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[发明专利]抑制Al-Ni纳米多层膜相变过程有序金属间化合物生成的方法-CN202110609168.2有效
发明人：刘斌斌;叶丰;乔祎;于相江;张蕾;尤力;刘彩云 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种通过添加过渡层抑制Al‑Ni纳米多层薄膜相变过程中有序金属间化合物生成的方法。根据使用环境的需求，引入可以与Al或Ni发生自蔓延反应的材料如Cu、Ti等作为过渡层，进而通过过渡层厚度的设计使之与未引入过渡层的初始薄膜的厚度相匹配，不改变薄膜最终的稳定相产物；采用磁控溅射等镀膜工艺制备周期为Al/X/Ni/X，总厚度可调的复合薄膜，在抑制室温Al和Ni元素互扩散、保证存储稳定的基础上，进一步抑制了相变过程中初始Al3Ni或Al3Ni2等有序金属间化合物相的形成，减弱初始析出的有序金属间化合物相对原子扩散的阻碍作用，促进特定调制周期对应的稳定相的优先或直接形成，对于提升其能量输出，甚至实现可控的能量释放，进一步推动在军事和工业上的应用有着重要的意义。
抑制 al ni 纳米多层相变过程有序金属化合物生成方法

[发明专利]一种基于Cu-Zr金属玻璃的恒电阻复合材料的制备方法-CN201910168874.0在审
发明人：刘斌斌;叶丰;韩潮雨;于相江;孙庆磊 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：一种基于Cu‑Zr金属玻璃的恒电阻复合材料的制备方法。选取Cu‑Zr二元金属玻璃体系，使用非自耗真空电弧炉或冷坩埚悬浮炉里熔炼获得成分均匀的母合金锭，随后采用快速凝固的方法制备金属玻璃薄带，并将其在低于玻璃转变温度T_g以下的温度进行氧化处理，通过机械打磨等方式获得特定厚度下、宽温度范围内恒电阻的金属玻璃复合材料。本发明选用Cu‑Zr二元金属玻璃体系，通过简单的选择性氧化方法实现Cu‑Zr二元金属玻璃薄带的相分离，在金属玻璃基体上获得导电性优异的Cu。随后通过调控氧化后薄带的厚度制备出了在宽温度范围内，特别是室温附近电阻几乎不随温度改变的金属玻璃复合材料，操作简单，适于制备要求具有小的电阻温度系数的精密电阻器和薄膜电阻器。
制备金属玻璃二元金属恒电阻薄带金属玻璃复合材料玻璃体系复合材料非自耗真空电弧炉电阻温度系数导电性薄膜电阻器精密电阻器选择性氧化玻璃转变机械打磨快速凝固母合金锭氧化处理熔炼冷坩埚相分离悬浮炉电阻玻璃调控

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