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[实用新型]一种便携式极化氢气的低温设备-CN202020876249.X有效
发明人： 黄社松;王凡;杨威;刘云 -专利权人：北京飞斯科科技有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： F25J1/02 文献下载
摘要：一种便携式极化氢气的低温设备，包括：制冷机恒温器、压缩机、控温仪以及真空泵组，制冷机恒温器包括制冷机冷头、仪表裙、外壳、多个冷台、氢气管路、多个催化反应腔以及多个温度计和加热器；制冷机恒温器为极化氢气的主体设备，不需要消耗液氦即可固化氢气；且通过内部的氢气管路及两级催化反应腔对氢气进行极化；部分氢气管路和初级催化反应腔热锚在制冷机的一级冷台上，在催化剂的辅助下进行预冷和初步催化；氢气进入二级催化反应腔后可液化甚至固化，加速氢气转化为仲氢。本实用新型提高了仲氢的转化效率和纯度，将纯化后的仲氢升至室温后便于长时间储存。
一种便携式极化氢气低温设备

[实用新型]一种AFM设备及其变温装置-CN201922223732.8有效
发明人： 黄社松;杨威;王凡;刘一君;刘云 -专利权人：北京飞斯科科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种AFM设备及其变温装置，其中，变温装置用于AFM位移台，且包括：变温系统和样品座，所述变温系统包括：制冷系统；所述用于AFM位移台的变温装置还包括：导热件；所述制冷系统独立于所述样品座设置，且通过所述导热件相连。在本方案中，通过制冷系统独立于样品座的设置，并且采用导热件将制冷系统的冷量传递给样品座，既可实现了制冷系统的分体式工作，大大减轻了测试位移台的实际承重，而且也消除了冷却装置在给TEC部件散热时传递给待测样品的振动，同时也增大了制冷系统的安装空间。
一种 afm 设备及其装置

[实用新型]一种生产标样气体的装置-CN202020243360.5有效
发明人： 黄社松;王凡;刘云;杨威 -专利权人：北京飞斯科科技有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种生产标样气体的装置，通过超高真空测量室分别与第一阀门、第二阀门和真空泵相连；第一阀门设置于取样站的入口；第二阀门设置于氡气源的出口；制冷组件用于对冷凝托盘进行降温，使氡气源产生的氡气冷凝成固体氡，加热组件用于对冷凝托盘加热，使固体氡变成氡气，并转移至取样站。通过上述公开的生产标样气体的装置，在超真空环境下对氡气进行小范围冷凝，并通过对超真空测量室与之连接处进行密封，超高真空测量室内部为负压，密封可防止外界杂质气体的进入，并且在转移过程中与外界无气体交换，保证了氡气的总量不变，并有助于减小测定标样氡活度的不确定度，从而生产出能够作为仪器校准的标样气体。
一种生产标样气体装置

[实用新型]一种用于深能级瞬态谱测试的低温装置-CN201921688832.1有效
发明人：冯长沙;黄社松;王凡;杨威 -专利权人：北京飞斯科科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于深能级瞬态谱测试的低温装置，包括真空外壳、用于提供仪器仪表接口及阀门的仪表裙、制冷机，所述真空外壳、用于提供仪器仪表接口及阀门的仪表裙、制冷机自上而下依次连接。所述真空外壳内设有冷屏，固定于制冷机一级冷头上，所述二级冷头上设有高温台，探针样品托安装在高温台之上。本申请采用二级10K或者4K制冷机作为冷源，提供一个温度范围4K‑500K或者10‑500K且温度波动小于±50mk的低温环境和便于扎针的探针样品，方便深能级瞬态谱测试，有效提高了深能级瞬态谱测试的效率。
一种用于能级瞬态测试低温装置

[发明专利]一种AFM设备及其变温装置、变温方法-CN201911275115.0在审
发明人： 黄社松;杨威;王凡;刘一君;刘云 -专利权人：北京飞斯科科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于AFM位移台的变温装置，包括：变温系统和样品座，所述变温系统包括：制冷系统；所述用于AFM位移台的变温装置还包括：导热件；所述制冷系统独立于所述样品座设置，且通过所述导热件相连。在本方案中，通过制冷系统独立于样品座的设置，并且采用导热件将制冷系统的冷量传递给样品座，既可实现了制冷系统的分体式工作，大大减轻了测试位移台的实际承重，而且也消除了冷却装置在给TEC部件散热时传递给待测样品的振动，同时也增大了制冷系统的安装空间。本发明还提供了一种应用上述的用于AFM位移台的变温装置的AFM设备，以及应用该AFM设备的变温方法。
一种 afm 设备及其装置方法

