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- [实用新型]一种可调显色指数的LED双晶贴片-CN201220309823.9有效
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郑剑飞
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厦门多彩光电子科技有限公司
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2012-06-29
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2013-02-06
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H01L25/075
- 本实用新型涉及LED双晶贴片。本实用新型的一种可调显色指数的LED双晶贴片,包括第一LED芯片、第二LED芯片、承载上述LED芯片的支架、以及包覆上述LED芯片和部分支架的封装体。所述支架上设有放置LED芯片的杯碗、将LED芯片的正负极通过金线引出的正导电脚和负导电脚。所述杯碗内所述杯碗内设有金属热沉、镀银层,所述金属热沉位于镀银层之下并与其在结构上相配合,所述第一LED芯片、第二LED芯片位于镀银层之上并与其在结构上相配合,所述镀银层分别与第一LED芯片、第二LED芯片的正负极连接。所述第一LED芯片和第二LED芯片在支架上的放置呈对称结构,所述第一LED芯片是蓝光LED芯片,第二LED芯片是红光LED芯片,其表面涂覆黄色荧光粉或绿色荧光粉。
- 一种可调显色指数led双晶
- [实用新型]一种贴片LED双晶封装结构-CN201220309742.9有效
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郑剑飞
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厦门多彩光电子科技有限公司
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2012-06-29
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2013-02-06
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H01L25/075
- 本实用新型涉及LED封装结构。一种贴片LED双晶封装结构,包括第一发光芯片、第二发光芯片、支架以及封装体。支架上设有放置第一发光芯片的第一杯碗、放置第二发光芯片的第二杯碗、将第一发光芯片和第二发光芯片的正负极通过导线引出的正导电脚和负导电脚、以及位于第一发光芯片和第二发光芯片位置之间的PPA隔层。第一发光芯片和第二发光芯片的底部分别设有第一镀银层和第二镀银层,其分别与第一发光芯片和第二发光芯片的正负极连接,并与PPA隔层的结构相配合。第一杯碗和第二杯碗内还分别设有第一热沉和第二热沉,其与对应的第一镀银层和第二镀银层的结构相配合。
- 一种led双晶封装结构
- [实用新型]一种5730LED贴片封装结构-CN201220309886.4有效
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郑剑飞
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厦门多彩光电子科技有限公司
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2012-06-29
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2013-02-06
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H01L33/60
- 本实用新型涉及LED的封装结构。本实用新型的一种5730LED贴片封装结构,包括5730LED芯片、承载5730LED芯片的支架、以及包覆所述5730LED芯片和部分支架的封装体。所述支架上设有放置5730LED芯片的杯碗、将5730LED芯片的正负极通过金线引出的正导电脚和负导电脚、以及PPA隔层。所述杯碗内设有金属热沉、镀银层和5730LED芯片,所述金属热沉位于镀银层之下并与其在结构上相配合,所述5730LED芯片位于镀银层之上并与其在结构上相配合,所述镀银层与5730LED芯片的正负极连接,通过金属热沉、镀银层和PPA隔层的配合,将5730LED芯片固定设置于杯碗内。所述镀银层是呈镜面光亮状的镀银层,其厚度范围为100-120㏕。
- 一种5730led封装结构
- [实用新型]一种散热型LED2835双晶封装结构-CN201220309933.5有效
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郑剑飞
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厦门多彩光电子科技有限公司
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2012-06-29
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2013-02-06
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H01L33/60
- 本实用新型涉及LED的封装结构。一种散热型LED2835双晶封装结构,包括第一发光芯片、第二发光芯片、承载第一发光芯片和第二发光芯片的支架、以及包覆发光芯片和部分支架的封装体。支架设有金属热沉、镀银层以及PPA隔层,金属热沉和镀银层的结构相配合,且金属热沉置于镀银层之下,PPA隔层将该金属热沉以及镀银层隔成四部分:第一热沉、第二热沉、第三热沉和第四热沉,以及第一镀银层、第二镀银层、第三镀银层和第四镀银层。第一镀银层形成放置第一发光芯片的第一杯碗,第二镀银层形成放置第二发光芯片的第二杯碗,第一镀银层和第三镀银层通过导线分别连接第一发光芯片的正电极和负电极,第二镀银层和第四镀银层通过导线分别连接第二发光芯片的正电极和负电极。
- 一种散热led2835双晶封装结构
- [实用新型]LED半导体散热支架-CN201220216869.6有效
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郭盛辉
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厦门多彩光电子科技有限公司
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2012-05-15
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2012-12-12
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H01L33/64
- 本实用新型涉及LED支架。一种LED半导体散热支架,该支架设有:放置LED芯片的杯碗、将LED芯片的正负极通过导线引出的正负导电脚、以及包覆上述正负导电脚的PPA材质的基座,所述基座内设有半导体散热回路和散热片,所述半导体散热回路设于散热片上面。所述半导体散热回路包括铜基板、第一导热片、第一金属导体、n型半导体、p型半导体、第二导热片、第二金属导体、第三金属导体、第三导热片、散热回路正电极和散热回路负电极。当散热回路正电极和散热回路负电极分别连接直流电源的正负两极时,电子从电源的负极出发,依次流过第三金属导体、p型半导体、第一金属导体、n型半导体和第二金属导体,最后回到电源正极。本实用新型应用于LED半导体的散热。
