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[发明专利]一种超大尺寸铌酸锂晶体的生长装置和方法-CN202110792971.4有效
发明人：孙德辉;王蒙;韩文斌;刘宏 -专利权人： 山东恒元半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种超大尺寸铌酸锂晶体的生长装置和方法，包括铂金坩埚和位于生长装置内的可以旋转升降的籽晶杆；所述铂金坩埚外包覆保温层；所述保温层上缠绕加热线圈；所述籽晶杆穿过保温层并深入铂金坩埚中；所述铂金坩埚的上方设有上窄下宽的水冷罩，所述水冷罩的内部中空；所述水冷罩底端的宽度大于或等于铌酸锂晶体的直径；所述籽晶杆贯穿水冷罩的正中央；所述水冷罩上分别设有进水管和出水管，所述进水管和出水管分别贯穿保温层与外部连通；所述水冷罩上设有控制水冷罩上下移动的升降杆，所述升降杆贯穿保温层。本发明能够解决溶体对流缓慢，晶体生长界面处温度梯度小等问题，适合8～12英寸晶圆的制备。
一种超大尺寸铌酸锂晶体生长装置方法

[发明专利]一种用于超大尺寸长等径铌酸锂生长的装置和方法-CN202110804218.2有效
发明人：孙德辉;王蒙;韩文斌;刘宏 -专利权人： 山东恒元半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于超大尺寸长等径铌酸锂生长的装置和方法，所述装置包括生长装置与加料装置；生长装置包括第一坩埚及第一保温层；第一保温层和第一坩埚之间设有生长加热器；第一坩埚上方设有可旋转升降的籽晶杆，籽晶杆贯穿第一保温层的顶部；加料装置包括第二坩埚及第二保温层，第二坩埚与第二保温层之间设有化料加热器；第二坩埚的上方设有加料管，加料管穿过第二保温层；第一坩埚的底部通过输料管与第二坩埚的底部连通；输料管的外壁上设有输料加热器。本发明采用化料与生长相分离的方法，通过输料管的热量带入生长区熔体中心使得生长区域温度更均匀，以及及时补充原料的方法，避免了生长界面过冷导致的大尺寸铌酸锂晶体拖尾现象。
一种用于超大尺寸径铌酸锂生长装置方法

[发明专利]一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法-CN202110768733.X有效
发明人：孙德辉;王蒙;韩文斌;刘宏 -专利权人： 山东恒元半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法，包括以下步骤：(1)采用提拉法制备小尺寸晶体；在小尺寸晶体生长结束后提拉一段细颈；在细颈提拉结束后，进入扩肩、等径和收尾阶段，完成超大尺寸铌酸锂单晶的生长；(2)超大尺寸铌酸锂单晶生长结束后，冷却，将超大尺寸铌酸锂单晶与细颈分离，获得超大尺寸铌酸锂单晶。本发明解决了提拉法制备超大尺寸铌酸锂单晶在扩肩时，由中心热量对流不利而导致的凹陷这一现象，将显著满足新一代声学芯片大规模量产最亟需的战略大尺寸晶体材料的需求。
一种超大尺寸铌酸锂单晶生长方法

[实用新型]一种超大尺寸铌酸锂晶体的生长装置-CN202121592137.2有效
发明人：孙德辉;王蒙;韩文斌;刘宏 -专利权人： 山东恒元半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超大尺寸铌酸锂晶体的生长装置，包括铂金坩埚和籽晶杆；铂金坩埚外包覆保温层；保温层与铂金坩埚之间设有硅钼棒，硅钼棒纵向对称排列；籽晶杆穿过保温层并深入铂金坩埚中熔体上方；铂金坩埚的上方设有螺旋形的水冷管，水冷管底部水平方向上的管距离大于顶部水平方向上的管距；水冷管底端水平方向上的管距大于或等于铌酸锂晶体的直径；籽晶杆贯穿水冷管中央形成的空间；水冷管的底部设有进水管、顶部设有出水管，进水管和出水管分别贯穿保温层与外部连通；水冷管上还设有控制水冷管上下移动的升降杆，升降杆贯穿保温层。本实用新型能够解决溶体对流缓慢，晶体生长界面处温度梯度小等问题，适合8～12英寸晶圆的制备。
一种超大尺寸铌酸锂晶体生长装置