专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光催化剂装置-CN201911118900.5有效
  • 原园丰洋;染井润一 - 卡鲁泰格株式会社
  • 2019-11-15 - 2023-04-07 - B01D53/86
  • 本发明提供更紧凑地构成的光催化剂装置。光催化剂装置(1)具备:框体(110),包括第一吸入口(114F)和与第一吸入口(114F)成直角地形成的排出口(114L);光催化剂片(120),配置在框体(110)的内部;灯(130),用于向光催化剂片(120)照射光;以及风扇(150),用于将从第一吸入口(113F)吸入的空气通过光催化剂片(120)输送到排出口(113L)。
  • 光催化剂装置
  • [发明专利]除臭装置-CN201911118793.6在审
  • 原园丰洋;染井润一 - 卡鲁泰格株式会社
  • 2019-11-15 - 2020-10-20 - A61L9/18
  • 本发明提供除臭装置,即便以多种姿势放置也能够利用。提供一种除臭装置(100),具备:形成有吸入口(114F、114B)和排出口(114L)的框体(110);配置在框体(110)的内部的除臭用的部件(120、140);配置在框体(110)的内部的灯(130);以及配置在框体(110)的内部的风扇(150)。在框体(110)的形成有吸入口(114F、114B)的面,形成有从端部至少到达吸入口(114F、114B)的凹部。
  • 除臭装置
  • [发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201010260783.9无效
  • 田尻雅之;桥本尚义;米元久;原园丰洋 - 夏普株式会社
  • 2010-08-19 - 2011-03-30 - H01L21/76
  • 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置,特别是涉及一种能够形成特性良好的高耐压晶体管的元件隔离膜的形成方法。首先在基板上预先形成栅极氧化膜(102),然后在其上形成CMP阻挡膜(104)后,对栅极氧化膜和CMP阻挡膜进行蚀刻,通过蚀刻半导体基板形成沟槽(108)。另外,在以场绝缘膜填充沟槽内部之前,在沟槽内壁上形成衬垫绝缘膜(112),利用衬垫绝缘膜掩埋CMP阻挡膜下方的栅极氧化膜侧面的凹陷部分,由此能够抑制在栅极氧化膜侧方的元件隔离膜上形成空隙。
  • 半导体装置制造方法

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