法以及磁头的评价装置-CN202010160041.2有效
发明人：首藤浩文;成田直幸;永泽鹤美;高岸雅幸;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：提供能够评价振荡频率的磁头的评价方法以及磁头的评价装置。根据一个实施方式，磁头的评价方法包括：实施向包括电流路径的磁头施加了交流磁场时的所述电流路径的电特性的测定，该电流路径包括振荡器。所述评价方法包括：基于所述电特性来实施关于所述振荡器的振荡频率的频率值的导出。
磁头评价方法以及装置

[发明专利]磁记录装置以及磁头-CN201910805545.2有效
发明人： 成田直幸;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置以及磁头。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、层叠体、第1端子、第2端子以及线圈。第1电路至少实施第1工作。在第1工作中，当第2电路向线圈供给着记录电流时，第1电路向第1端子与第2端子之间的电流路径供给第1电流。第1电流比使得电流路径的电阻振荡的第2电流小。
记录装置以及磁头

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202110214042.5在审
发明人：高岸雅幸;成田直幸;前田知幸;永泽鹤美;岩崎仁志;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
磁头记录装置

[发明专利]磁头以及磁记录装置-CN201910851771.4有效
发明人：永泽鹤美;成田直幸;首藤浩文;高岸雅幸;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11B5/35 文献下载
摘要：提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括：屏蔽件；磁极；第1磁性层，其设置在屏蔽件与磁极之间；第2磁性层，其设置在第1磁性层与磁极之间；第3磁性层，其设置在第2磁性层与磁极之间；第1非磁性层，其设置在屏蔽件与第1磁性层之间；第2非磁性层，其设置在第1磁性层与第2磁性层之间；第3非磁性层，其设置在第2磁性层与第3磁性层之间；以及第4非磁性层，其设置在第3磁性层与磁极之间。第1非磁性层和第3非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第2非磁性层和第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。
磁头以及记录装置

[发明专利]磁记录装置-CN201910187027.9有效
发明人：高岸雅幸;成田直幸;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G11B5/11 文献下载
摘要：本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于磁极与第1屏蔽件之间并将磁极与第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈。第1电路能够向磁极、导电部件以及第1屏蔽件供给第1电流。第2电路能够向线圈供给记录电流。从磁极产生与记录电流相应的记录磁场。记录电流的上升时间是最短位长的65％以上。
记录装置