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[发明专利]基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法-CN202210387265.6在审
发明人：曹宇;白兰;梁学磊;陈醒醒 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司;太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法。采用含有可降解基团的共轭聚合物分离制备高纯度半导体碳纳米管溶液，并基于此溶液采用微流道两相限域自组装法同时在两片衬底上制备高密度碳纳米管阵列，随后使用弱酸性溶剂将碳纳米管表面包裹的可降解聚合物分解为小分子，经过后续清洗、退火等工序，使其完全从碳纳米管表面去除，得到高半导体纯度、高密度和表面无聚合物包裹的本征碳纳米管阵列，为实现碳纳米管的极限性能奠定了材料基础，有利于碳纳米管电子技术的早日应用。
基于降解聚合物微流道制备纳米阵列方法

[发明专利]一种本征型半导体碳纳米管的制备方法-CN202210387364.4在审
发明人：白兰;曹宇;梁学磊;陈醒醒 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司;太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征型半导体碳纳米管材料的制备方法。通过使用可降解共轭聚合物替代常用的分离聚合物，可实现半导体碳纳米管的分离提纯及表面聚合物的去除。本发明使用的聚合物在保证了半导体碳纳米管的分离产率和高纯度的基础上，在弱酸条件下即可快速降解，分解为小分子，从碳纳米管表面去除，使半导体碳纳米管表现其本征性能。因此，采用本发明的方法可制备得到具有其本征性能的半导体碳纳米管材料，且工艺简单，条件温和，稳定高效，可广泛应用于碳基电子领域。
一种半导体纳米制备方法

[发明专利]一种可降解共轭聚合物、制备方法及应用-CN202210354231.7在审
发明人：白兰;曹宇;梁学磊;陈醒醒 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司;太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C08G12/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种可降解共轭聚合物、制备方法及应用。通过分子结构和合成工艺设计，通过在聚合物主链中引入亚胺键(C＝N)直接与芳杂环连接可保证聚合物主链的共轭结构，保证了半导体碳纳米管的分离产率和高纯度；C＝N键在弱酸条件下可快速降解，使聚合物分解为小分子，从碳纳米管表面去除。采用本发明制备的聚合物可高效分离半导体碳纳米管，并在弱酸性条件下快速从碳纳米管表面去除，得到具有其本征性能的半导体碳纳米管材料，相较于常用的分离半导体碳纳米管用共轭聚合物，不仅能够实现半导体碳纳米管的分离提纯，还能够实现包裹在碳纳米管表面聚合物的去除，工艺简单，可广泛应用于碳基电子领域。
一种降解共轭聚合物制备方法应用

[发明专利]芯片测试装置和芯片测试系统-CN202211364616.8在审
发明人：李若铭;魏楠;许海涛 -专利权人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司;北京华碳元芯电子科技有限责任公司;北京大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开提供了一种芯片测试装置和芯片测试系统。本公开的一些实施例中，芯片测试装置包括：用户交互模块，用于通过提供芯片测试交互界面与用户交互芯片测试指令和芯片测试数据，测试数据包括用于指示芯片测试结果的芯片测试报告和/或用于指示实时测试情况与数据采集情况的芯片测量数据；硬件交互模块，用于近程和/或远程地访问测量设备以与测量设备交互芯片测试指令与芯片测量数据；数据处理模块，用于利用来自硬件交互模块的芯片测量数据生成芯片测试报告并提供给用户交互模块。本公开的芯片测试装置和芯片测试系统可方便用户随时随地操控各类芯片的测试过程和直观清晰地查看芯片测试过程中的数据和芯片测试的结果。
芯片测试装置系统