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[发明专利]一种桌面型回旋加速器主磁铁盖板局部加厚漏磁抑制结构-CN202311110427.2在审
发明人：边天剑;陆锦荣;安世忠;管锋平;魏素敏;邢建升;王飞;陈忻禹;凌丽 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H05H7/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种桌面型回旋加速器主磁铁盖板局部加厚漏磁抑制结构，该主磁铁盖板局部加厚漏磁抑制结构在原有的主磁极上盖板的上表面和主磁极下盖板的下表面针对磁通密度高的盖板位置进行针对性的局部加厚；所述进行针对性的局部加厚，既是针对磁通密度高的盖板位置，选择与之相适合的对应形状的凸台覆盖漏磁比较严重的区域。本发明通过通过主磁铁盖板局部加厚漏磁抑制结构，解决了桌面型回旋加速器磁场饱和程度高，导致对外，通常会产生较大的漏磁场，漏磁场会影响加速器外围部件的运行产生影响的问题。由于凸台的面积只是整个上盖板或下盖板面积的不到二分之一，在保证漏磁达标的情况下，实现了尽量少增加主磁铁重量。
一种桌面回旋加速器磁铁盖板局部加厚抑制结构

[发明专利]一种通过轴向垫补调节磁场的桌面型回旋加速器镶条结构-CN202311110429.1在审
发明人：边天剑;邢建升;朱鹏飞;刘杰;王飞;凌丽;陈忻禹;陆锦荣;安世忠;管锋平;魏素敏 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H05H7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过轴向垫补调节磁场的桌面型回旋加速器镶条结构，其特点是：该镶条结构在设计阶段进行预垫补，预垫补在磁极侧面上进行、且预垫补后镶条尾部区域的侧面和磁极侧面平行、且镶条尾部区域的宽度和镶条尾部的厚度是此消彼长的关系，镶条尾部的厚度以不超过磁极上表面为准；该镶条结构在加工阶段通过改变镶条的高度调节磁场的大小；该镶条结构的宽度可调，且宽度不超过设定范围，通过改变设定范围内镶条的宽度，改变镶条在高度方向的垫补变化量。本发明在高度方向垫补使磁极尾部无需再角向展宽来提高平均磁场，为谷区的高频加速腔节约了空间。本发明由于镶条的角宽度在设计阶段就已经固化，高频加速腔可以同步进行设计与加工。
一种通过轴向垫补调节磁场桌面回旋加速器结构

[发明专利]一种用于桌面型回旋加速器的内杆直连结构高频腔体-CN202311110422.X在审
发明人：王亚晴;纪彬;邢建升;边天剑;凌丽;魏俊逸;管锋平;张庭锋 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H05H7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于桌面型回旋加速器的内杆直连结构高频腔体，包括谐振腔外壳体、布设在该谐振腔外壳体内的：180度对称布设且位于加速器中心平面以上的和以下的各2个上内杆、它们各自朝向加速器中心平面的一端还分别设有一对上三角形加速电极Dee板，其特点是：该2个上内杆1和上内杆连接件2、以及2个下内杆1和下内杆连接件2、以及两个大圆筒均伸出加速器上盖板和下盖板以外，其在加速器中心平面一侧伸出的高度接近加速器中心平面到上盖板或下盖板的总高度的一倍；本发明能满足使用一台功率源的前提，既不需要占用中心区狭小的空间，同时两个腔体内杆部分的外导体相连可以为腔体构造更大的容积，从而降低了谐振频率也提高了腔体的品质因数。
一种用于桌面回旋加速器内杆直连结构高频

[外观设计]老板桌-CN202330256403.2有效
发明人：凌丽 -专利权人：上海信亚家具有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：老板桌。2.本外观设计产品的用途：用于办公家具使用的老板桌。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
老板桌

