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[发明专利]一种对称型高温相偏硼酸钡（α-BBO）晶体的制备方法、对称型高温相偏硼酸钡晶体及应用-CN202310186438.2在审
发明人：黄溢声;林州斌;张作望;陈伟;陈秋华;张星 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种对称型高温相偏硼酸钡(α‑BBO)晶体的制备方法、对称型高温相偏硼酸钡晶体及应用，所述制备方法包括：将含有碳酸钡、硼酸的原料，采用固相合成法，得到偏硼酸钡化合物多晶粉末；在三方对称型温场中，采用提拉法生长，将含有碳酸钡、硼酸的原料，熔化进行晶体生长，得到所述对称型高温相偏硼酸钡晶体。本申请制备的对称型高温相偏硼酸钡晶体为三方对称型且等径处晶面完整的α‑BBO晶体能够有效的避免晶体开裂，容易量产得到大尺寸高质量不开裂的α‑BBO晶体。
一种对称高温硼酸 bbo 晶体制备方法应用

[实用新型]一种可调节位置的中频感应线圈装置-CN201220606983.X有效
发明人：曾宪林;吴少凡;张作望 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H05B6/36 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可调节位置的中频感应线圈装置，解决了目前中频感应线圈无法三维向调节并且对中困难的问题。本装置包括线圈支架、支架固定导杆、二维移位调节平台、绝缘固定板和滚珠丝杠直线导轨系统，绝缘板固定在直线导轨平台上，由升降调节电机带动线圈上下移动。本实用新型具有结构简单，调节方便，稳定可靠等特点。
一种调节位置中频感应线圈装置

[发明专利]一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法-CN201210565733.0无效
发明人： 张作望;吴少凡 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法，原理是在Nd:YLF晶体中掺入GdF3，其化学式为：Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1，Gd与Y是性质相近的稀土元素，Gd离子半径比Y离子半径大4%，刚好介于Nd3+与Y3+之间，大离子半径Gd3+的掺入部分替代Y3+进入晶格，减小了晶体的内部张力，同时减小Y3+附近刃型位错应变能，从而可以抑制位错的迁移和重排，从而降低位错的密度，即抑制小角晶界的形成，可以有效改善Nd:YLF晶体的光学均匀性，获得高光学质量，物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体，其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%，该激光晶体采用提拉法进行生长，工艺简单，能够实现大规模低成本的批量生产。
一种氟化钇钆锂晶体及其生长方法