专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]制备放射源的电沉积装置-CN202223099238.3有效
  • 刘明阳;任春侠;高岩;付轲新;焦华洁;王平;王巍 - 原子高科股份有限公司
  • 2022-11-22 - 2023-06-13 - C25D17/00
  • 本申请公开一种制备放射源的电沉积装置,包括电沉积壳体、阳极定位盖、阴极定位盖、阴极连接件和阴极定位件。电沉积壳体形成有容置腔,且电沉积壳体沿其放置方向的两端分别具有联通容置腔的阳极连接口和阴极连接口。阳极定位盖盖合于电沉积壳体的阳极连接口,阳极定位盖定位阳极丝以外接电源。阴极定位盖盖合于电沉积壳体的阴极连接口。阴极连接件包括阴极垫片部和向阴极垫片部一侧延伸的阴极连接柱,阴极垫片部被夹持于阴极定位盖和电沉积壳体之间,阴极连接柱能够穿设阴极定位盖。阴极定位件能够外接电源,阴极定位件形成有能够供阴极连接柱插入以实现与阴极连接柱导电连接的插接槽。上述装置整体组装方便快捷,可保证阳极和阴极的稳定连接。
  • 制备放射源沉积装置
  • [实用新型]放射源元件自动清洗装置-CN202220755451.6有效
  • 刘明阳;高岩;任春侠;王念;付轲新;陈伊婷;李翔;焦华杰;刘超 - 原子高科股份有限公司
  • 2022-03-31 - 2022-08-19 - B08B3/12
  • 本实用新型涉及放射源制备技术领域,提供一种放射源元件自动清洗装置,包括壳体、多个储液槽、干燥组件、转运组件和卡篮;壳体形成有容纳腔,壳体的侧壁形成有连通于容纳腔的开口,开口处活动连接有柜门,容纳腔的腔底形成操作平台;多个储液槽设置在操作平台上,储液槽的顶部连通于容纳腔;干燥组件设置在容纳腔内,位于多个储液槽的一侧;转运组件设置在容纳腔内,连接于容纳腔的腔壁;卡篮连接于转运组件,卡篮适于放置放射源元件。放射源元件的整个清洗过程自动化完成,不需要人工参与,可以使放射源元件的清洗效果均一,提高了清洗效率,避免了辐射风险以及化学试剂的侵蚀,安全性高,清洗质量有保障。
  • 放射源元件自动清洗装置
  • [发明专利]放射源元件自动清洗装置及清洗方法-CN202210344640.9在审
  • 刘明阳;高岩;任春侠;王念;付轲新;陈伊婷;李翔;焦华杰;刘超 - 原子高科股份有限公司
  • 2022-03-31 - 2022-07-08 - B08B3/12
  • 本发明涉及放射源制备技术领域,提供一种放射源元件自动清洗装置及清洗方法,放射源元件自动清洗装置包括壳体、多个储液槽、干燥组件、转运组件和卡篮;壳体形成有容纳腔,壳体的侧壁形成有连通于容纳腔的开口,开口处活动连接有柜门,容纳腔的腔底形成操作平台;多个储液槽设置在操作平台上,储液槽的顶部连通于容纳腔;干燥组件设置在容纳腔内,且位于多个储液槽的一侧;转运组件设置在容纳腔内,且连接于容纳腔的腔壁;卡篮连接于转运组件,卡篮适于放置放射源元件。放射源元件的整个清洗过程自动化完成,不需要人工参与,可以使放射源元件的清洗效果均一,提高了清洗效率,避免了辐射风险以及化学试剂的侵蚀,安全性高,清洗质量有保障。
  • 放射源元件自动清洗装置方法
  • [实用新型]一种β平面源-CN202120296157.9有效
  • 刘明阳;高岩;王念;任春侠;王安达;付轲新;李翔 - 原子高科股份有限公司
  • 2021-02-01 - 2021-11-05 - G21G4/04
  • 本实用新型公开了一种β平面源,该β平面源包括:基材托片和封堵层;基材托片的至少部分表面经过氧化,形成有氧化膜区域,氧化膜区域填充有放射性材料;封堵层用于阻止放射性材料渗出,覆盖在基材托片的氧化膜区域表面。本申请的β平面源,在使用基材托片的氧化膜区域吸附填充有放射性材料的基础上,设置封堵层,覆盖在氧化膜区域之上,以此阻止放射性材料渗出,从而提高了β平面源的使用寿命和检测效果。
  • 一种平面
  • [发明专利]一种β平面源制备方法和一种β平面源-CN202110139626.0在审
  • 刘明阳;高岩;王念;任春侠;王安达;付轲新;李翔 - 原子高科股份有限公司
  • 2021-02-01 - 2021-06-15 - G21G4/06
  • 本发明公开了一种β平面源制备方法和一种β平面源。制备方法包括:对金属托片进行氧化处理,形成氧化膜;使用放射性料液填充所述金属托片的氧化膜,令所述放射性料液中的放射性金属离子进入所述氧化膜的孔洞;使用含硅凝胶封闭所述金属托片的氧化膜孔洞,阻止所述放射性金属离子渗出。本申请将金属托片氧化形成氧化膜,利用氧化膜填充放射性料液的方式实现放射性料液的吸附,并且,采用含硅凝胶封闭金属托片的氧化膜孔洞,从而阻止放射性金属离子泄漏,使制得的β平面源放射性粒子吸附牢固,使用效果更佳、寿命更长。
  • 一种平面制备方法
  • [发明专利]一种63-CN202010781388.9在审
  • 高岩;刘明阳;王念;崔洪起;任春侠;谭小明;王安达;付轲新 - 原子高科股份有限公司
  • 2020-08-06 - 2020-11-20 - C25D3/12
  • 本发明属于放射源制备技术领域,涉及一种63Ni放射源及其制备方法。所述63Ni放射源的制备方法包括将衬底表面清洗干净之后置于电镀液中进行电镀,以在衬底上形成63Ni放射源层,所述电镀液中含有63NiCl2、三氯化铈、pH值缓冲剂和导电盐且余量为水。采用本发明提供的方法制备63Ni放射源,不仅能够提高衬底与放射源层的结合度,改善放射源层的稳定性,而且还具有很好的重复性,能够降低工业生产过程中的操作难度,易于批量生产,满足社会对63Ni纯β放射源的需求。
  • 一种basesup63
  • [实用新型]一种放射源-CN201920450944.7有效
  • 高岩;崔洪起;史晨钟;任春侠;陈晨;王念;谭小明 - 原子高科股份有限公司
  • 2019-04-03 - 2020-03-27 - G21G4/06
  • 本新型涉及一种放射源,属于放射源制备技术领域,取预定体积的碳酸盐粉末悬浊液和至少一吸附膜,并将所取预定体积的碳酸盐粉末悬浊液均匀涂抹到吸附膜上,以形成放射源载体;取至少一有机膜与镀铝PET薄膜,将放射源载体密封在有机膜与镀铝PET薄膜之间,以形成源片;取至少一放射源壳体,将源片封装于放射源外壳中,即形成放射源。本新型的制备方法简单、放射性核素利用率高、安全可靠。解决了β射线自吸收大、原料不易混合均匀、密封膜晃动等问题。
  • 一种放射源

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