专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种新型无源浮地型忆阻器电路-CN202310851125.4在审
  • 施阁;吴世恩;林如斌;王晨宇;黄玉清 - 中国计量大学
  • 2023-07-12 - 2023-09-22 - H03K19/0944
  • 本发明公开了一种新型无源浮地型忆阻器电路,整体电路由2个PMOS晶体管(P1P2)、1个NMOS晶体管(N1)和1个电容(C1)构成。当P1、P2、P1的寄生二极管D1P2的寄生二极管D2、N1的寄生二极管D3D4导通后,产生的电流控制电容C1的充电和放电,电容C1上产生周期性变化的电压;N1的衬底和N1的栅极连接,N1上流过的电流由电容C1两端的电压控制。忆阻器电路的阻值可以等效为电路的输入电压和N1上流过的电流之间的比值。本发明中忆阻器电路仅由MOS晶体管和电容两种无源分立器件构成,工作时不需要额外的偏置电压,拥有较高的工作频率和较宽的工作电压范围,结构简单,利于集成。
  • 一种新型无源型忆阻器电路
  • [发明专利]存储器系统-CN202011075598.2在审
  • 吴世恩 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-10-09 - 2021-11-19 - G06F12/0897
  • 本申请公开一种存储器系统,该存储器系统包括:存储介质;第一高速缓存器;第二高速缓存器;以及控制单元,该控制单元适用于:优先或选择性地将与从主机装置接收的写入请求相对应的写入数据存储在第一高速缓存器中;并且响应于从主机装置接收的读取请求,优先或选择性地检查第二高速缓存器。
  • 存储器系统

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