[发明专利]多功能标签装置、标签搜寻系统、标签配对方法及标签系统-CN202210294822.X在审
发明人：凌庆东;凌丽 -专利权人：凌庆东;凌丽
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06K7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多功能标签装置，其包括一标签读取单元以及一标签配对单元。所述标签读取单元用于读取复数标签，所述复数标签包含至少一第一类标签及至少一第二类标签。所述标签配对单元与所述标签读取单元电性连接，用于根据读取所述复数标签并产生至少一配对信息。大幅度减少现有技术中用人力抄写或用计算机打字的方法建立不同种类的标签之间的关联。
多功能标签装置搜寻系统配对方法

[发明专利]一种水冷系统与真空夹持系统共用空间的靶站结构-CN202310519120.1在审
发明人：赵黎杰;宋国芳;邢建升;冀鲁豫;凌丽 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H05H6/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种水冷系统与真空夹持系统共用空间的靶站结构，包括靶架、靶基、真空夹持机构、直线气缸、水冷管道；其特点是：所述真空夹持机构设有一对”L”型通孔，该一对”L”型通孔向下通向靶基上表面的水槽，该一对”L”型通孔和靶基上表面的水槽紧密贴合形成了分时占用且共用的密封空间，该分时占用且共用的密封空间为抽真空空间和水冷空间。本发明将真空加持头内的“L”型通道、靶基上的“船”型水槽、以及分别布设在真空加持头和靶基上的密封圈有机结合起来，形成了一个密闭的水冷通道和密闭的抽真空通道、将靶站整体高度降低将近二分之一，并且结构简化、减少成本和物料、减少错误发生率。
一种水冷系统真空夹持共用空间结构

[发明专利]一种强流负氢多峰场射频离子源引出结构-CN202310395595.4在审
发明人：贾先禄;农竹杰;张贺;丁傲轩;李鹏展;郑侠;凌丽;管锋平 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种强流负氢多峰场射频离子源引出结构，该引出结构设有沿着轴向依次布设在离子源腔体底部的等离子体电极、吸极、吸极磁铁、吸级挡板、等离子体电极固定件、吸极固定件、地电级；所述等离子体电极开孔的入口侧设有一张角倾斜面，该张角倾斜面上表面镀有参硼金刚石薄膜用于负氢离子的面产生；该吸级用于改善负氢离子引出的包络形状，使得该包络形状即不发散也不收缩；所述吸极磁铁用于导引负氢离子引出的轨道为直线轨道；本发明通过在引出结构等离子体电极上增加倾角面，提高了产额；通过设计吸极的厚度、以及其与等离子体电极的轴向距离，在避免击穿的条件下使得吸极磁场和等离子体电极上表面的过滤磁场最高点实现叠加，提高了产额。
一种强流负氢多峰场射频离子源引出结构

[发明专利]一种适应于自动铺放的三级纠偏机构-CN202310600053.6在审
发明人：张翀;李寅;王洁;凌丽;董子玉;王亚辉;叶正茂;张婷玉;邓竞科;王增刚 -专利权人：航天材料及工艺研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B65H23/032 文献下载
摘要：本发明涉及了一种适应于自动铺放的三级纠偏机构，包括：安装板上安装有Ⅰ级纠偏单元、送进单元、Ⅱ级纠偏单元、Ⅲ级纠偏单元、辊压单元和收膜单元，预浸布带依次绕过各单元。其中Ⅰ级纠偏单元、Ⅱ级纠偏单元和Ⅲ级纠偏单元通过直线运动改变预浸布带的位置。本发明用于解决异型构件自动铺放时，布带连续传输不稳定且形变和受力不均匀引起的布带跑偏实时纠偏问题，可实现异型构件自动铺带时预浸布带在初始、传输和辊压状态的三级纠偏，具有低成本、结构紧凑、能耗低，以及调节方便、维护简单、实用等特点。
一种适应自动三级纠偏机构

