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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]二液型涂布剂和被覆体保护方法-CN201680002605.1有效
发明人： 佐佐木博司;安武隆一郎;津岛正道 -专利权人：株式会社NP-SSK
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C09D133/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种二液型涂布剂，其强烈地防止污垢的附着，同时能够长期防止皮革或布等的被覆体的表面劣化，能够在被覆体表面形成耐水性、耐摩擦性、质感等优异的覆膜。本发明的二液型涂布剂至少含有主剂和固化剂，其特征在于，主剂含有氟树脂，以相对于主剂的总质量的质量％计，含有丙烯酸类树脂3％～20％、硅酮3％～20％、含有上述氟树脂的水40％～90％、矿物油3％～50％；固化剂含有交联成分，该交联成分含有碳化二亚胺化合物；上述主剂与上述固化剂混合后的氟树脂的质量/交联成分的质量为1～4。
二液型涂布剂被覆保护方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380072345.1在审
发明人： 佐佐木博司 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明抑制或防止在后续工序的清洗处理或蚀刻处理等中对DBR膜表面进行侵蚀(膜厚减少)、从DRB膜表面吸收水分、或者在DBR膜表面产生裂缝的问题。DBR膜(7D)的DBR膜构造将蒸镀SiO₂膜和蒸镀TiO₂膜重复形成1对或多对，本来为了得到高反射率而使最上层为蒸镀SiO₂膜，但为了维持高反射率并且防止侵蚀，将最上层设为膜厚为1～13nm的高折射率膜(例如蒸镀TiO₂膜)的薄膜，并且使用剥离工艺手法，通过蒸镀成膜将DBR端部设为锥形形状(坡形形状，这里锥形角度为15～45度)。在其上设置第1层的金属反射膜(8D)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于去除微粒的装置-CN03178446.1无效
发明人： 佐佐木博司 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-07-17 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于处理设备的用于去除微粒的装置，所述处理设备包括真空容器单元，所述真空容器单元具有多个腔室，在所述腔室中在由处于大气压下的传送单元送入的晶片上执行预定处理，所述装置包括：电荷中和装置，用于中和在晶片表面上产生的电荷，所述电荷中和装置安装在等待－容纳单元中，所述等待－容纳单元组成传送单元的一部分；和充电装置，用于通过静电力吸收真空容器单元中的微粒，所述充电设备安装在真空容器单元中，本发明装置没有降低处理设备的运行率的情况下有效地消除了真空容器单元中的微粒，且能够简单而廉价地实施。
用于去除微粒装置

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