专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种无焊缝焊接结构、加热基座及PECVD设备-CN202223590593.0有效
  • 李仁杰;冯卫东;刘晓刚;刘超 - 合肥微睿科技股份有限公司
  • 2022-12-29 - 2023-10-20 - C23C16/458
  • 本实用新型公开了一种无焊缝焊接结构、加热基座及PECVD设备,属于化学气相沉积领域。它包括本体,本体上开设有上下分布的下底槽和上封槽,所述下底槽开设在上封槽内部,所述加热管设置于下底槽中;所述下底槽和上封槽中分别填充有下盖板和上盖板,所述上盖板和下盖板分体设置,所述下盖板覆盖在加热管上,且所述下盖板的下方开设有与加热管外形适配的第二弧形槽。本实用新型通过将盖板设置为上盖板和下盖板两部分,可以避免一体式的盖板变形较大及与凹槽干涉较多的问题,并通过上盖板和下盖板分别对上封槽和下底槽进行填充,进而避免搅拌摩擦焊中焊缝的产生。
  • 一种焊缝焊接结构加热基座pecvd设备
  • [发明专利]熔射涂层的清洗方法-CN202310813996.7在审
  • 李仁杰;刘晓刚;刘超;冯卫东 - 合肥微睿科技股份有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-09-12 - B08B3/08
  • 本发明属于半导体器件清洗技术领域,涉及熔射涂层的清洗方法。针对现有技术中,半导体领域中熔射涂层的清洗再生,一般是将熔射涂层整体去除,易造成的基体工件损伤,需大气等离子体喷涂作业,维修成本高,工艺复杂耗时的技术问题,本申请提供熔射涂层的清洗方法,去除熔射涂层上的灰尘微粒,保留熔射涂层,方法包括有机酸清洗、研磨和高压水洗,在不剥离熔射涂层的前提下,对熔射涂层上的灰尘微粒清洗效果较好,清洗后的熔射涂层性能和再生方式的熔射涂层几乎无差异,满足性能需求的同时,简化了工艺,降低了熔射涂层的维修成本,延长了半导体工件的使用寿命。
  • 涂层清洗方法
  • [实用新型]一种加热基座及PECVD设备-CN202223590622.3有效
  • 李仁杰;冯卫东;刘晓刚;刘超 - 合肥微睿科技股份有限公司
  • 2022-12-29 - 2023-07-18 - C23C16/46
  • 本实用新型公开了一种加热基座及PECVD设备,属于化学气相沉积领域。它包括本体,其特征在于:所述本体上表面的周向边缘处安装有多个垫块,所述垫块的顶部突出本体表面,用于隔开本体与遮蔽框架;所述本体内部安装有第一加热管和第二加热管,所述第一加热管围设于本体周缘,所述第二加热管位于第一加热管围成的区域内。本实用新型通过在加热基座本体的周缘处设置垫块,可以将加热基座与遮蔽框架隔开,避免因碰撞导致加热基座上的氧化膜受损。
  • 一种加热基座pecvd设备
  • [发明专利]一种碱性蚀刻药液及其制备方法-CN202011214423.5有效
  • 刘晓刚;刘超;许杰 - 合肥微睿科技股份有限公司
  • 2020-11-04 - 2023-01-17 - C23F1/36
  • 本发明公开了一种碱性蚀刻药液及其制备方法,由以下重量份的原料制成:氢氧化钠96.64‑98.86份、络合剂0.04‑0.06份、表面活性剂0.1‑0.3份、四元缓蚀剂1‑3份、去离子水适量。其制备方法,包括以下步骤:(1)将去离子水倒入药液池中;(2)依次向药液池中加入氢氧化钠和络合剂,搅拌均匀;(3)继续向药液池中加入表面活性剂和四元缓蚀剂,搅拌均匀得到碱性蚀刻药液。本发明通过改变药品的配方,添加络合剂和缓蚀剂,添加表面活性剂增强洗涤效果,降低片碱的浓度,延长作业时间。通过这些工艺参数的变更,可以在保证扩孔和Ra符合要求的同时,满足去除毛刺的效果。
  • 一种碱性蚀刻药液及其制备方法

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