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[发明专利]一种硅溶胶中二氧化硅颗粒的致密度的表征方法-CN202010264214.5有效
发明人：李博;仵靖 -专利权人：河北科技大学
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01N15/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅溶胶制备技术领域，具体公开一种硅溶胶中二氧化硅颗粒的致密度的表征方法。所述表征方法，包括以下步骤：a、用甲基红溶液作为吸附剂，通过溶液吸附法测定得到二氧化硅颗粒的比表面积S1；b、采用N2作为吸附气体，通过气体吸附BET法测定得到二氧化硅颗粒的比表面积S2；c、通过(S2‑S1)/S2得出硅溶胶中二氧化硅颗粒的相对致密度d。本发明致密度表征方法得到的相对致密度d得值可以直接、直观的反应出胶体二氧化硅的颗粒骨架疏密、颗粒完整度和颗粒耐碱性等特征信息，且该方法操作简单、成本低，为胶体二氧化硅的性能特征评价提供了重要依据。
一种硅溶胶二氧化硅颗粒致密表征方法

[发明专利]一种硅溶胶及其制备方法-CN202110102532.6有效
发明人：朱斌;仵靖 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C01B33/141 文献下载
摘要：本发明涉及半导体抛光技术领域，具体公开一种硅溶胶及其制备方法。该硅溶胶具备如下特征：按质量含量算，当硅溶胶中的固含量为20％时，硅溶胶中胶状低聚物的质量含量200ppm；胶粒表面的硅烷醇基密度为2.0‑6.0个/nm2；当胶粒的质量含量为10％时，硅溶胶的相对弛豫系数R2sp在2.5‑6.5之间；且动态光散射粒径D(nm)与BET比表面积S(g/m2)D×S值在3200‑8600。该硅溶胶的制备方法为：在包含碱催化剂、水和二氧化硅种核的有机溶剂中连续加入烷氧基硅烷，同时补入酸根阴离子以及碱催化剂得到。本发明提供的硅溶胶在作为CMP抛光液中的研磨颗粒使用时，能抑制划痕等缺陷的产生。
一种硅溶胶及其制备方法

[发明专利]一种二氧化硅胶粒及包含其的分散液和制备方法-CN202110154579.7有效
发明人：朱斌;仵靖;赵丽晓 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C01B33/141 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料制备技术领域，具体公开一种二氧化硅胶粒及包含其的分散液和制备方法。所述二氧化硅胶粒是由真实密度为1.60～2.20g/cm3的核层和真实密度为2.20～2.30g/cm3的壳层所构成的核壳结构。包含二氧化硅胶粒的分散液的制备方法包括：将由烷氧基硅烷或其缩聚物溶于碱得到的硅酸盐溶液通过离子交换生成活性硅酸；将活性硅酸加入含二氧化硅种核以及碱催化剂的水溶液中，得到整粒液；将整粒液浓缩得到二氧化硅水相分散液；或用有机溶剂置换出二氧化硅水相分散液中的水，得到二氧化硅有机溶剂分散液。本发明提供的二氧化硅胶粒能以高浓度、高稳定性分散于水及有机溶剂，其作为研磨颗粒能具有较高的研磨速率。
一种二氧化硅胶粒包含分散制备方法

[发明专利]一种胶体表面呈凸起状的硅溶胶及其制备方法和应用-CN202011189240.2有效
发明人：朱斌;仵靖;赵丽晓 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C01B33/141 文献下载
摘要：本发明涉及半导体化学机械抛光技术领域，具体公开一种胶体表面呈凸起状的硅溶胶及其制备方法和应用。所述胶体表面呈凸起状的硅溶胶，包括液体介质和胶体粒子，所述胶体粒子为狼牙棒状、且表面带凸起的二氧化硅胶体粒子，所述凸起的高度H为1～8nm；所述二氧化硅胶体粒子的氮气吸附BET比表面积拟合粒径为D1，经透射电镜表征所得的短轴粒径为D2，经动态光散射测得的粒径为D3，1.2≤D2/D1≤1.8，且2.0≤D3/D1≤6.3。本发明提供的硅溶胶，具有较高的粗糙度和异形度，能够有效减少与被研磨物的接触时间，减少缺陷和划痕的产生，用于抛光液中有助于提高抛光效率。
一种胶体表面凸起硅溶胶及其制备方法应用

