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[发明专利]用于将半导体芯片固定在导线框架上的方法和电子器件-CN201880015303.7有效
发明人： 马蒂亚斯·文特;克劳斯·穆勒;劳伦特·托马西尼 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种用于将半导体芯片(1)固定在导线框架(3)上的方法。所述方法包括如下方法步骤：A)提供半导体芯片(1)；B)将焊料金属层序列(2)施加到半导体芯片(1)上；C)提供导线框架(3)；D)将金属化层序列(4)施加到导线框架(3)上；E)将半导体芯片(1)经由焊料金属层序列(2)和金属化层序列(4)施加到导线框架(3)上；F)将在E)中产生的装置加热，以将半导体芯片(1)固定在导线框架(3)上，其中焊料金属层序列(2)包括：‑第一金属层(2a)，所述第一金属层包括铟或铟锡合金；‑在第一金属层(2a)之上设置的阻挡层(2b)；和‑在阻挡层(2b)和半导体芯片(1)之间设置的第二金属层(2c)，所述第二金属层包括金。
用于半导体芯片固定导线框架方法电子器件

[发明专利]电子器件和用于制造电子器件的方法-CN201680049235.7有效
发明人：芭芭拉·贝尔;安德烈亚斯·魏玛;马蒂亚斯·文特;马库斯·岑格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种器件(100)，所述器件具有第一部件(1)、第二部件(2)、连接元件(3)，所述连接元件设置在第一部件(1)和第二部件(2)之间，其中连接元件(3)具有至少一个第一相(31)和第二相(32)，其中第一相(31)包括具有浓度(c11)的第一金属(Me1)、具有浓度(c12)的第二金属(Me2)和具有浓度(c13)的第三金属(Me3)，其中第二相(32)包括具有浓度(c25)的第一金属(Me1)、第二金属(Me2)和第三金属(Me3)，其中第一金属(Me1)、第二金属(Me2)和第三金属(Me3)彼此不同，并且适合于在小于200℃的处理温度下反应，其中适用的是c11≥c25，并且c11≥c13≥c12。
电子器件用于制造方法

[发明专利]用于连接至少两个部件的方法-CN201680038955.3有效
发明人： 马蒂亚斯·文特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于连接至少两个部件(1，2)的方法，所述方法具有步骤：A)提供至少一个第一部件(1)和至少一个第二部件(2)，B)将至少一个施主层(3)施加到第一部件和/或所述第二部件(1，2)上，其中施主层(3)积聚有氧(31)，C)将金属层(4)施加到施主层(3)、第一部件和/或第二部件(1，2)上，D)至少将金属层(4)加热到第一温度(T1)，使得金属层(4)熔化并且第一部件(1)和第二部件(2)彼此连接，并且E)将该系统加热到第二温度(T2)，使得氧(31)从施主层(3)转移到金属层(4)中，并且金属层(4)转化成稳定的金属氧化物层(5)，其中金属氧化物层(5)具有比金属层(4)更高的熔化温度，其中至少施主层(3)和金属氧化物层(5)将第一部件(1)与第二部件(2)彼此连接。
用于连接至少两个部件方法

[发明专利]用于将半导体芯片固定在基板上的方法和电子器件-CN201880039332.7在审
发明人：克劳斯·穆勒;安德烈亚斯·普洛斯尔;马蒂亚斯·文特 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提出一种用于将半导体芯片(1)固定在基板(3)上的方法。方法包括如下方法步骤：A)提供半导体芯片(1)，B)将焊料金属层序列(2)施加到半导体芯片(1)上，C)提供基板(3)，D)将金属化层序列(4)施加到基板(3)上，E)将半导体芯片(1)经由焊料金属层序列(2)和金属化层序列(4)施加到基板(3)上，F)加热通过E)产生的用于将半导体芯片(1)固定在基板(3)上的装置，其中焊料金属层序列(2)包括：‑包含铟锡合金的第一金属层(2a)，‑在第一金属层(2a)之上设置的阻挡层(2b)和‑设置在阻挡层(2b)和半导体芯片(1)之间的包括金的第二金属层(2c)，其中在第二金属层中的金的物质量比在第一金属层中的锡的物质量更大。
半导体芯片基板第一金属层焊料金属第二金属层金属化层阻挡层施加物质量比铟锡合金加热