专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种人员佩戴电子监控终端-CN201720634729.3有效
  • 姜林;徐静 - 四川北斗卫星导航平台有限公司
  • 2017-06-02 - 2018-01-23 - G01S19/01
  • 本实用新型公开了一种人员佩戴电子监控终端,涉及监控定位领域;具体包括音频输入输出设备、音频电路、RF电路、位置传感器整列、处理器、存储控制器、存储器和触敏显示屏;所述的音频输入输出设备通过外部I/O端口与处理器连接,处理器的信号输出端分别与音频电路的信号输入端、RF电路的信号输入端和位置传感器的信号输入端相连,并接收其信号,处理器通过存储控制器与存储器连接,处理器的信号输出与触敏显示屏相连,并接受来自触敏显示屏的信号;本实用新型提供一种定位精度高,反应灵敏的人员佩戴电子监控终端。
  • 一种人员佩戴电子监控终端
  • [发明专利]GaN芯片及其制作方法-CN201710267549.0在审
  • 何宏波;徐静 - 四川北斗卫星导航平台有限公司
  • 2017-04-21 - 2017-09-05 - H01L29/20
  • 本发明公开了一种GaN芯片及其制作方法。GaN芯片包括硅衬底、SiN或AlN成核层、掺杂GaN缓冲层、AlN或GaN隔离层、GaN/InGaN/AlN/GaN双异质结和氧化铝栅介质;GaN/InGaN/AlN/GaN双异质结由下至上,依次设置未掺杂GaN缓冲层、AlN势垒层、InGaN势垒层和GaN帽层;SiN或AlN成核层设置在硅衬底的上面,掺杂GaN缓冲层设置在SiN或AlN成核层的上面,AlN或GaN隔离层设置在掺杂GaN缓冲层的上面,氧化铝栅介质设置在GaN帽层的上面。本发明改善了GaN基晶体管的性能,提高了GaN芯片的工作可靠性,应用于可穿戴设备导航芯片,提升了导航精度。
  • gan芯片及其制作方法

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