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[发明专利]液晶像素单元、显示电路、透射式和反射式液晶显示器件-CN202210759443.3在审
发明人： 刘碧录;张泽豪;丁宝福;黄子阳;兰天姝 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶像素单元、显示电路、透射式和反射式液晶显示器件，通过金属电极对液晶盒施加电场，液晶盒内的无机液晶具有较大的电光科尔系数，在相同电场强度下可以达到较大双折射率，从而实现较大的相位偏转，无需在无机液晶层内加入微球和定向层，金属电极设置在液晶盒的两侧，入射光的光路方向与电场方向垂直，金属电极不会阻挡光路，无需使用透明电极，结构简单，降低了工艺复杂度，大幅减少成本。
液晶像素单元显示电路透射反射液晶显示器件

[发明专利]掺杂型过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和应用-CN202110481322.2有效
发明人： 刘碧录;赖泳爵;蔡正阳 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了掺杂型过渡金属硫族元素化合物薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：提供衬底，衬底的内部具有过渡金属源，所述衬底的表面具有异质金属源；将硫族元素源与所述衬底接触，在保护性气氛中加热，发生化学气相沉积反应，得到掺杂型过渡金属硫族化合物薄膜。过渡金属源在加热处理过程中，从衬底中不断扩散并从衬底的表面析出。析出的过渡金属源与硫族元素源在保护性气氛中发生化学气相沉积反应，而异质金属源在过渡金属硫族化合物的生长过程中嵌入晶格，得到掺杂的样品。本方法所采用的双面反应源供给策略提升了对掺杂的金属元素浓度的调控能力，并解决了单面源模式下多种金属元素掺杂时的普适性问题。
掺杂过渡金属化合物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种二维过渡金属硫化物及其制备方法和应用-CN202210534757.3在审
发明人： 刘碧录;吴沁柯;农慧雨;王经纬;成会明 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维过渡金属硫化物及其制备方法和应用。本发明的二维过渡金属硫化物的制备方法，包括以硫源和过渡金属源为制备原料在衬底上进行化学气相沉积反应；硫源为块体硫；过渡金属源包括钼源和钨源中的至少一种。本发明提供的制备方法具有可控性、可重复性强，能够获取缺陷密度低、晶体质量高的二维过渡金属硫化物等优点。本发明还提供了上述制备方法制得的二维过渡金属硫化物及其应用。
一种二维过渡金属硫化物及其制备方法应用

[发明专利]一种电催化剂及其制备方法和应用-CN202110255260.3有效
发明人： 刘碧录;罗雨婷;张致远 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C25B11/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种电催化剂及其制备方法和应用，该电催化电极包括导电非催化活性支撑件和若干电催化活性单元，各电催化活性单元设于导电非催化活性支撑件的表面，且呈周期性阵列分布。该电催化剂上的电催化活性单元通过采用周期性阵列分布，使得对电催化剂施加外电压时，电催化活性单元可自发地发生电场增强效应，从而可提高电催化性能，同时可减少电催化活性材料的用量。
一种催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用-CN202210466956.5在审
发明人： 刘碧录;吴沁柯;农慧雨;唐磊;成会明 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明属于二维半导体材料技术领域，提供了一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用，本发明通过采用过渡金属氧化物和碘盐作为过渡金属元素源，将硫族元素源与过渡金属元素源在保护气体的氛围下，在衬底上进行化学气相沉积反应，本发明的制备方法可在不超过一分钟的时间内制得晶畴尺寸为10～600μm的过渡金属硫族化合物薄层材料，厚度为0.7～20nm，缺陷浓度不超过1.5×1012个/cm2，形貌良好，均匀性好，光学、电学等性能优异，可以应用于微纳结构器件、光学器件、光电器件、化学生物传感器或电化学催化等领域。
一种过渡金属化合物薄层材料及其制备方法应用

[发明专利]一种单原子材料、及其制备方法和用途-CN201910517151.7有效
发明人： 刘碧录;罗雨婷 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明涉及一种单原子材料、及其制备方法和用途。所述方法包括如下步骤：采用等离子体处理前驱物，得到单原子材料，所述单原子材料中的元素包含金属元素。本发明创造性地提出采用等离子体制备含金属元素的单原子材料，通过控制通入的反应气氛的气体种类和流量、反应时间和温度，实现一系列单原子材料的可控制备；本发明的制备方法可以实现单一元素的单原子和多种元素的单原子制备；采用本发明的单原子材料作为析氢电催化剂，能够同时适用于催化酸性和碱性体系进行电解水析氢，产氢时电流密度可达到2A/cm2，从而能够更好地适应工业水平的大电流密度电解水产氢。
一种原子材料及其制备方法用途

