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[发明专利]Sm－Fe－N系磁铁粉末、Sm－Fe－N系烧结磁铁及其制造方法-CN202080026239.X有效
发明人：高木健太;山口渡;横山贵章;山方亮一;佐藤洋辅 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所;株式会社村田制作所
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B22F1/05 文献下载
摘要：本发明提供显示高的矫顽力，同时有效地减少或防止饱和磁化强度的降低的Sm－Fe－N系磁铁粉末和Sm－Fe－N系烧结磁铁。上述Sm－Fe－N系磁铁粉末含有Sm－Fe－N系磁性材料的粉末，该粉末的平均粒径为5μm以下，并且X射线衍射图中的(220)面的衍射峰的半峰宽为以下。上述Sm－Fe－N系烧结磁铁含有Sm－Fe－N系磁性材料的烧结体，该Sm－Fe－N系磁性材料的结晶粒子的平均粒径为5μm以下，并且X射线衍射图中的(220)面的衍射峰的半峰宽为以下。
sm fe 磁铁粉末烧结及其制造方法

[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法-CN201580049440.9有效
发明人：佐藤铁兵;国吉太;石井伦太郎;山方亮一 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括如下工序：1)烧结成形体，准备R－T－B系烧结磁体原材的工序，所述R－T－B系烧结磁体原材含有：27.5质量％以上且34.0质量％以下的R、0.85质量％以上且0.93质量％以下的B、0.20质量％以上且0.70质量％以下的Ga、多于0.2质量％且0.50质量％以下的Cu、0.05质量％以上且0.5质量％以下的Al、和0质量％以上且0.1质量％以下的M，余量是T和不可避免的杂质，并满足式(1)和(2)；2)高温热处理工序，其是将R－T－B系烧结磁体原材，加热至730℃以上且1020℃以下的温度后，以5℃/分钟以上冷却至300℃的工序；3)低温热处理工序，其是将高温热处理工序后的R－T－B系烧结磁体原材加热至440℃以上且550℃以下的温度的工序。[T]－72.3[B]＞0(1)，([T]－72.3[B])/55.85＜13[Ga]/69.72(2)，(还有，[T]是以质量％表示的T的含量，[B]是以质量％表示的B的含量，[Ga]是以质量％表示的Ga的含量)。
烧结磁体制造方法

[发明专利]R－T－B系烧结磁铁的制造方法-CN201680002617.4有效
发明人： 山方亮一;国吉太 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开的R－T－B系烧结磁铁的制造方法包括：准备多个R－T－B系烧结磁铁材料(R为稀土元素中的至少一种，必须包含Nd和/或Pr，T为过渡金属元素中的至少一种，必须包含Fe)的工序；准备含有20质量％以上80质量％以下的重稀土元素RH(重稀土元素RH为Tb和/或Dy)的、大小为90μm以下的多个合金粉末颗粒的工序；将上述多个R－T－B系烧结磁铁材料和相对于上述多个R－T－B系烧结磁铁材料以重量比率计为2％以上15％以下的上述多个合金粉末颗粒装入处理容器内的工序；和通过在加热上述处理容器的同时进行旋转和/或揺动，使上述R－T－B系烧结磁铁材料与上述合金粉末颗粒连续或断续地移动，进行RH供给扩散处理的工序。
烧结磁铁合金粉末颗粒重稀土元素处理容器过渡金属元素扩散处理稀土元素重量比率断续加热装入制造移动

[发明专利]R‑T‑B系烧结磁体的制造方法-CN201480046365.6有效
发明人： 山方亮一;石井伦太郎;国吉太;佐藤铁兵 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：一种磁体的制造方法，包括磁体的准备工序，其准备如下磁体用式uRwBxGayCuzAlqM余量T表示，RH为5％以下，0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足50w‑18.5≤v≤50w‑14、‑12.5w+38.75≤v≤‑62.5w+86.125，在0.20≤x＜0.40时，v、w50w‑18.5≤v≤50w‑15.5、‑12.5w+39.125≤v≤‑62.5w+86.125，x‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.5≤x≤‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.8；高温热处理工序，其将磁体加热到730℃以上且1020℃以下后以20℃/分钟以上冷却到300℃；以及加热到440℃以上且550℃以下的低温热处理工序。
烧结磁体制造方法

[发明专利]R‑T‑B类烧结磁体的制造方法-CN201610135857.3有效
发明人： 山方亮一;小林浩也;国吉太 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：一种R‑T‑B类烧结磁体的制造方法，其不使剩余磁通密度降低地使重稀土元素RH从R‑T‑B类烧结磁体原料的表面向内部扩散，能够抑制R‑T‑B类烧结磁体的破裂、缺损的发生。本发明的实施方式包括准备R‑T‑B类烧结磁体原料的工序；准备RH扩散源的工序；在处理室内装入烧结磁体原料、RH扩散源和搅拌辅助部件的工序；和边使烧结磁体原料、RH扩散源和搅拌辅助部件移动，边将烧结磁体原料和RH扩散源加热的RH扩散工序。各烧结磁体原料为1000mm3以上，正交的三个方向的尺寸中最大尺寸为最小尺寸的2倍以上。各RH扩散源为3mm以下。搅拌辅助部件包括多个第一球体和多个第二球体。
烧结磁体制造方法

[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法-CN201380004680.8有效
发明人：国吉太;石井伦太郎;山方亮一 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法包括：准备R-T-B系烧结磁石体的工序，上述R-T-B系烧结磁石体由稀土元素的含量定义的R量为31质量％以上、37质量％以下；准备RH扩散源的工序，上述RH扩散源含有重稀土元素RH和30质量％以上、80质量％以下的Fe，重稀土元素RH为Dy和Tb中的至少一种；使上述烧结磁石体和上述RH扩散源能够相对移动并且能够接近或者接触地装入处理室内的工序；和一边使上述烧结磁石体和上述RH扩散源在上述处理室内连续或者间断地移动，一边将上述烧结磁石体和上述RH扩散源加热到700℃以上、1000℃以下的处理温度的RH扩散工序。
烧结磁体制造方法