[发明专利]一种基于模压高硅氧铣磨的切削参数与刀具参数匹配方法-CN202010323670.2有效
发明人：张翀;凌丽;叶正茂;王琦;袁松梅 -专利权人：航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于模压高硅氧铣磨的切削参数与刀具参数匹配方法，步骤一，根据金刚石磨粒的粒度、浓度以及切削参数、刀具参数建立单颗金刚石磨粒的最大压入深度模型；步骤二，基于最大压入深度模型结合刀具参数，分别建立切削抗力和进给抗力的理论模型；步骤三，基于最大压入深度模型，建立切屑体积模型；步骤四，建立刀具的容屑空间模型；步骤五，通过比较刀具容屑空间模型和切屑体积模型，判定切削参数与刀具参数是否匹配，若匹配则确定切削参数和刀具参数；否则，调整刀具参数/切削参数，从步骤一开始执行，直至二者匹配。
一种基于模压高硅氧铣磨切削参数刀具匹配方法

[发明专利]一种不开盖切换工作状态的相位选择器-CN202310455841.0在审
发明人：赵黎杰;宋国芳;邢建升;冀鲁豫;凌丽 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H05H13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种不开盖切换工作状态的相位选择器，包括布设在加速器盖板以上的抬升装置、磁屏蔽装置；布设在加速器盖板以上和以下的驱动装置、布设在加速器盖板以下的传动机构、相位选择器、以及向上连接驱动装置和向下连接传动机构的总体框架；该传动杆一部分布设在真空外面、用以连接旋转电机；一部分布设在真空里面、用以连接传动中枢；且该传动杆通过传动机构分别控制两个相位驱动器、使两个相位驱动器各自运动且相不受影响；本发明用一根传动杆代替二根传动杆，实现了传动杆圆周最小尺寸，且一根传动杆来分别控制两个相位驱动器、使两个相位驱动器各自运动且不受影响，避免了因传动杆圆周尺寸大、容易在大气和真空衔接处产生漏真空的难题。
一种不开盖切换工作状态相位选择器

[发明专利]一种长寿命多灯丝强流负氢多峰场离子源-CN202310557621.9在审
发明人：张贺;王景峰;贾先禄;农竹杰;丁傲轩;郑侠;凌丽;贾心琦;颜利华;方明阳;马楚韵 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H05H7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种长寿命多灯丝强流负氢多峰场离子源，包括：离子源灯丝、离子源上盖板、离子源灯丝杆、离子源内腔体、离子源外腔体、位于离子源内腔体和离子源外腔体之间的永磁铁阵列、离子源引出结构、位于该永磁铁阵列第二层和最底层以及离子源引出结构的离子源复合结构过滤场；所述离子源复合结构过滤场为磁场增厚设计的离子源复合结构过滤场，该磁场增厚设计的复合结构过滤场在过滤场最高点叠加磁场且过滤快电子；所述离子源灯丝为螺旋状四灯丝结构；所述离子源引出结构为在40kV高压下引出高于30mA负氢流强的离子源引出结构；本发明通过增强磁场强度、增厚磁场厚度的方法，解决了现有技术因为过滤磁场偏薄、偏小、导致产额不能提高的问题。
一种寿命灯丝强流负氢多峰场离子源

[发明专利]一种对回旋加速器平均场与一次谐波误差同时垫补的方法-CN202310544687.4在审
发明人：陆锦荣;安世忠;边天剑;陈忻禹;王飞;凌丽 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提出了一种对回旋加速器平均场与一次谐波误差同时垫补的方法，包括：通过有限元模型仿真计算出回旋加速器主磁场垫补矩阵A,该A为涵盖了所有基于有限元模型计算对各个磁极各个切削点进行切削所引起的等时性误差和一次谐波误差函数关系的垫补矩阵A；解垫补方程：，该总误差矩阵b包括每个切削点的平均场变化矩阵和一次谐波变化矩阵β；该垫补矩阵A为根据有限元模型计算得到的反应主磁极每个切削点切削所引起磁场变化函数关系的垫补矩阵A；X为切削量矩阵，根据已知的b和已知的A计算得到的每个主磁极每个切削点所需切削量的矩阵；本发明实现了每个切削点同时垫补等时性磁场误差和一次谐波磁场误差，有效提高了垫补效率。
一种回旋加速器平均一次谐波误差同时垫补方法

