专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]苯并双唑基化合物-CN200410089855.2无效
  • 小木曾章;井上忍;塚原宇;西本泰三;三泽伝美 - 三井化学株式会社;山本化成株式会社
  • 2001-01-05 - 2005-07-13 - C07D498/04
  • 一种光记录介质包括基片和在基片上形成的作为记录层的有机染料层,其中记录层包含至少一种以通式(1)表示的苯并双唑基化合物。[式中,取代基X和Y各自表示芳基或杂芳基;环A和B各自表示噁唑环或噻唑环;以及Q1和Q2各自表示氢原子、卤素原子或烷基;条件是,以取代基X和Y分别表示的芳基或杂芳基各自可用卤素原子、羟基、氰基、氨基,取代或未取代的烷基、芳烷基、芳基、链烯基、烷氧基、芳烷氧基、芳氧基、链烯氧基、烷硫基、芳烷硫基、芳硫基、链烯硫基、单取代的氨基、双取代的氨基、酰基、烷氧羰基、芳烷氧羰基、芳氧羰基、链烯氧羰基、单取代的氨基羰基、双取代的氨基羰基、酰氧基或杂环基等来取代]。
  • 双唑基化合物
  • [发明专利]苯并双吡咯基化合物,光记录介质用化合物-CN01805771.3无效
  • 小木曾章;井上忍;塚原宇;西本泰三;三泽伝美 - 三井化学株式会社;山本化成株式会社
  • 2001-01-05 - 2003-03-26 - B41M5/26
  • 一种光记录介质包括基片和在基片上形成的作为记录层的有机染料层,其中记录层包含至少一种以通式(1)表示的苯并双吡咯化合物。[式中,取代基X和Y各自表示芳基或杂芳基;环A和B各自表示噁唑环或噻唑环;以及Q1和Q2各自表示氢原子、卤素原子或烷基;条件是,以取代基X和Y分别表示的芳基或杂芳基各自可用卤素原子、羟基、氰基、氨基,取代或未取代的烷基、芳烷基、芳基、链烯基、烷氧基、芳烷氧基、芳氧基、链烯氧基、烷硫基、芳烷硫基、芳硫基、链烯硫基、单取代的氨基、双取代的氨基、酰基、烷氧羰基、芳烷氧羰基、芳氧羰基、链烯氧羰基、单取代的氨基羰基、双取代的氨基羰基、酰氧基或杂环基等来取代]。
  • 吡咯化合物记录介质

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