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[发明专利]一种高分辨率负电平检测电路-CN201710274231.5有效
发明人：明鑫;张文林;鲁信秋;张宣;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：一种高分辨率负电平检测电路，属于电源管理技术领域。本发明在一个周期内工作在钳位运放模式和比较器模式，通过模式切换的方式将失调产生电阻R4上产生的压降△V_R4复制，实现了对同步调整管的漏源电压在‑5mV时的负电平检测；为了使失调产生电阻R4上的压降△V_R4恒定，引入由第十七PMOS管MP17和第十八PMOS管MP18构成的差分对；另外，为了消除工艺偏差带来的影响，引入修调电阻R3对失调产生电阻R4的压降△V_R4进行修调。本发明实现了负电平的精确检测，分辨率可以达到毫伏级，能够满足对自适应同步整流控制电路的应用需求。
一种高分辨率电平检测电路

[发明专利]适用于DCM和CCM的双模式同步整流控制电路-CN201710564643.2有效
发明人：明鑫;张文林;鲁信秋;张宣;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：适用于DCM和CCM的双模式同步整流控制电路，属于电源管理技术领域。本发明结构简单，能够有效地减小整流导通损耗，实现同步整流的高效率。其中，第二负电平检测器实现了极小的死区时间控制；关断时间屏蔽模块防止同步整流管M2的误开启，开启时间屏蔽模块防止同步整流管M2的误关断；第一采样端采用高压器件LDMOS和DEMOS的漏极来承受高压，避免了用齐纳管对同步整流管M2的漏端VD进行箝位，防止同步整流管M2的漏端VD对地泄放电流；以上措施共同实现了同步整流的高效率；另外引入了同步控制模块，实现了电流连续模式CCM下的同步整流。
适用于 dcm ccm 双模同步整流控制电路

[发明专利]一种高电源抑制比的低压差线性稳压器-CN201710674465.9有效
发明人：明鑫;鲁信秋;魏秀凌;张文林;张春奇;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种高电源抑制比的低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。功率管的漏极通过第一分压电阻后连接第二分压电阻的一端和误差放大器的第一输入端，误差放大器的第二输入端接基准电压；钳位运放及前馈通路中第十四NMOS管MN14的栅极连接第十五NMOS管MN15的栅极和误差放大器的输出端，其漏极连接第十PMOS管MP10的漏极、第九PMOS管MP9的栅极和超级源随结构的正向输入端；第十PMOS管MP10的源极连接第九PMOS管MP9的漏极；第十一PMOS管MP11的栅漏短接并连接第十PMOS管MP10的栅极和第十五NMOS管MN15的漏极，其源极连接功率管的漏极；超级源随结构的负向输入端连接其输出端和功率管的栅极。本发明通过引入超级源随结构和钳位运放，提高了LDO高频段的电源抑制PSR。
一种电源抑制低压线性稳压器

[发明专利]一种具有自恢复功能的过流保护电路-CN201611245064.3有效
发明人：周泽坤;曹建文;石跃;鲁信秋;汪尧;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H02H3/093 文献下载
摘要：本发明属于电源管理技术领域，具体的说是涉及一种具有自恢复功能的过流保护电路。本发明提出了一种自恢复过流保护机制，主要由环路部分，过流检测比较器，充放电控制信号产生部分，充放电部分，系统过流关断计时部分，COMP端放电部分构成，可以在系统发生过流、短路等各种过载情况后，系统自动进入关断计时，系统关断计时完成后系统自动进入软启动，无需额外软启动电路及管脚，节省了应用成本及整体芯片功耗，提升电源系统可靠性。
一种具有恢复功能保护电路

[发明专利]一种无电阻式基准源-CN201710604992.2有效
发明人：周泽坤;曹建文;汪尧;余洪名;鲁信秋;王韵坤;石跃;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种无电阻式基准源，属于电源管理技术领域。包括启动电路，在电源建立时使所述基准源脱离零状态，在启动完成后退出；基准电压产生电路，选择阈值电压负温系数较大的PMOS管和负温系数较小的NMOS管，由PMOS管和NMOS管阈值电压之差得到基准电压中的负温电压，正温电压由热电压、亚阈值斜率因子以及相关MOS管宽长比决定，由此可得到温度特性较好的基准电压VREF；偏置电流产生电路，利用工作在亚域区的NMOS管产生具有正温特性的偏置电流，且随着温度升高，其正温特性会增强。本发明在传统亚阈值基准的基础上减少了基准电路支路来降低基准电路的功耗以及提升基准电压的电源抑制比。
一种电阻基准

[发明专利]一种具有快速负载瞬态响应的线性稳压电路-CN201710274232.X有效
发明人：明鑫;鲁信秋;张文林;张宣;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：一种具有快速负载瞬态响应的线性稳压电路，属于电源管理技术领域。包括钳位运放电路和含自适应调整电路的缓冲输出级电路，可以应用于数字负载，钳位运放电路输入基准电压，得到与需要的电压大小相等的电压作为一个参考电压，再通过具有一定带载能力的缓冲输出级得到最终需要的电压；本发明加入自适应调整电路，使得输出电压在全负载范围内的变化量减小很多，其带载能力也有所增强。本发明在简化电路结构复杂性的同时，有效的实现了快速的负载瞬态响应以及较小的输出电压变化量ΔVout。
一种具有快速负载瞬态响应线性稳压电路

[发明专利]一种用于IGBT驱动芯片的特高压电平位移电路-CN201510497916.7有效
发明人：明鑫;袁超;王彦龙;鲁信秋;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种用于IGBT驱动芯片的特高压电平位移电路。本发明的电路，包括脉冲电路产生模块、脉冲信号整形模块、特高压电平位移模块和RS触发器；其中，脉冲信号整形模块和特高压电平位移模块均由两个结构相同的子模块构成，每个子模块形成一条线路，其中的一条控制链用来产生高侧IGBT开启的脉冲信号链，一条产生高侧IGBT关断的脉冲信号链。本发明的有益效果为降低电平位移的功耗同时减缓NLDMOS的开启速度，减小NLDMOS的dV/dt，di/dt，增加NLDMOS的可靠性。
一种用于 igbt 驱动芯片高压电平位移电路

[发明专利]一种用于IGBT驱动芯片的驱动电路-CN201510497850.1有效
发明人：明鑫;袁超;王彦龙;鲁信秋;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种用于IGBT驱动芯片的驱动电路。本发明的电路，主要是在传统的电路基础上，根据IGBT的大阈值电压的特性，栅极寄生电容较大，一般有几千PF甚至上万PF，需要较大电流充电，本发明可以保证IGBT栅极电压快速的充到阈值电压点，但是同时可以保证IGBT在t1到t3时间不会产生较大的dVge/dt和dic/dt，这样可以有效的保证IGBT的可靠性，同时加快IGBT的开启速度；因此实现了根据IGBT的本身的特性可以有效的防止di/dt和dV/dt过大,防止开启的峰值电流，关断的峰值电压过大。
一种用于 igbt 驱动芯片电路

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