[发明专利]一种颗粒形态可控的硅溶胶及其制备方法-CN202010264209.4有效
发明人：朱斌;仵靖 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C01B33/145 文献下载
摘要：本发明涉及半导体化学机械抛光技术领域，具体公开一种颗粒形态可控的硅溶胶及其制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：配制若干组烷氧基硅烷质量含量≥95％的酸性组合液和含有碱催化剂、高纯水及有机溶剂的母液；将一组所述酸性组合液加入到所述母液中，得第一硅溶胶；至少一次地向所得第一硅溶胶中依次加入高纯水、一组所述酸性组合液，得硅溶胶一次液；浓缩和溶剂置换，得到硅溶胶产品。本发明提供的制备方法通过调控烷氧基硅烷的酸性组合液的酸值，并调节加入的各组酸性组合液的酸值的变化，实现了硅溶胶颗粒形态的可控，得到了球形和非球形的硅溶胶，所得硅溶胶的一次固含10％，金属离子含量1ppm。
一种颗粒形态可控硅溶胶及其制备方法

[发明专利]一种结构致密的硅溶胶及其制备方法-CN202010264210.7有效
发明人：朱斌;仵靖 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C01B33/141 文献下载
摘要：本发明涉及半导体化学机械抛光技术领域，具体公开一种结构致密的硅溶胶及其制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将烷氧基硅烷滴加到含有碱催化剂、水及有机溶剂的混合液中，得到第一硅溶胶；用纯水稀释，加热至沸腾，回流反应，溶剂置换得到第二硅溶胶；滴加烷氧基硅烷，得到第三硅溶胶；保温反应，浓缩，溶剂置换得到硅溶胶。本发明提供的结构致密的硅溶胶的制备方法，生产效率高，所得的硅溶胶二氧化硅一次固含为10％以上，金属离子含量1ppm，且二氧化硅颗粒真密度ρ2.0g/cm3，具有良好的致密度。
一种结构致密硅溶胶及其制备方法

[实用新型]一种半导体材料研磨液生产用补液釜-CN201920239888.2有效
发明人：仵靖;石志成;齐维达;周少伟 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B01F15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半成品补液附属装置的技术领域，特别是涉及一种半导体材料研磨液生产用补液釜，其卸料管卸料时能够方便卸干净；并且可以增加其整体安装固定方式；而且能够方便对工作箱内部进行观察；包括底板和工作箱，工作箱内部设置有工作腔，工作箱顶端连通设置有进料口，并在进料口处盖装有进料盖，工作箱前侧下方密封设置有卸料管，并在卸料管上设置有卸料阀；底板包括上板体、下板体、支撑柱和万向球，上板体底端设置有球形槽；还包括安装板、挂板、夹板、第一套簧和第一可伸缩管；进料盖顶端连通设置有观察孔，并在观察孔处设置有透明观察板，进料盖顶端左侧设置有前后向连通口，还包括滑块、带动柱、带动板、连接板和海绵擦。
一种半导体材料研磨生产补液

[实用新型]一种高纯硅溶胶生产用补液釜-CN201920245644.5有效
发明人：仵靖;石志成;齐维达;周少伟 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半成品补液附属装置的技术领域，特别是涉及一种高纯硅溶胶生产用补液釜，其主体原材能够方便进行补充；并且其工作箱可以方便进行拆卸单独使用；而且各半成品原材混合方式较为省力；包括底板、工作箱、卸料管和四组支架，工作箱内部设置有工作腔，并在进料口处盖装有进料盖，且卸料管输入端连通设置有运输泵，卸料管外侧套装有密封圈；还包括盛放箱和出液管，盛放箱内设置有盛放腔，还包括压板、压杆和压块，压块外侧套装有密封层；还包括两组固定块、两组拉板、两组拉杆、两组套簧和两组卡板，两组固定块上均设置有通口；还包括螺旋管、螺旋杆、搅拌叶和移动块，螺旋杆顶端固定设置有转动片，移动块底端设置有转动槽。
一种高纯硅溶胶生产补液

[实用新型]一种高纯硅溶胶生产用成核反应釜-CN201920249776.5有效
发明人：仵靖;石志成;齐维达;周少伟 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及溶胶成核附属装置的技术领域，特别是涉及一种高纯硅溶胶生产用成核反应釜，其搅拌方式较为省力，提高其实用性；而且工作箱内部可以方便进行观察，从而提高其适应能力；包括工作箱，工作箱内部设置有工作腔，工作箱顶端连通设置有取放口，并在取放口处螺装有取放盖；还包括电机、插柱、插管和搅拌叶，还包括限位柱、两组限位弹簧和两组定位块，插柱内部下方设置有限位腔，插柱左侧壁和右侧壁上设置有左定位孔和右定位孔，插管左侧壁和右侧壁分别设置有左限位孔和右限位孔，插管外侧可转动贴紧套设有第一密封圈；工作箱右侧壁连通设置有观察孔，并在观察孔处密封设置有透明挡板，还包括把手、转轴、带动轴、刮板和第二密封圈。
工作箱右侧壁插管插柱密封圈连通设置观察孔取放口左侧壁两组本实用新型成核反应釜高纯硅溶胶附属装置密封设置内部设置透明挡板限位弹簧右限位孔左定位孔左限位孔带动轴定位孔定位块工作腔搅拌叶可转动限位柱成核刮板取放省力贴紧转轴电机把手观察生产

