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[发明专利]一种晶圆调度控制方法、装置、存储介质及电子设备-CN202210417998.X在审
发明人：杨元元;周庆亚;高跃昕;侯为萍;杨旭 -专利权人：北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆调度控制方法、装置、存储介质及电子设备，通过获取模块状态，然后根据模块状态向模块发送消息指令，通过消息指令控制模块进行状态切换完成功能，实现晶圆传输和加工，能够避免不必要的查询，降低主机资源占用率，提升系统稳定性。
一种调度控制方法装置存储介质电子设备

[发明专利]一种晶圆调度方法、装置、存储介质及电子设备-CN202210024026.4在审
发明人：杨元元;高跃昕;侯为萍;周庆亚 -专利权人：北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆调度方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：获取待调度晶圆；根据预先设定的测量特性确定待调度晶圆的传输路径；根据所述传输路径调度待调度晶圆。通过实施本发明，基于预先设定的测量特性确定晶圆的传输路径，然后基于该传输路径进行晶圆的调度。由此，该晶圆调度方法待调度晶圆制定传输路径，控制晶圆按照该路径进行调度，从而实现了晶圆的统一调度，减少了晶圆传递时间，平衡机台晶圆的输入输出，提高了半导体加工设备的吞吐率。
一种调度方法装置存储介质电子设备

[实用新型]一种监测抛光垫沟槽深度变化的装置-CN202121737417.8有效
发明人： 高跃昕;崔凯 -专利权人：北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及抛光垫技术领域，具体涉及一种监测抛光垫沟槽深度变化的装置，包括修整器、修整盘、传感器、监测系统以及报警系统，修整器用于连接外部机体；修整盘与所述修整器滑动连接，用于对抛光垫进行修整；传感器与所述修整器连接，用于测量所述传感器与所述修整盘之间的目标距离；监测系统与所述传感器电连接，用于接收所述目标距离，并将所述目标距离与预设阈值进行比较；报警系统与所述监测系统电连接，用于当所述目标距离大于所述预设阈值时，发送报警信息。本实用新型能够解决现有技术中抛光垫沟槽深度变化监测不便的缺陷。
一种监测抛光沟槽深度变化装置

[发明专利]一种监测抛光垫沟槽深度变化的装置及方法-CN202110859315.1在审
发明人： 高跃昕;崔凯 -专利权人：北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明涉及抛光垫技术领域，具体涉及一种监测抛光垫沟槽深度变化的装置及方法，包括修整器、修整盘、传感器、监测系统以及报警系统，修整器用于连接外部机体；修整盘与所述修整器滑动连接，用于对抛光垫进行修整；传感器与所述修整器连接，用于测量所述传感器与所述修整盘之间的目标距离；监测系统与所述传感器电连接，用于接收所述目标距离，并将所述目标距离与预设阈值进行比较；报警系统与所述监测系统电连接，用于当所述目标距离大于所述预设阈值时，发送报警信息。本发明能够解决现有技术中抛光垫沟槽深度变化监测不便的缺陷。
一种监测抛光沟槽深度变化装置方法

[发明专利]一种芯片研磨方法-CN202010924347.0有效
发明人：崔凯;高跃昕;戴豪 -专利权人：北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片研磨方法，包括以下步骤：提供待研磨基片，所述研磨基片包括：介质层；位于所述介质层中的连接槽和附加槽；位于所述连接槽和所述附加槽内部、以及所述介质层顶部表面的导电材料层；采用第一研磨工艺研磨去除高于所述介质层顶部表面的所述导电材料层；采用第二研磨工艺研磨位于所述附加槽侧部的介质层，使得附加槽区域的导电材料层凸出于所述介质层；采用第三研磨工艺去除附加槽区域的导电材料层。所述芯片研磨方法能降低连接槽内的导电材料层的损耗程度。
一种芯片研磨方法

[发明专利]一种晶圆清洗方法-CN201910027349.7有效
发明人：刘小洁;尹影;李婷;高跃昕;刘宜霖;蒋锡兵;史超;田国军 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆清洗方法，将CMP后的晶圆立即置于含有烷基醇聚氧乙烯醚的第一氨水溶液的表面活化槽中，使晶圆的球形缺陷吸附状态被控制在易清洗的物理吸附阶段，避免晶圆因为等待兆声清洗而暴露于空气中、产生化学吸附而难以清洗去除掉表面球形缺陷；将在表面活化槽中处理后的晶圆放入兆声清洗槽中进行兆声清洗，使兆声清洗效应发挥最大效用，实现兆声清洗最大限度去除球形缺陷；将经过兆声清洗的晶圆分别经过第一刷洗槽、第二刷洗槽清洗，进一步刷洗掉晶圆表面的球形颗粒、去除其稳定粘附性，最后再经过旋转湿润干燥槽清洗并吹干后得到最终晶圆。使用该清洗方法可以有效去除晶圆在化学机械平坦化后形成的球形缺陷。
一种清洗方法

