本发明公开一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置具有单元区与周边区,包括基板、位线上电容器(capacitor over bitline,COB)式动态随机存取存储器(DRAM)与多次可编程存储器(multi‑time programmable memory,MTP)。COB式DRAM设置于单元区,并且包括位线以及第一电容器。MTP设置于周边区,并且包括形成于所述基板上的浮置栅极、位于浮置栅极上的第二电容器以及电连接所述浮置栅极与所述第二电容器的至少一接触窗。浮置栅极是与所述位线同时图案化的结构,第二电容器则是与第一电容器同时制作的电容器结构。