专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]门禁锁分配电路-CN202223234765.0有效
  • 赫春晖;张涛;崔彬 - 北京中航建业科技发展有限公司
  • 2022-12-01 - 2023-04-11 - H02H3/08
  • 本申请涉及一种门禁锁分配电路,包括第一指示电路和配电电路,配电电路输入端连接市电,第一指示电路连接在配电电路输入端,用于表示主电路供电是否正常;配电电路包括多路配电支路,配电支路包括电路保护元件、第二指示电路和电连接器;电路保护元件连接在第二指示电路输入端,当电路发生过载或短路时,电路保护元件会对电路进行关断,第二指示电路输出端接地,用于表示分支路供电是否正常,电连接器的两端分别连接在第二指示电路的两端。上述门禁锁分配电路,增加了分配电路的门禁锁的可供应量,能够实时的显示各支路的运行状况以及市电供应状况,以便于在主供电或各配电支路发生故障时,能够及时的对主供电或配电支路进行维修和更换。
  • 门禁分配电路
  • [发明专利]一种基于自旋涡度耦合的自旋电子学器件-CN202211477246.9在审
  • 崔彬;胡季帆;安泰宇 - 山东大学
  • 2022-11-23 - 2023-03-31 - H10N50/10
  • 本发明公开了一种高效的Si/SiO2/Ni81Fe19/Cu‑CuOx/TaN自旋电子学器件。该自旋电子学器件的结构依次包括:基片、磁性层、非磁性层、保护层;其中,所述磁性层为Ni81Fe19层,所述非磁性层为Cu‑CuOx层。具体结构可为:Si/SiO2/Ni81Fe19(10nm)/Cu‑CuOx(1‑20nm)/TaN(1nm)或者Si/SiO2/Ni81Fe19(10nm)/Al‑AlOx(1‑20nm)/TaN(1nm)。本发明使用轻金属Cu、Al替代传统重金属Pt、Ta作为自旋流产生层,可以更高效的将电荷流转换为自旋流,具有高效的自旋轨道矩产生效率。器件在退火后自旋霍尔磁电阻和自旋轨道矩产生效率得到很大提高,热稳定性良好。
  • 一种基于旋涡耦合自旋电子学器件
  • [发明专利]门禁电锁电源电路及门禁系统-CN202211455148.5在审
  • 赫春晖;张涛;崔彬 - 北京中航建业科技发展有限公司
  • 2022-11-21 - 2023-03-21 - H02J1/08
  • 本申请涉及一种门禁电锁电源电路,包括:稳压电路,具有n路,且分别为第1~n路稳压电路,稳压电路的输入端分别用于接交流电源;隔离电路,具有n‑1路,且分别为第1~(n‑1)路隔离电路,隔离电路具有第一输入端、第二输入端与第一输出端,n‑1路隔离电路的第一输入端分别与相同路号的稳压电路的输出端连接;其中,第1路隔离电路的输出端用于连接门禁电锁,第2~(n‑1)路隔离电路的第一输出端连接前一路号的隔离电路的第二输入端,第n‑1路隔离电路的第二输入端连接第n路稳压电路的输出端。当隔离电路的第一输入端的第一电压大于等于第一阈值时,第一输出端输出第一电压,且第二输入端与第一输出端之间断路。该门禁电锁电源电路,提高了门禁系统的可靠性。
  • 门禁电源电路系统
  • [发明专利]常开门控制方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202211327830.6在审
  • 赫春晖;崔彬 - 北京中航建业科技发展有限公司
  • 2022-10-27 - 2023-01-20 - G07C9/20
  • 本发明涉及一种常开门控制方法、装置、计算机设备及可读存储介质,其中常开门控制方法包括以下步骤:读取门禁卡刷卡动作,并检测第一时间阈值内是否再次出现刷卡动作;若是,则启动常开模式,控制门长时间打开;检测在常开模式运行的第二时间阈值内是否接收到延时请求,所述延时请求用于触发控制门在常开模式运行的第二时间阈值内保持常开模式;若否,则关闭常开模式,控制门关闭;若是,则保持常开模式,并检测是否再次在第二时间阈值内接收到延时请求;若否,则关闭常开模式,控制门关闭;若是,则继续保持常开模式,并重复执行检测是否再次在第二时间阈值内接收到延时请求。能够对门状态进行多种模式控制。
  • 开门控制方法装置计算机设备存储介质
  • [发明专利]一种基于电场调控的氢离子迁移提高自旋轨道矩的方法-CN202211275091.0在审
  • 崔彬;胡季帆;褚瑞月 - 山东大学
  • 2022-10-18 - 2023-01-13 - H10N52/00
  • 本发明公开了一种提高重金属层的自旋轨道矩的方法。其由铁磁层和重金属层构成,铁磁层和重金属层相互接触。通过氢离子在正负门电压下的迁移,可实现对重金属层的自旋轨道矩的可逆非易失的调控。同时,还提供了一种霍尔器件,包括基片、所述薄膜构成、栅极、侧电极和门电极。运用紫外曝光技术、氩离子刻蚀技术和磁控溅射技术等即可制备得到。该霍尔器件中含有易被氢离子吸附的重金属层,可通过门电压调节重金属层表面的氢离子覆盖率,从而达到调节重金属层的自旋轨道矩的作用。栅极为掺水的离子液体,介电性好,器件制备工艺简单,可重复性好。可用于信息存储。
  • 一种基于电场调控氢离子迁移提高自旋轨道方法

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