[发明专利]同时在线分析水样中微量硫离子和氯离子的低压阴离子交换色谱-光度比浊法-CN201611072725.7有效
发明人：张新申;赵正喜;高跃昕;莫珊 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G01N30/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种同时在线分析水样中微量硫离子和氯离子的低压阴离子交换色谱‑光度比浊法，使用包括低压泵、进样阀、低压阴离子色谱柱、反应器、光学流通池、光学检测器、计算机处理系统、混合器的分析仪器，步骤如下：①绘制基线、②绘制试样中S2‑和Cl‑的谱图、③绘制标准工作曲线、④根据S2‑和Cl‑谱图的峰高值和标准工作曲线的回归方程计算试样中待测S2‑和Cl‑的浓度。该方法首次将色谱法与光度比浊法联用实现了水样中微量S2‑和Cl‑的同时在线分析，具有分析速度快、分析效率高以及分析成本低的特点。
同时在线分析水样微量离子氯离子低压阴离子交换色谱光度

[发明专利]同时在线自动分析水样中微量铵根离子和亚硝酸根离子的低压阴、阳离子色谱-光度法-CN201611148465.7有效
发明人：张新申;赵正喜;莫珊;高跃昕 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种同时在线自动分析水样中微量铵根离子和亚硝酸根离子的低压阴、阳离子色谱‑光度法，使用包括低压泵、进样阀、进样环、低压阴离子交换柱、低压阳离子交换柱、氧化反应器、显色反应器、光学流通池、光学检测器、计算机处理系统、第一混合器和第二混合器的分析仪器，步骤如下：①绘制基线、②绘制试样中NH₄⁺和NO₂^‑的谱图、③绘制标准工作曲线、④根据NH₄⁺和NO₂^‑谱图的峰高值和标准工作曲线的回归方程计算试样中待测NH₄⁺和NO₂^‑的浓度。该方法首次将低压离子色谱法与光度法联用实现了水样中微量NH₄⁺和NO₂^‑的同时在线分析，具有分析成本低和分析效率高的特点。
同时在线自动分析水样微量离子亚硝酸低压阳离子色谱光度

[发明专利]一种基于流动注射-光学检测的三聚氰胺分析方法-CN201610384168.6有效
发明人：张新申;莫珊;高跃昕 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于流动注射‑光学检测的三聚氰胺分析方法，步骤依次如下：步骤1，将分析仪器设置为分析状态进行基线测绘；步骤2，将分析仪器转换至进样状态，在低压泵的驱动下，含有三聚氰胺的待测样品充满进样环；步骤3，将分析仪器转换至分析状态进行待测样品谱图；步骤4，使用一系列已知浓度的三聚氰胺标样代替含有三聚氰胺的待测样品，重复上述步骤1至步骤3，得到一系列标样谱图并绘制工作曲线；步骤5，将所绘制的待测样品谱图的峰高带入步骤4获得的工作曲线的回归方程中，计算出待测样品中三聚氰胺的浓度。通过本发明公开的分析方法，在实现对待测样品中三聚氰胺含量精确分析的同时，可简化操作、提高分析效率、降低维护成本。
一种基于流动注射光学检测三聚分析方法

[发明专利]基于三通电磁阀的低压离子色谱仪-CN201610255359.2有效
发明人：张新申;莫珊;高跃昕;赵正喜 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： G01N30/20 文献下载
摘要：本发明公开了两种结构形式的基于三通电磁阀的低压离子色谱仪和两种结构形式的基于三通电磁阀的流动注射分析仪，所述低压离子色谱仪和流动注射分析仪通过配合流路的改变，实现了采用三通电磁阀代替现有低压离子色谱仪和流动注射分析仪的六通进样阀或四通进样阀，三通电磁阀的结构简单，价格低廉，易于维护，采用三通电磁阀能够明显降低分析仪器本身的成本，还能有效降低分析仪器的维护和运行成本。本发明所述低压离子色谱仪和流动注射分析仪能有效解决分析过程中的漏液、串液问题，有利于提高分析的准确性和分析效率。
基于三通电磁阀低压离子色谱仪流动注射分析

