专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种体声波磁电阵列天线及制备方法-CN202011298218.1在审
  • 钟慧;彭春瑞;刘国;尉旭波;石玉 - 电子科技大学
  • 2020-11-18 - 2021-03-30 - H01Q1/22
  • 本发明公开了一种体声波磁电阵列天线,包括安装于硅基上的N个阵元,阵元均为同一结构的体声波磁电天线;体声波磁电天线由空腔型体声波谐振器和磁致伸缩薄膜复合组成;空腔型体声波谐振器包括从下到上堆叠组合的硅基底、隔离层、空气腔、种子层、下电极层、压电层和上电极层;磁致伸缩薄膜制作成磁致伸缩层并置于上电极层上;阵元均为等幅同相馈电且馈电方式为交流电压馈电,阵列类型为直线阵或平面阵;本发明提供的体声波磁电阵列天线及制备方法,在同一个硅片上同时制备出的多个体声波磁电天线进行组阵,实现增强天线的方向性、提高天线的辐射增益和使之更适用于无线通信中的应用场合的目的。
  • 一种声波磁电阵列天线制备方法
  • [发明专利]一种低功耗全MOS管带隙基准电路以及基于其的转换器-CN201910283757.9有效
  • 钟慧;张晨;彭春瑞;王诗元;尉旭波;石玉 - 电子科技大学
  • 2019-04-10 - 2020-11-10 - G05F1/567
  • 本发明公开了一种低功耗全MOS管带隙基准电路以及基于其的转换器,涉及带隙基准电路领域;其包括镜像NMOS管、镜像PMOS管、第二NMOS管NM2、第五NMOS管NM5和为NM2、NM5提供偏置使其工作在线性区的MOS管组;镜像PMOS管、镜像NMOS管和第五NMOS管NM5连接,产生与电源无关的电流,电流通过镜像PMOS管流进第二NMOS管NM2转换为电压,第二NMOS管NM2与镜像NMOS管中第三NMOS管NM3连接,实现NM2产生的正温度系数电压与NM3具有负温度系数的栅源电压叠加,镜像PMOS管中的第三PMOS管PM3漏极连接第NMOS管NM2漏极,输出叠加后的零温度系数电压;本发明解决了现有采用BJT管的发射极‑基极电压的负温特性构建零温的带隙基准存在电路功耗大、电路复杂的问题,达到了实现电压零温的同时降低功耗和减小电路面积的效果。
  • 一种功耗mos管带基准电路以及基于转换器
  • [发明专利]用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法-CN202010619121.X在审
  • 李君儒;彭春瑞;高杨;陈锶;任万春 - 四川爆米微纳科技有限公司
  • 2020-06-30 - 2020-10-30 - B81B7/00
  • 本发明公开了一种用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法,涉及射频微电子机械系统领域和天线领域。该信号发射元包括:MEMS谐振器和辐射层,辐射层包括磁致伸缩薄膜或驻极体薄膜,辐射层设置在MEMS谐振器的谐振区的一侧,与谐振区紧密耦合,谐振区的另一侧通过锚点固定在衬底上,MEMS谐振器的谐振区的谐振频率工作在甚低频波段,用于使磁致伸缩薄膜发生磁化振荡,或使驻极体薄膜发生电荷振荡,生成甚低频信号。本发明可以通过MEMS工艺直接实现谐振器与辐射层的集成,无需另外的安装工艺,大大简化了工艺流程,解决了现有专利方案中VLF发射元结构单一、稳定性差和工艺实现难的问题,具有可批量制造、一致性好、尺寸小、后期易实现阵列化等优点。
  • 用于生成甚低频信号发射制作方法
  • [实用新型]一种涡流抑制结构-CN201922381538.2有效
  • 彭春瑞;李君儒;陈锶;高杨;任万春 - 四川爆米微纳科技有限公司
  • 2019-12-26 - 2020-08-28 - H01Q1/36
  • 本实用新型涉及一种涡流抑制结构,包括磁致伸缩层,还包括绝缘介质层,所述绝缘介质层设置于所述磁致伸缩层内,用于打断涡流从而抑制体声波磁电天线涡流损耗。本实用新型在磁致伸缩层中插入绝缘介质层来减小涡流损耗,使体声波磁电天线的辐射效率提高,解决了现有技术方案中空气隙间隔磁致伸缩层导致应力不连续、磁电天线辐射效率低的问题。使用绝缘介质层作为间隔层可以改善磁致伸缩层的软磁特性,有效降低磁致伸缩层的矫顽力,提高辐射区的灵敏度。通过仿真分析,该方案可以有效减小涡流损耗65%以上,大幅地提高磁电天线的辐射效率。
  • 一种涡流抑制结构
  • [发明专利]一种涡流抑制结构及其制备方法-CN201911369333.0在审
  • 彭春瑞;李君儒;陈锶;高杨;任万春 - 四川爆米微纳科技有限公司
  • 2019-12-26 - 2020-04-07 - H01Q1/36
  • 本发明涉及一种涡流抑制结构,包括磁致伸缩层,还包括绝缘介质层,所述绝缘介质层设置于所述磁致伸缩层内,用于打断涡流从而抑制体声波磁电天线涡流损耗。本发明在磁致伸缩层中插入绝缘介质层来减小涡流损耗,使体声波磁电天线的辐射效率提高,解决了现有技术方案中空气隙间隔磁致伸缩层导致应力不连续、磁电天线辐射效率低的问题。使用绝缘介质层作为间隔层可以改善磁致伸缩层的软磁特性,有效降低磁致伸缩层的矫顽力,提高辐射区的灵敏度。通过仿真分析,该方案可以有效减小涡流损耗65%以上,大幅地提高磁电天线的辐射效率。
  • 一种涡流抑制结构及其制备方法

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