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- [发明专利]介电层的蚀刻制程-CN01118337.3无效
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陈永修;张欣怡;黄于玲
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矽统科技股份有限公司
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2001-05-24
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2003-01-01
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H01L21/311
- 一种介电层的蚀刻制程,是对一硅基底表面的一介电层进行一富高分子的电浆蚀刻制程,以去除掉部分的介电层,并于介电层与硅基底的曝露表面上形成高分子薄膜;对高分子薄膜进行氧电浆处理,以使其结构松散;最后进行湿蚀刻制程,将高分子薄膜完全去除,并同时去除掉残留在硅基底表面的介电层。通过富高分子的电浆蚀刻制程去除第二介电层,并额外利用氧电浆处理高分子薄膜,增加蚀刻终点的稳定度,并降低离子轰击现象所产生的破坏,确保后续的湿蚀刻制程可完全去除第一介电层的效果。
- 介电层蚀刻
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