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[发明专利]一种内置磁场装置的光伏半导体单晶炉-CN202310960821.9在审
发明人： 黄涛明;章勇;刘存华;刘磊磊;王栋梁 -专利权人：鸿新新能源科技（云南）有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏、半导体单晶炉生产单晶装置领域，具体涉及一种内置磁场装置的光伏半导体单晶炉。一种内置磁场装置的光伏半导体单晶炉，包括：炉筒、坩埚、导流筒、第一保温层、第二保温层、磁场组件和顶升组件，所述磁场组件设置在所述炉筒内侧，和所述第一保温层、第二保温层外侧的空间。与现有技术相比，本申请提供的内置磁场单晶炉，不仅设备占地面积小，能耗低，而且减轻坩埚溶解，进而提高坩埚的使用寿命。
一种内置磁场装置半导体单晶炉

[发明专利]一种对辊式破碎机-CN202310963306.6在审
发明人：石宗杰;陈吉亮;黄涛明;古海军;朱洪光;孙世中 -专利权人：鸿新达海新能源科技（山东）有限公司;鸿新新能源科技（云南）有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B02C4/08 文献下载
摘要：本发明涉及破碎设备领域，具体为一种对辊式破碎机，包括破碎装置、弧形齿同步带、第一筛分器、导向装置、传动圆柱齿轮、第一伺服电机和限位转座，所述连接卡板的端部固定有和第一筛分器连接的电磁锁止组件，所述第一筛分器的底部固定安装有第一压力传感器，所述第二筛分器的底部固定安装有第二压力传感器，通过第一压力传感器和第二压力传感器检测的压力值变化可以实现对破碎装置破碎的颗粒度进行检测，便于通过控制器调控破碎装置中两组破碎辊之间的间隙，从而实现对硅块破碎颗粒度的精确控制调整，能够根据硅块破碎时的颗粒度需求来实时调整破碎辊之间的间隙，可以根据第一压力传感器检测的压力值实现筛分操作和刮料操作的控制。
一种破碎

[发明专利]一种单晶硅生产装置及生产方法-CN202310269700.X有效
发明人：章勇;黄涛明;刘存华 -专利权人：鸿新新能源科技（云南）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅生产技术领域，具体是一种单晶硅生产装置及生产方法；所述罐体的一侧设有控制器，所述罐体的顶部均匀阵列设有多组进气孔，所述罐体的内部设有加热器，所述加热器内部通过驱动组件转动连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部设有籽晶，所述籽晶的底部设有单晶硅；所述罐体的内壁设有压环，所述压环的底部均匀阵列设有多组液压伸缩杆，所述液压伸缩杆的底部输出端设有保温盖，所述保温盖的底部设有导流筒；该装置稳定性强，对单晶硅的生产效率高，生产质量好，满足不同环境下对单晶硅的生产需求，操作简单高效，调节精度高，提高单晶硅生产过程中的稳定性和竖直性，避免单晶硅发生晃动进而降低其自身的生产质量。
一种单晶硅生产装置方法

[实用新型]一种单晶节能热场-CN201420214058.1有效
发明人：章勇;李俊军;黄涛明 -专利权人：南通综艺新材料有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶节能热场，包括炉体，所述炉体从上到下设置有上盖、筒体、下盖，所述上盖和所述筒体的结合部分以及所述筒体与所述下盖的结合部分均栓接，所述筒体内设置有沿筒体内壁四周设置有热场，所述热场内设置有防漏板，所述防漏板上方设置有加热器，该加热器底部设置有反射板，所述加热器与所述热场间的加热器四周环设有石墨保温筒，其特征在于：所述防漏板与所述下盖间填充有软毡。去除防漏底盘直接采用软毡填充满下盖，在下盖体积不变的情况下从而增加了软毡的填充量，提高了隔热效果。
一种节能

[发明专利]一种多晶硅及其制备方法-CN201410176338.2无效
发明人：李俊军;章勇;黄涛明 -专利权人：南通综艺新材料有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅及其制备方法，其特征在于包括以下步骤：在坩埚底部中心铺设若干多晶硅籽晶，形成籽晶层；坩埚底部所述籽晶层与坩埚四周间铺设有若干并排设置多晶硅片，形成平铺层；在所述籽晶层和所述平铺层上设置有处于熔融状态的硅料，保证坩埚底部的加热温度低于所述多晶籽晶和所述多晶硅片的熔点；控制所述坩埚内的温度沿垂直于坩埚底部所在平面的方向向上逐渐形成温度梯度，使得熔化后的硅料在所述籽晶层和所述平铺层上形成结晶，获得成分为多晶硅的多晶硅锭。采用这种方式，长晶错位少，晶界适量，晶体制成的电池的转换效率提高了0.4~0.9，且制备的硅锭为完全多晶硅，免去了后续的不同成分的剥离提高了硅料的利用率。
一种多晶及其制备方法

[发明专利]一种铸锭用多晶自喷坩埚的制备方法-CN201410176566.X无效
发明人： 黄涛明;李俊军;章勇 -专利权人：南通综艺新材料有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： B05D1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸锭用多晶自喷坩埚的制备方法，其步骤为：配制氮化硅浆料：将质量分数为45-60%的氮化硅粉，质量分数为1-8%的有机粘结剂，质量分数为0-1.5%的抗氧化剂，质量分数为40-85%的纯水混合均匀后，加热到40-100°C；喷涂：采用喷涂工艺将悬浮液喷坩埚表面，将喷涂好的坩埚继续在80-100°C条件下继续进行涂层固化1-2小时，然后冷却至室温。本发明的制备方法，坩埚表面吸附性更好，不易遭到破坏；不需要进行高温烧结，降低石英坩埚和涂层氧化污染，降低能耗。
一种铸锭多晶坩埚制备方法

[发明专利]一种双电源多晶硅铸锭工艺-CN201410176383.8在审
发明人：李俊军;章勇;黄涛明 -专利权人：南通综艺新材料有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双电源多晶硅铸锭工艺，包括装料填料、抽真空、熔化保温、长晶、退火和降温，其特征在于：所述熔化保温至退火过程中，采用双电源多晶硅铸锭炉，所述多晶硅铸锭炉的加热室顶部和侧面分别设有加热器，所述加热器分别电连接有变压器，其顶部热场变压器功率P1与侧面热场变压器功率P2根据自适应控制器调节。本发明通过对长晶过程中温度梯度的精确控制来提高长晶质量，从而使多晶硅铸锭加工生成的电池片的光电转换效率提高0.1%以上；通过对温度的精确控制和能源的合理分配，减少不必要的能源损耗，使耗电量降低10%。
一种双电源多晶铸锭工艺