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[发明专利]一种宽波段荧光材料及其制备方法-CN201710141853.0有效
发明人： 徐蓓娜;李星 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C07F3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽波段荧光材料及其制备方法，该荧光材料化合物是具有一定空间结构的镉配合物，其化学式为：CdC₁₄H₁₁N₅O₅，其结构简式：[Cd(C₄HN₃O₄)(bpy)(H₂O)]_n，bpy为2,2’‑二联吡啶，晶系为单斜，空间群为P2(1)/c，晶包参数α＝90°，β＝92.31°，γ＝90°，镉离子采用五配位的变形四角锥构型的配位模式。所述荧光材料化合物的制备方法是将水合二氯化镉、2,2’‑二联吡啶与5‑硝基乳清酸钾以及蒸馏水等混合物，置于不锈钢反应釜中，通过水热反应得到了镉配合物。该制备方法操作简单，成本低廉，适合规模化生产。本发明制得的镉配合物具有良好的宽波段荧光发射性能，作为宽波段荧光材料具有潜在的应用前景。
一种波段荧光材料及其制备方法

[发明专利]一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器及制备方法-CN03135791.1无效
发明人：杨邦朝;段建华;杜晓松;周鸿仁;崔红玲;徐蓓娜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2003-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明是提供了一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器及其制备方法，其特征是它包括形状为阵列式结构的N个压力敏感元件锰铜薄膜2和无机材料封装薄膜4；该传感器采用全薄膜工艺制作。本发明的传感器，消除了封装材料的高压旁路效应，可使传感器的测试精度达到为3～5％，响应时间缩短为20～40ns；具有一次可以高精度、高可靠性地测量大面积的超高压力的特点。本发明的传感器主要用于测试强冲击波的压力，如主要应用在测量装甲、核武器爆炸冲击波的压力测量等国防领域中。
一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器制备方法

[发明专利]低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法-CN01107160.5无效
发明人：杨邦朝;杜晓松;周鸿仁;刘秀蓉;徐蓓娜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2001-02-22 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明为低电阻温度系统锰铜薄膜的制备方法。采用磁控溅射或射频溅射法沉积锰铜薄膜，通过对基板温度、锰铜靶的温度，以及热处理温度的控制，可使制备的锰铜薄膜的电阻温度系统达到±10×10^-6/℃，达到了与块状材料相当的水平。
电阻温度系数薄膜制备方法

[发明专利]薄膜式锰铜超高压力传感器-CN01107159.1无效
发明人：杨邦朝;杜晓松;周鸿仁;刘秀蓉;徐蓓娜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2001-02-22 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明为薄膜式锰铜超高压力传感器，无机绝缘材料基板(1)上有沉积的锰铜薄膜(2)和电极(3)，锰铜薄膜(2)和电极(3)上覆盖有无机绝缘薄膜(4)，锰铜薄膜(2)可由掩模或光刻方法刻蚀出图形，直接覆盖于基板上或电极上，电极(3)为铜或复合金属薄膜，厚度为1-10μm，电极(3)为四引线单端引出的π形结构或两端引出的H形结构，直接覆盖于基板或锰铜薄膜上，基板(1)和绝缘薄膜(4)的材料为氧化铝或氧化镁或熔融石英，绝缘薄膜(4)的厚度为3-20μm。
薄膜式锰铜超高压力传感器