专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数据传输的装置和方法-CN202211570515.6在审
  • 易成龙;曹杰;何杰;高晗晔;刘乃健;胡万容 - 杭州万高科技股份有限公司
  • 2022-12-08 - 2023-06-02 - G06F13/42
  • 本发明实施例公开了一种数据传输的装置和方法。该数据传输的装置包括:外围总线模块,用于在MCU进入睡眠模式前,对UART进行参数配置;接收模组,用于通过UART中的预设引脚接收数据,并根据参数配置对接收到的数据进行判断,确定是否对MCU进行唤醒,在判断结果为是的情况下,生成第一唤醒信号,并将第一唤醒信号发送至MCU;发送模组,用于接收转发模块或外围总线模块输出的数据,依据数据判断是否对MCU进行唤醒,在判断结果为是的情况下,生成第二唤醒信号,并将第二唤醒信号发送至MCU。本发明提供的方案能够实现当MCU睡眠时,UART能够依赖低频时钟实现全双工通信且支持多唤醒类型,满足电力系统通信多元化场景适用的技术效果。
  • 数据传输装置方法
  • [发明专利]一种具有并联操作功能的TFET器件-CN201911130562.7有效
  • 叶浩;胡建平;张子豪;高晗晔;戴凯 - 宁波大学
  • 2019-11-18 - 2022-07-19 - H01L29/786
  • 本发明公开了一种具有并联操作功能的TFET器件,包括第一金属栅、第二金属栅、第三金属栅、硅基沟道、第一高K介质栅氧层、第二高K介质栅氧层、第三高K介质栅氧层、源区、漏区、第一阻挡层和第二阻挡层,硅基沟道采用倒L型结构实现,第一金属栅、第二金属栅和第三金属栅位于硅基沟道外侧作为三个独立输入的栅极;优点是结构紧凑,通过三个独立的栅极控制,载流子可以在倒L型的硅基沟道沟道的上沟道、下沟道或者整个沟道通过,使得在这三种状态下的导通电流相当,达到并联操作的功能,从而可以大量减少VLSI电路设计中晶体管的使用数量,进一步简化了VLSI电路的结构,大幅度降低了VLSI电路面积和功耗。
  • 一种具有并联操作功能tfet器件

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