专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于混沌加密的概率整形方法-CN202110811907.6有效
  • 郭栋;忻向军;刘宇航;高然;张琦;姚海鹏;王光全 - 北京理工大学;北京邮电大学
  • 2021-07-19 - 2023-01-17 - G06F21/60
  • 本发明公布的一种基于混沌加密的概率整形方法,属于光通信领域。本发明采用在混沌系统中生成的混沌序列和信息序列,通过发送端位运算模块,按阈值的设定添加冗余序列输出特定符号分布的二进制发送序列;序列通过具有特定映射表的信号调制实现概率整形;接收端位运算模块利用混沌序列和发送端添加的冗余序列,实现发送端混沌加密的解密。本发明在进行混沌加密的同时实现概率整形效果,提升了信道容量;由于概率整形部分几乎不占据硬件算力,因此极大地节省了硬件成本;本方法可以与各类多维混沌加密技术叠加,并实现密钥空间一个维度的增加。本发明可应用于光纤通信领域,实现信号加密和信道容量的提升。
  • 一种基于混沌加密概率整形方法
  • [发明专利]基于trans-diode模式的薄膜探测器及制备方法-CN202211399048.5在审
  • 杨雷静;王孟演;忻向军;张琦;饶岚;王拥军;田清华;田凤 - 北京邮电大学
  • 2022-11-09 - 2023-01-06 - H01L31/113
  • 本发明提供一种基于trans‑diode模式的薄膜探测器及制备方法,包括:第一衬底层;第二衬底层;薄膜层;源电极;漏电极;介质层和栅电极。第二衬底层设置在第一衬底层上方;薄膜层设置在第二衬底层上方;源电极和漏电极设置在薄膜层上方,与薄膜层实现肖特基接触或欧姆接触;在源电极和漏电极之间的薄膜层中形成导电沟道;介质层设置在源电极、导电沟道和漏电极上方;栅电极设置在介质层和源电极上方,栅电极和源电极导通。在基于本发明提供的光电探测器结构下,源电极和薄膜层之间形成固定的肖特基势垒,有效抑制暗电流,同时具备类似二极管的整流特性,极大提升光电探测性能和稳定性。
  • 基于transdiode模式薄膜探测器制备方法
  • [发明专利]辅助薄层型端面耦合器-CN202111416416.8在审
  • 杨雷静;郎需跃;忻向军;张琦;饶岚;孙莉萍;王宁;王拥军;田清华;田凤 - 北京邮电大学
  • 2021-11-25 - 2022-12-13 - G02B6/122
  • 本发明提供一种辅助薄层型端面耦合器,包括硅衬底、埋氧层和二氧化硅包层,所述二氧化硅包层内设有:输入段波导,包括条形中心波导以及多个辅助薄层波导,各所述辅助薄层波导在垂直于其延伸方向上的横截面形状均为长条状矩形,且各辅助薄层波导在延伸方向上各横截面的长边尺寸逐渐减小,多个辅助薄层波导的第一端端面的长边围成闭合方形,条形中心波导的第二端端面及各辅助薄层波导的第二端端面均位于端面耦合器的第二端端面内侧,且各辅助薄层波导与条形中心波导之间均间隔有预设距离;输出段波导,输出段波导的第一端与条形中心波导的第二端相接,输出段波导垂直于其延伸方向上的横截面面积沿延伸方向逐渐增大。
  • 辅助薄层端面耦合器

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