[实用新型]一种高纯硅溶胶生产用精馏釜-CN201920245639.4有效
发明人：仵靖;石志成;齐维达;周少伟 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： B01D3/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及分离设备附属装置的技术领域，特别是涉及一种高纯硅溶胶生产用精馏釜，其可以通过增设压力报警装置来降低工作人员第一时间发现精馏釜内压力增大的难度，因而降低了精馏釜发生爆炸的概率；并且将搅拌轴下侧的三组搅拌叶在高纯硅溶胶内倾斜搅拌来降低高纯硅溶胶原料出现打旋现象的概率，因而提高了三组搅拌叶的搅拌效果；包括筒体、三组支腿、加热机构、电机、搅拌轴和三组搅拌叶，筒体的内部设置有工作腔；还包括安装管、报警器、动力活塞、限位环、限位弹簧、排气管、挂杆、定位杆和铃铛，报警器的内部设置有控制腔；还包括转轴、主动齿轮、传动齿轮、固定块、固定轴、万向节、支撑板、支撑轴承和支撑杆。
高纯硅溶胶搅拌叶精馏釜报警器内部设置搅拌轴筒体压力报警装置本实用新型传动齿轮动力活塞分离设备附属装置加热机构搅拌效果限位弹簧支撑轴承主动齿轮安装管定位杆工作腔固定块固定轴控制腔内倾斜内压力排气管万向节限位环增大的支撑板支撑杆铃铛概率挂杆支腿转轴电机增设爆炸发现生产

[发明专利]多晶硅铸锭石英坩埚高纯石英砂涂层粘结剂及其制备方法-CN201710486985.7有效
发明人：朱斌;仵靖 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C08L29/04 文献下载
摘要：本发明涉及粘结剂技术领域，具体公开一种多晶硅铸锭石英坩埚高纯石英砂涂层粘结剂及其制备方法。所述多晶硅铸锭石英坩埚高纯石英砂涂层粘结剂，包括质量百分比如下的原料组分：水溶性硅氧烷或羧基改性聚合物10%‑20%；硅溶胶10%‑20%；增塑剂1%‑5%；消泡剂0.05%‑0.3%；pH缓冲液0.01%‑0.05%；杀菌剂0.03%‑0.3%；高纯水70%‑85%。本发明提供的多晶硅铸锭高纯石英坩埚石英砂涂层粘结剂，纯度高，是一种全新的高纯石英砂涂层粘结及分散材料，提高了高纯石英砂涂层的致密性，同时能使高纯石英砂涂层更好地附着氮化硅涂层，减少了硅锭的侧边红区，降低硅锭氧含量。
多晶铸锭石英坩埚高纯石英砂涂层粘结及其制备方法

[发明专利]多晶硅铸锭石英坩埚氮化硅涂层用粘结剂及其制备方法-CN201710488662.1有效
发明人：朱斌;仵靖 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及粘结剂技术领域，具体公开一种多晶硅铸锭石英坩埚氮化硅涂层用粘结剂及其制备方法。所述多晶硅铸锭石英坩埚氮化硅涂层用粘结剂，包括质量百分比如下的原料组分：水溶性聚合物10%‑20%；水溶性硅氧烷或羧基改性聚合物1%‑10%；硅酸酯水解液10%‑20%；增塑剂3%‑10%；消泡剂0.05%‑0.3%；pH缓冲液0.01%‑0.05%；杀菌剂0.03%‑0.3%；高纯水55%‑75%。本发明所提供的多晶硅铸锭石英坩埚氮化硅涂层用粘结剂，纯度高，应用于氮化硅涂层免烧结工艺，使该工艺具有周期短，能耗低，降低了硅锭的粘埚率，降低了硅锭的氧含量的特点。
多晶铸锭石英坩埚氮化涂层粘结及其制备方法

[发明专利]一种高固含高纯硅溶胶及其制备方法-CN201710662382.8有效
发明人：朱斌;仵靖 -专利权人：石家庄优士科电子科技有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C01B33/145 文献下载
摘要：本发明涉及无机纳米材料合成技术领域，具体公开一种高固含高纯硅溶胶及其制备方法。所述高固含高纯硅溶胶，包括摩尔数如下的原料组分：低分子醇31‑160 mol；pH调节剂0.05‑0.5 mol；硅酸酯25‑95 mol；去离子水120‑250mol。本发明所提供的高固含高纯硅溶胶纯度高，一次固含高，浓缩周期短，成本低，生产效率高。
高纯硅溶胶制备无机纳米材料低分子醇合成技术去离子水生产效率硅酸酯摩尔数浓缩

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