[发明专利]一种基于褶皱型二维材料的存储器件及其制备方法与应用-CN202111401316.8在审
发明人： 刘碧录;张荣杰;成会明 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于褶皱型二维材料的存储器件及其制备方法与应用。所述存储器件包括基底，基底上设有带褶皱结构的二维材料层，其中，二维材料层通过聚合物层转移到基底上，褶皱结构的形成过程包括如下步骤：使二维材料层贴合于聚合物层与基底之间，先经热处理，再骤冷处理，聚合物层与基底的热膨胀系数不同。本发明通过热处理和骤冷处理相结合，利用聚合物与基底的热膨胀系数不同，在二维材料层上形成褶皱结构。基于该类褶皱型二维材料所制备的存储器件具有多重阻态、存储窗口大、开关比高、稳定性高和重复性好的优点。本发明材料制备方法简单、存储器件结构简单，仅利用单层材料即可实现存储功能，进一步提升了系统的可集成度。
一种基于褶皱二维材料存储器件及其制备方法应用

[发明专利]聚合物辅助制备二维材料及其复合材料的方法-CN202010102045.5有效
发明人： 刘碧录;杨柳思;谭隽阳;张弛;成会明 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物辅助制备二维材料及其复合材料的方法，该制备二维材料的方法包括以下步骤：S1、取聚合物溶液和层状材料混合后进行研磨得到二维材料/聚合物复合材料，所述聚合物溶液的黏度为500～500000mPa·s，所述聚合物溶液包括聚合物和溶剂；S2、滤除所述二维材料/聚合物复合材料中的聚合物，得到二维材料。本发明实施例提供的方法可实现高质量二维材料的大规模可控制备，操作方便，工艺流程简单快捷，适用于产业化生产，制备所得的二维材料具有片径大、厚度薄的优势，实现高质量标准的同时，保证了高产量。
聚合物辅助制备二维材料及其复合材料方法

[发明专利]层状二维材料层间限域金属或金属化合物的复合材料、其制备方法及用途-CN201810353508.8有效
发明人： 刘碧录;罗雨婷 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明公开了一种层状二维材料层间限域金属或金属化合物的复合材料、其制备方法及用途。所述复合材料包括层状二维材料，及限域在所述层状二维材料的层与层之间的金属或金属化合物。所述方法包括：1)对层状二维材料进行锂化处理，得到锂化的层状二维材料；2)将干燥的锂化的层状二维材料、金属盐与溶剂混合，密封于反应釜中，水热反应，得到层状二维材料层间限域金属或金属化合物的复合材料。利用本发明的制备方法能实现一系列二维材料层间限域金属及金属化合物的复合材料的可控制备，而且，制得的复合材料尤其是二维二硫化钼层间限域金属氢氧化物的复合材料作为析氢催化剂具有电催化活性高、稳定性好的优点，在电解水产氢领域具有应用前景。
层状二维材料层间限域金属化合物复合材料制备方法用途

[发明专利]忆阻器制备方法、忆阻器及设备-CN202110780449.4在审
发明人： 刘碧录;陈文骏;张荣杰;郑荣戌 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种忆阻器制备方法、忆阻器及设备，其中，忆阻器制备方法包括：根据预设导电材料制备得到第一电极、第二电极；在第一电极的表面上设置介质层，其中，介质层为Bi2O2Se层；将第二电极转移至介质层远离第一电极一侧的表面上，以得到垂直结构忆阻器。本申请的忆阻器制备方法制备得到的忆阻器，能够降低忆阻器的面积，更利于集成度和兼容性的提高，并且，通过本申请制备方法制备得到的忆阻器具备单极性导电窗口。
忆阻器制备方法设备