[发明专利]水样中痕量三价铬的自动分析方法-CN201510591705.X有效
发明人：张新申;赵正喜;莫珊;高跃昕 -专利权人：四川大学
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： G01N21/79 文献下载
摘要：本发明提供了一种水样中痕量三价铬的自动分析方法，使用包括低压泵、进样阀、混合器、反应器、光学流通池、光学检测器、计算机处理系统、样品流路、推动液流路、掩蔽剂流路、氧化液流路和显色液流路的分析仪器，步骤如下①测定基线；②测定试样中三价铬的谱图；③绘制工作曲线；④将试样中三价铬谱图的峰高值带入工作曲线的回归方程中，计算试样中待测三价铬的浓度。所述推动液为HNO3水溶液，掩蔽剂为乙二胺四乙酸与吐温‑20的混合水溶液，氧化液是由高碘酸钾、三聚磷酸钠、水和磷酸盐缓冲液配制成的混合液，显色液为靛蓝胭脂红水溶液。本发明的方法实现了水样中痕量三价铬的直接测定，简化了分析操作和提高了分析的灵敏度。
水样痕量三价铬自动分析方法

[发明专利]水样中微量二价硫离子的保存方法及自动分析方法-CN201610108302.X有效
发明人：张新申;赵正喜;莫珊;高跃昕 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G01N35/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种水样中微量二价硫离子的保存方法，其操作为采集含二价硫离子的水样后立即向所述水样中加氢氧化钠至水样中氢氧根的浓度为0.1～0.2mol/L，然后在室温静置保存，保存时间不超过24h。本发明还公开了一种水样中微量二价硫离子的自动分析方法，该方法使用包括第一低压泵、第二低压泵、进样阀、第一混合器、第二混合器、反应器、光学流通池、光学检测器、计算机处理系统的分析仪器，步骤如下①测定基线；②测定试样中二价硫离子的谱图；③绘制标准工作曲线；④根据试样中二价硫离子谱图的峰高值和工作曲线的回归方程，计算试样中待测二价硫离子的浓度。本发明简化了水样中二价硫离子的保存操作，还实现了二价硫离子的低成本自动分析。
水样微量二价离子保存方法自动分析

[发明专利]具有排气功能的流动注射分析装置及流动注射分析时的排气方法-CN201510976695.1有效
发明人：张新申;莫珊;高跃昕;赵正喜;杜永华 -专利权人：四川大学
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： G01N35/08 文献下载
摘要：本发明提供的具有排气功能的流动注射分析装置，包括低压泵、六通进样阀、第一混合器、反应器、光学流通池、光学检测器、计算机处理系统、废液容器、电磁阀以及电磁阀配套使用的时间继电器。本发明还提供了流动注射分析时的排气方法，该方法使用上述具有排气功能的流动注射分析装置，能够在流动注射分析过程中实现手动排气或者自动在线排气，排气操作简单，排气效果好，有利于提高分析效率。
具有排气功能流动注射分析装置方法

[实用新型]具有排气功能的流动注射分析装置-CN201521080259.8有效
发明人：张新申;莫珊;高跃昕;赵正喜;杜永华 -专利权人：四川大学
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G01N35/08 文献下载
摘要：本实用新型提供的具有排气功能的流动注射分析装置，包括低压泵、六通进样阀、第一混合器、反应器、光学流通池、光学检测器、计算机处理系统、废液容器、电磁阀以及电磁阀配套使用的时间继电器。本实用新型所述具有排气功能的流动注射分析装置能够在流动注射分析过程中实现手动排气或者自动在线排气，排气操作简单，排气效果好，有利于提高分析效率。
具有排气功能流动注射分析装置

[发明专利]水样中痕量六价铬的自动分析方法-CN201510317028.2有效
发明人：张新申;赵正喜;高跃昕;莫珊 -专利权人：四川大学
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种水样中痕量六价铬的自动分析方法，使用包括样品流路、解吸液流路、显色液流路、低压泵、进样阀、低压浓缩柱、混合器、反应器、光学流通池、光学检测器和计算机处理系统的分析仪器，步骤如下：①绘制基线；②绘制试样中六价铬的谱图；③绘制标准工作曲线；④根据六价铬谱图的峰高值和标准工作曲线计算出试样中待测六价铬的浓度。所述低压浓缩柱的柱填料为经酸液、碱液浸泡处理的微米级γ-Al₂O₃颗粒。该方法的线性范围为0.1～8μg/L，检出限为0.079μg/L，能实现水样中痕量六价铬的直接自动在线分析，解决了现有方法因水体中六价铬含量过低而无法直接检测的难题。
水样痕量六价铬自动分析方法

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