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[发明专利]离子注入装置及使用该装置的多片晶片的处理方法-CN201610630017.4有效
发明人：工藤哲也;戎真志;藤井嘉人 -专利权人：住友重机械离子技术有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供离子注入装置及使用该装置的多片晶片的处理方法。第1及第2输送机构(80，85)将两片一组的晶片从晶片容器(59)经由缓冲装置(60)输送至对准装置(66)，对准后分别向第1及第2装载锁定室(53，54)各送入一片。中间输送机构(90)将两片一组的晶片的一片从第1装载锁定室输送至真空处理室(16)，离子注入处理后从真空处理室输送至第1装载锁定室，将两片一组的晶片的另一片从第2装载锁定室输送至真空处理室，离子注入处理后从真空处理室输送至第2装载锁定室。第1及第2输送机构(80，85)将两片一组的注入处理完的晶片从第1及第2装载锁定室(53，54)送出并存放到晶片容器(59)中。
离子注入装置使用晶片处理方法

[发明专利]离子注入装置及离子注入装置的控制方法-CN201910409564.3在审
发明人：冈田庆二;藤井嘉人;工藤哲也;戎真志;广川卓 -专利权人：住友重机械离子技术有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01J37/18 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入装置及离子注入装置的控制方法，其课题在于提供一种能够减小输送过程中对晶片的污染的影响的技术。本发明的离子注入装置(10)具备：真空处理室(16)，进行对晶片(W)的离子注入处理；一个以上的装载锁定室(54a、54b)，用于向真空处理室(16)搬入晶片，并从真空处理室(16)搬出晶片；中间输送室(52)，与真空处理室(16)及装载锁定室(54a、54b)这两者相邻而设；装载锁定室‑中间输送室连通机构(72a、72b)，其具有连通装载锁定室(54a、54b)与中间输送室(52)之间的装载锁定室‑中间输送室连通口及能够封闭装载锁定室‑中间输送室连通口的闸阀；及中间输送室‑真空处理室连通机构(70)，其具有连通中间输送室(52)与真空处理室(16)之间的中间输送室‑真空处理室连通口及能够屏蔽中间输送室‑真空处理室连通口的一部分或全部的可动式屏蔽板。
输送室真空处理室装载锁定室离子注入装置连通口晶片连通机构连通输送过程可动式屏蔽板搬出搬入减小屏蔽闸阀离子封闭污染

[发明专利]离子注入装置及离子注入装置的控制方法-CN201510328896.0在审
发明人：冈田庆二;藤井嘉人;工藤哲也;戎真志;广川卓 -专利权人：住友重机械离子技术有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入装置及离子注入装置的控制方法，其课题在于提供一种能够减小输送过程中对晶片的污染的影响的技术。本发明的离子注入装置(10)具备：真空处理室(16)，进行对晶片(W)的离子注入处理；一个以上的装载锁定室(54a、54b)，用于向真空处理室(16)搬入晶片，并从真空处理室(16)搬出晶片；中间输送室(52)，与真空处理室(16)及装载锁定室(54a、54b)这两者相邻而设；装载锁定室-中间输送室连通机构(72a、72b)，其具有连通装载锁定室(54a、54b)与中间输送室(52)之间的装载锁定室-中间输送室连通口及能够封闭装载锁定室-中间输送室连通口的闸阀；及中间输送室-真空处理室连通机构(70)，其具有连通中间输送室(52)与真空处理室(16)之间的中间输送室-真空处理室连通口及能够屏蔽中间输送室-真空处理室连通口的一部分或全部的可动式屏蔽板。
离子注入装置控制方法