专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110733061.9在审
  • 前田秋生;石原典隆;福本敦之;山阪司祐人 - 铠侠股份有限公司
  • 2021-06-30 - 2022-09-27 - H01L27/1157
  • 实施方式提供一种能够形成适合用来将半导体层内的金属原子去除的层的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包含如下步骤:在衬底上形成包含多个金属原子的半导体层;及在所述半导体层上形成包含多个硅原子及多个氮原子的第1层。所述方法还包含如下步骤:使所述半导体层内的所述金属原子的至少一部分向所述第1层内移动;及在使所述半导体层内的所述金属原子的至少一部分移动到所述第1层内之后,将所述第1层去除。进而,所述第1层内的氮原子的个数相对于硅原子及氮原子的个数的比率小于4/7。
  • 半导体装置制造方法

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