专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]注入调制器-CN201580049944.0有效
  • 斯特凡·梅斯特;奥斯·阿尔-萨阿迪;塞巴斯蒂安·库皮贾伊;克里斯多佛·泰斯;李翰尧;拉尔斯·齐默尔曼;大卫·斯托拉雷克 - 柏林工业大学;斯科雅有限公司
  • 2015-09-21 - 2018-04-10 - G02F1/225
  • 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10),所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30),所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110,210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移,并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中,其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明,所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时,所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上,并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中,每个半导体部分(110,210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸,并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。
  • 注入调制器

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