[发明专利]一种脉冲模式多峰场内置天线式射频强流负氢离子源-CN202310396060.9在审
发明人：贾先禄;农竹杰;张贺;丁傲轩;李鹏展;郑侠;凌丽;管锋平;侯世刚 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲模式多峰场内置天线式射频强流负氢离子源，包括：离子源内置式射频天线、射频天线上盖板、内腔体、外腔体、位于内腔体和外腔体之间的永磁铁阵列、离子源引出结构、位于该永磁铁阵列底层和离子源引出结构的离子源复合结构过滤场，特点是：所述离子源内置式射频天线为带有搪瓷涂层的能够实现等离子体鞘层无电位的内置式射频天线；所述复合结构过滤场为在过滤场最高点叠加磁场以过滤快电子的复合结构过滤场；所述离子源引出结构为在60kV高压下引出高于100mA负氢流强的离子源引出结构。本发明实现了负氢离子高产额引出，解决了高产额引出遇到的内置天线寿命相对短、负氢离子产生空间受到局限性、多峰场虚拟过滤场磁场偏小的瓶颈问题。
一种脉冲模式多峰场内置天线射频强流负氢离子

[发明专利]一种用于射频负氢离子源的内置射频天线和制作工艺-CN202310396901.6在审
发明人：农竹杰;潘年衍;贾先禄;张贺;郑侠;凌丽;丁傲轩;颜利华;贾心琦;虞海波 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于射频负氢离子源的内置射频天线和制作工艺，该射频天线线圈数为2.5‑3.5圈，其圈径平均环绕直径为58mm；该内置射频天线的涂层为搪瓷结构，当该搪瓷结构同时满足涂层厚度为0.6‑0.7mm毫米、相对介电常数小于30、涂层电阻率大于45000Ω.cm的条件时，翘层电压逼近于0；该工艺方法包括：制作片状瓷釉；覆盖层浸搪；对具有覆盖层的铜胎天线进行烘干；烧制成品；将烘干的覆盖有釉料的铜胎天线放入熔烧炉中进行烧制，保温；取出成品，冷却至常温。重复（2）到（4）步骤，直至釉料层的厚度达到0.6‑0.7mm左右。本发明有效地解决了等离子体回轰天线的问题，且采用搪瓷涂层，成本较低，同时制作简单，且材料坚固，其密着性、抗冲击性及抗热急变性能优异。
一种用于射频氢离子内置天线制作工艺

[发明专利]导弹空气舵偏转装置-CN202310246375.5在审
发明人：付丽强;梅志伟;靶昂;刘小磊;凌丽;张子伦;杜溢华 -专利权人：上海机电工程研究所
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： F42B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种导弹空气舵偏转装置，包括空气舵、底座、拉杆、拉簧、拔销作动器以及弹性柱塞；所述空气舵的梯形舵面下方连接有阶梯轴，所述阶梯轴的下端活动安装在所述底座上，所述拉杆的一端与所述阶梯轴紧固连接，另一端与所述拉簧的一端紧固连接，所述拉簧的另一端紧固安装在所述底座上；所述拔销作动器安装在所述底座上，且所述拔销作动器的拔销与所述阶梯轴插接配合；所述弹性柱塞安装在所述底座上，所述弹性柱塞的弹性杆抵紧在所述阶梯轴上。本发明通过对空气舵施加偏转力矩，结合拔销作动器的解锁动作和弹性柱塞的锁定动作，避免采用全状态舵机舱，大幅提高效费比，明显降低研制费用。
导弹空气偏转装置

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