[发明专利]光学各向异性水凝胶、制备方法及其生产系统和光学器件-CN202010391122.3在审
发明人： 刘碧录;曾鹏源;丁宝福;潘意坤 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C08J3/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学各向异性水凝胶、制备方法及其生产系统和光学器件。该光学各向异性水凝胶包括水凝胶和在所述水凝胶中定向排列的磁性材料，所述磁性材料在可见光或近红外波段的吸收系数小于3L·g‑1·cm‑1。磁性材料在水凝胶中定向排列并且具有较高的透射率，形成的材料具有均匀性良好且双折射率简单可调的特点，易于实现光强度和相位差的调制，并表现出良好的力学性能，在形变下也能改变内嵌磁性材料的朝向，具有各向异性简单可控的优势，在光学器件如光学波片、滤光器、光衰减器、防伪元件、力致变色材料中具有广泛的应用前景。
光学各向异性凝胶制备方法及其生产系统器件

[发明专利]一种非层状硒化锰纳米片及其制备方法-CN202110719806.6在审
发明人： 刘碧录;王经纬;贺丽琼 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种非层状硒化锰纳米片及其制备方法，该制备方法包括：将硒粉末置于管式炉的第一温区；将氯化锰粉末和氯化钠粉末混合成混合粉末，而后将其置于管式炉的第二温区；将云母衬底置于混合粉末的上方或管式炉内载气流向的下游；而后向管式炉内通入惰性气体和氢气作为载气，将第一温区的温度升至200～250℃，第二温区的温度升至590～650℃，进行保温反应。以上制备方法工艺简单、易于操作，制备成本低，合成速度快，可通过反应参数的调控实现厚度和形貌可控的大面积非层状硒化锰纳米片的制备，所得非层状硒化锰纳米片在云母衬底上均匀分布。
一种层状硒化锰纳米及其制备方法

[发明专利]一种六方氮化硼材料及其制备方法和转移方法-CN201910118080.3有效
发明人：康飞宇;刘佳曼;刘碧录 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种六方氮化硼材料及其制备方法和转移方法。所述制备方法包括：将金属衬底卷曲于管子内，置于化学气相沉积装置中，并通入载气，对反应前驱体进行化学气相沉积，在所述金属衬底表面得到所述六方氮化硼材料。所述转移方法包括：将第一膜材料溶液涂抹在生长有六方氮化硼材料的金属衬底上，进行溶剂挥发，用刻蚀液刻蚀掉金属衬底，并用第二膜捞起负载有所述六方氮化硼材料的第一膜，得到转移后的六方氮化硼膜。本发明提供的六方氮化硼材料为二维薄膜，面积可达25cm2，厚度仅为0.7‑0.8nm，在燃料电池、液流电池等领域有广阔的应用前景。
一种氮化材料及其制备方法转移

[发明专利]一种过渡金属硫化物薄膜及其制备方法和应用-CN202110458369.7在审
发明人：成会明;唐磊;农慧雨;滕长久;刘碧录 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属硫化物薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括：制备厚度大于或等于100nm的过渡金属前驱体薄膜；而后将过渡金属前驱体薄膜置于700～850℃条件下，在包括体积流量比为(1～2)：1的氢气和硫化氢的混合气体作用下硫化反应60～120min。通过以上方法可通过控制制备过程的工艺参数实现对产品薄膜中硫含量沿垂直于薄膜表面的方向分布的有效控制，进而实现晶圆级过渡金属硫化物薄膜的制备和组分控制，其工艺简单，易于操作，具有可控性、可重复性、工艺兼容性，适于工业化生产。
一种过渡金属硫化物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种碳/二硫化钽异质结材料及其制备方法和应用-CN201810909700.0有效
发明人： 刘碧录;余强敏;蔡正阳;刘佳曼 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳/二硫化钽异质结材料及其制备方法和应用，所述材料由二硫化钽纳米片生长在碳基衬底上，二者接触的界面形成碳/二硫化钽异质结。本发明利用两温区化学气相沉积法在经过预氧化处理的碳基衬底生长得到碳/二硫化钽异质结材料，所制备的碳/二硫化钽异质结具有良好的电催化析氢活性，在10mA/cm‑2的电流密度下的过电位约为160mV，低于其他半导体性二维材料，并且可直接应用于电催化析氢反应，无需额外导电衬底，便于实际操作和应用。本发明整个制备过程简单、可控，同时降低了生产成本，具有良好的应用前景。
一种硫化钽异质结材料及其制备方法应用