[发明专利]一种交流磁化率测量装置及方法-CN201910960547.9在审
发明人：冯长沙;黄社松;王凡;杨威 -专利权人：北京飞斯科科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G01R33/16 文献下载
摘要：本发明公开一种交流磁化率测试装置及方法，包括：交流电流源、温控仪、真空泵、低温恒温器及线圈组；装置还包括：前置放大器、锁相放大器和程控计算机；本申请采用电流激励，将待测试固体或粉末材料放置在拾取线圈，然后一并安置到低温恒温器样品腔内；通过恒流源对激励线圈提供交流电信号，同时锁相放大器提取拾取线圈的测试信号，待测试样品温度通过高精度温控仪获得，然后计算机实时显示测量信号随温度变化的曲线。本申请是一种无损交流磁化率测量方法，解决了传统交流磁化率测试过程中产生的问题，传统方法因为采用恒压激励模式，由于温度变化引起激励线圈阻抗变化，进一步引起被测材料磁化率信号测量分辨率下降，甚至测不出结果的问题。
磁化低温恒温器锁相放大器激励线圈拾取线圈交流磁化率测量程控计算机高精度温控交流电流源交流电信号前置放大器被测材料测量信号测试过程测试信号测试样品测试装置电流激励粉末材料激励模式实时显示信号测量阻抗变化恒流源温控仪线圈组样品腔真空泵分辨率恒压无损申请交流测试计算机安置

[实用新型]一种无液氦基质隔离低温系统-CN201822176934.7有效
发明人： 黄社松;王凡;杨威 -专利权人：北京飞斯科科技有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本实用新型公开的是一种无液氦基质隔离低温系统,包括制冷机支撑平台，脉管制冷机固定在制冷机支撑平台上，真空腔安装在脉管制冷机的外壳上，真空腔通过真空管路与分子泵组连接，真空腔通过探测口柔性连接和入射口柔性连接与傅里叶光谱仪相连；进气毛细管与真空腔内部连通，探测口窗片和入射口窗片分别安装在真空腔下部的左右两侧；冷屏置于真空腔内部，与脉管制冷机连接；冷指安装在脉管制冷机上，冷指上安装加热器和温度计；基底安装于冷指上；真空腔上连接温度计和所述加热器。本实用新型的无液氦基质隔离低温系统，减小了制冷机工作时的振动对真空型傅里叶红外光谱仪测试的影响。
真空腔脉管制冷机制冷机冷指加热器本实用新型真空腔内部低温系统柔性连接支撑平台温度计入射口探测口窗片基质无液傅里叶红外光谱仪傅里叶光谱仪隔离进气毛细管分子泵组基底安装脉管制冷真空管路左右两侧真空型减小冷屏连通测试

[实用新型]一种用于穆斯堡尔谱的低温设备-CN201822250421.6有效
发明人： 黄社松;王凡;杨威 -专利权人：北京飞斯科科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于穆斯堡尔谱的低温设备,属于低温高能物理实验装置技术领域。该实用新型采用二级4K和10K GM制冷机作为冷源，通过隔振台、柔性波纹管和合适的配重，极大消除了制冷机的振动传递给样品，不消耗液氦即可为穆斯堡尔谱实验提供4K和10K的低振动低温环境。本实用新型采用顶部装卸型设计，通过插拔样品杆可快速更换样品，提高测试效率。
本实用新型斯堡高能物理实验装置技术领域柔性波纹管测试效率低温环境低温设备快速更换振动传递低振动消耗液样品杆制冷机插拔隔振冷源配重装卸

[实用新型]一种原位调压低温设备-CN201820732287.0有效
发明人：王凡;黄社松;杨威 -专利权人：北京飞斯科科技有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种原位调压低温设备,属于低温高压物理实验装置技术领域。该设备上真空罩顶部的密封法兰上安装有四根真空密封调压杆，金刚石对顶砧上有四个可供调压用内六角头驱动螺丝，所述真空密封调压杆的六角头部分可插入所述驱动螺丝的内六角头中，所述金刚石对顶砧安装在一级环形热交换器的一级冷台转接上。由于采用环形热交换器设计，使得所述驱动螺丝的内六角头位置几乎不随温度变化，确保所述低温设备在整个工作温度范围内，所述真空密封调压杆与所述驱动螺丝始终保持准直。本实用新型能够实现在低温下对金刚石对顶砧进行原位调压。
调压螺丝金刚石对顶砧低温设备内六角头真空密封调压杆驱动环形热交换器本实用新型物理实验装置低温高压密封法兰转接可插入六角头真空罩冷台准直

[发明专利]一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法-CN200910235334.6无效
发明人：牛智川;倪海桥;王海莉;贺继方;朱岩;李密峰;王鹏飞;黄社松;熊永华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法，包括：将GaAs衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕，将GaAs衬底引入制备室，并对GaAs衬底进行除气处理；将除过气的GaAs衬底引入生长室，对GaAs衬底的加热器进行升温，在有As保护的情况下对GaAs衬底进行脱氧；将GaAs衬底的加热器温度降至生长温度，生长GaAs缓冲层，并掺杂Si；生长多对GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜；降低生长温度，生长低密度量子点；生长InGaAs(Sb)盖层；生长耦合量子点拓展波长；生长掺杂GaAs层；制作上下电极。利用本发明，有效改善量子点发光效率，提高了收集效率以及实现了波长的调控。
一种密度 inas 量子分子外延生长方法

[发明专利]在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法-CN200810116412.6无效
发明人：王鹏飞;吴东海;吴兵朋;熊永华;詹峰;黄社松;倪海桥;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-07-09 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： C30B29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间，然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。测试结果表明，生长出的GaAs薄膜表面粗糙度仅为0.718nm，即成功地抑制了反相畴的产生，其晶体质量优于目前世界的最好结果。
衬底生长无反相畴砷化镓薄膜分子外延方法

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