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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种SiP芯片测试系统-CN202211492899.4在审
发明人： 宋鸿蕾;候俊马;梁宇宸;刘慧婕 -专利权人：天津津航计算技术研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiP芯片测试系统，属于芯片测试领域。本发明的系统包括上位机以及测试板部分，测试板包括测试底板和测试载板。测试底板包括电源模块、监控模块和测试模块。测试载板安装在测试底板上面，通过专用的接口连接，是可拆卸的，测试载板上安装有测试插座，芯片安装在测试插座上，实现测试。本发明实现对不同SiP芯片的功能测试，提高SiP芯片测试系统的通用性，同时测试系统带有监控模块，可以监控整个测试的有效性，提高测试的准确率。
一种 sip 芯片测试系统

[发明专利]一种基于高速并行接口的芯片封装方法-CN202211494015.9在审
发明人：候俊马;宋鸿蕾;晋超超;梁宇宸;朱天成 -专利权人：天津津航计算技术研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于高速并行接口的芯片封装方法，属于芯片封装领域。本发明从芯片封装出发将高速并行接口封装成一个标准并行接口，标准并行接口通过满足高速传输要求的并行线缆接到外设接口上或者PCB板的标准高速并行接口上，实现对处理器对外设的访问。本发明用于处理器芯片方便通过并行接口访问外设，降低高速并行接口设计复杂度。
一种基于高速并行接口芯片封装方法

[发明专利]一种TSV转接板制造方法-CN202110665874.9在审
发明人：晋超超;朱天成;候骏马;宋鸿蕾 -专利权人：天津津航计算技术研究所
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSV转接板制造方法，所述方法包括如下步骤：步骤一：在硅板刻蚀TSV孔；步骤二：在TSV孔的侧壁采用等离子增强化学汽相沉积方法淀积绝缘层；步骤三：在绝缘层的外表面沉积一层Ti作为阻挡层，在阻挡层外表面再沉积一层铜作为种子层；步骤四：对步骤三中的TSV孔电镀。本发明解决了现有技术中TSV深孔制造工艺的技术难题。
一种 tsv 转接制造方法

[发明专利]一种LDO过流保护电路-CN202110667485.X在审
发明人：晋超超;朱天成;候骏马;宋鸿蕾 -专利权人：天津津航计算技术研究所
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G05F1/573 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDO过流保护电路，包括：过流保护结构和电流折返结构；其中，所述过流保护结构和所述电流折返结构相连接；所述过流保护结构通过电流镜构成的环路箝位最大输出电流，所述电流折返结构采用误差放大器构成的负反馈环路产生与输出电压成比例的电流折返输出电流，通过调节电流折返结构的外部电阻能够调节过流限与折返点电压，从而避免稳压器产生闩锁。本发明与传统过流限结构相比，可降低功耗，保护功率管不被烧毁；与传统折返式相比，可以通过调节外部电阻方便地调节过流限与折返点电压，从而避免闩锁。
一种 ldo 保护电路

[发明专利]一种防止真空封装开帽破解的微系统芯片-CN202011109006.4在审
发明人：朱天成;张楠;候俊马;宋鸿蕾;徐艺轩 -专利权人：天津津航计算技术研究所
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G06F21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种防止真空封装开帽破解的微系统芯片，属于微系统设计技术领域。本发明针对真空封装微系统芯片存在被开盖破解内部核心数据的问题，利用高效、小体积太阳能电池的光感应原理和瞬时输出高电压特性，实现对真空封装器件破解的探测，并同时实现对Flash等核心数据的高压销毁，保证微系统芯片的核心数据安全。本发明可以实现对真空封装是否被开帽的快速探测；能够高效自动产生可以销毁核心存储数据的电压和电流；采用尽可能少的电路和器件，相关产品均采用小型化的设计；适合于多芯片集成封装设计也适用于单芯片的设计，具有较广的适用性。
一种防止真空封装破解系统芯片

[发明专利]一种三维集成封装方法-CN201911108465.8在审
发明人： 宋鸿蕾 -专利权人：天津津航计算技术研究所
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维集成封装方法，其中，包括：第一圆片层、第二圆片层、第三圆片层、第四圆片层、芯片一、芯片二以及芯片三；其中，对各层圆片进行加工，形成凹槽和硅通孔；将芯片一、二贴附在第一圆片层的凹槽内，将芯片三贴附在第三圆片层的凹槽上；对第一圆片层和第二圆片层做低温晶圆键合，并将第三圆片层和键合好的第一圆片层以及第二圆片层做键合；再将第四圆片层和键合好的第三圆片层、第二圆片层以及第一圆片层做键合。本发明可以将不同功能的芯片集成在一起，形成一个单一的芯片，本发明提高了芯片的集成度，减少了芯片的体积。
一种三维集成封装方法

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