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[发明专利]用于场发射装置的一种场发射阴极结构-CN201880044577.9有效
发明人：乔纳斯·迪伦;帕特里克·霍尔曼;希尔米沃尔坎·德米尔;维杰库玛尔·萨尔玛;西蒂·谭 -专利权人：光学实验室公司（瑞典）;南洋理工大学
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01J63/02 文献下载
摘要：本发明总的来说涉及用于场发射装置的一种场发射阴极结构，特别适于通过在场发射阴极结构的透气部分下侧布置吸气剂元件来增强场发射装置的可靠性并延长场发射装置的寿命。本发明还涉及包括这种场发射阴极结构的场发射照明装置和场发射照明系统。
用于发射装置一种阴极结构

[发明专利]场发射光源-CN202010101040.0在审
发明人：乔纳斯·迪伦;希尔米沃尔坎·德米尔 -专利权人：光学实验室公司（瑞典）;南洋理工大学
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01J63/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射光源，特别地，涉及一种小型场发射光源，其可以使用晶圆级水平制造的概念以低成本大量制造，即是，与IC’s和MEMS所使用的方法类似。本发明还涉及一种包括至少一个场发射光源的照明装置。
发射光源

[发明专利]紫外灯的提取结构-CN201680053426.0有效
发明人：乔纳斯·迪伦;希尔米沃尔坎·德米尔 -专利权人：光学实验室公司（瑞典）;南洋理工大学
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G02B1/118 文献下载
摘要：本发明总体上涉及用于紫外照明元件的提取结构。本发明还涉及包含这种在基板上的提取结构的紫外灯。所述提取结构包括用于抗反射目的的多个纳米结构。所述纳米结构生长在基板的第一侧和第二侧中的至少一侧的顶表面上。
紫外提取结构

[发明专利]场发射光源-CN201580073512.3在审
发明人：乔纳斯·迪伦;希尔米沃尔坎·德米尔 -专利权人：光学实验室公司（瑞典）;南洋理工大学
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01J63/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射光源，特别地，涉及一种小型场发射光源，其可以使用晶圆级水平制造的概念以低成本大量制造，即是，与IC’s和MEMS所使用的方法类似。本发明还涉及一种包括至少一个场发射光源的照明装置。场发射光源包括‑场发射阴极(106)，所述场发射阴极包括多个纳米结构(104)，所述纳米结构形成在基板上；‑导电阳极结构(108)，所述导电阳极结构包括第一波长转换材料(118)，所述第一波长转换材料布置用于覆盖阳极结构的至少一部分，其中，第一波长转换材料配置为接收从场发射阴极发射的电子并发射第一波长范围的光，以及‑装置，所述装置用于在场发射阴极的基板和阳极结构之间形成一个安全密封且随后抽真空的腔室(106)，包括布置成环绕多个纳米结构的间隔结构(302，110)，其中，用于接收多个纳米结构的基板是晶片(102’)。
发射光源