- led半导体散热支架
- [实用新型]可调色温和显指的白光LED-CN201220175967.X有效
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郭盛辉
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厦门多彩光电子科技有限公司
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2012-04-24
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2012-12-12
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F21S2/00
- 本实用新型涉及发光二极管。本实用新型一种可调色温和显指的白光LED,包括基座、散布有黄色荧光粉的封装体、以及设于基座和封装体内部的LED单元回路;其特征在于:所述LED单元回路包括:电源;白光控制回路以及与其电连接的蓝光LED芯片组;红光控制回路以及与其电连接的红光LED芯片组;绿光控制回路以及与其电连接的绿光LED芯片组;所述电源通过白光控制回路、红光控制回路和绿光控制回路分别为蓝光LED芯片组、红光LED芯片组和绿光LED芯片组提供驱动电流;所述基座与蓝光LED芯片组、红光LED芯片组、绿光LED芯片组电性连接。本实用新型应用于发光二极管的可调色温和显指。
- 调色温和白光led
- [发明专利]一种高效LED点胶涂覆方法-CN201210250161.7有效
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郑剑飞
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厦门多彩光电子科技有限公司
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2012-07-19
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2012-10-31
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B05D1/26
- 本发明涉及LED的荧光胶涂覆方法。本发明的一种高效LED点胶涂覆方法,包括荧光胶的制作和点胶工艺,包括以下步骤:步骤1:将荧光粉和配胶混合均匀,制作成粘度在100-8000Pa.s范围内的荧光胶;步骤2:将步骤1制成的荧光胶进行脱泡,直至荧光胶中没有气泡冒出为止;步骤3:将步骤2制成的荧光胶倒入点胶涂覆机的点胶筒里,通过该点胶涂覆机上的控制程序设置点胶步骤,并进行点胶;其中,点胶针头的针嘴壁厚范围是0.02-0.10mm;点胶用的支架盖板的厚度范围是0.3-0.5mm;步骤4:烘烤,根据不同荧光胶的粘度选择进烤时间,最长进烤时间不超过15min。本发明应用于LED点胶工艺的改进。
- 一种高效led点胶涂覆方法
- [发明专利]LED半导体散热支架-CN201210149557.2无效
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郭盛辉
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厦门多彩光电子科技有限公司
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2012-05-15
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2012-08-15
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H01L33/64
- 本发明涉及LED支架。一种LED半导体散热支架,该支架设有:放置LED芯片的杯碗、将LED芯片的正负极通过导线引出的正负导电脚、以及包覆上述正负导电脚的PPA材质的基座,所述基座内设有半导体散热回路和散热片,所述半导体散热回路设于散热片上面。所述半导体散热回路包括铜基板、第一导热片、第一金属导体、n型半导体、p型半导体、第二导热片、第二金属导体、第三金属导体、第三导热片、散热回路正电极和散热回路负电极。当散热回路正电极和散热回路负电极分别连接直流电源的正负两极时,电子从电源的负极出发,依次流过第三金属导体、p型半导体、第一金属导体、n型半导体和第二金属导体,最后回到电源正极。本发明应用于LED半导体的散热。
- led半导体散热支架
- [发明专利]一种适用于倒装芯片的点胶方法-CN201210107843.2无效
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郭盛辉
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厦门多彩光电子科技有限公司
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2012-04-13
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2012-08-15
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H01L33/50
- 本发明涉及适用于倒装芯片的点胶方法。本发明的一种适用于倒装芯片的点胶方法,包括以下步骤:步骤A:制作固化胶粒:将AB胶与占AB胶重量百分比7%-15%的荧光粉混合均匀,制成液态的荧光胶;步骤B:将步骤A制成的液态的荧光胶脱泡处理并密封后,经十五摄氏度以下的低温速冻成为固态的荧光胶;步骤C:对步骤B制成的固态的荧光胶进行切割:将该固态的荧光胶放入充满低温氮气的氛围中进行切割,切割成大小均匀的颗粒,上述过程中的低温氮气的温度在负五摄氏度以下,将上述颗粒密封后放置于温度为负十五摄氏度以下的环境保存;步骤D:将步骤C制成的大小均匀的颗粒放入已固好倒装芯片的灯杯中,经烘烤成型。
- 一种适用于倒装芯片方法
- [发明专利]一种提高发光二极管显色指数的固晶方法-CN201210107738.9无效
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郭盛辉
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厦门多彩光电子科技有限公司
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2012-04-13
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2012-08-15
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H01L33/00
- 本发明涉及一种发光二极管的固晶方法。本发明的一种提高发光二极管显色指数的固晶方法,包括以下步骤:步骤A:对待进行固晶的支架烘烤除湿;步骤B:将除湿后的支架放进固晶机,进行第一波段蓝光芯片的固晶,具体是:首先使用固晶机在待固第一波段蓝光芯片的位置点上一定量的固晶胶,然后在点好固晶胶的位置放上第一波段蓝光芯片,然后将固好第一波段蓝光芯片的产品进行短烤,使其初步固化;步骤C:将步骤B经过短烤初步固化的产品放入固晶机,进行第二波段蓝光芯片的固晶;步骤D:将步骤C经过长烤完全固化的产品放入焊线机,用金属线将上述步骤中进行固晶的每颗蓝光芯片与支架上的下层电路电性连接。本发明应用于发光二极管的固晶。
- 一种提高发光二极管显色指数方法
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