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[发明专利]一种透明电极材料、制备方法及其应用-CN202211609048.3在审
发明人：张秋根;易贵钦;马溢昌 -专利权人：嘉庚创新实验室
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种透明电极材料、制备方法及其应用。本申请的透明电极材料包括内核以及包覆内核表面的氧化锡层，内核的材料包括Ag，氧化锡层的厚度1nm。本申请的制备方法包括以下步骤：(1)将含银晶种、第一可溶性银盐、可溶性卤盐、第一溶剂以及第一封端剂混合加热，得到混合体系；(2)混合体系中加入第一溶液和第二溶剂，制得透明电极材料。本申请通过在内核材料表面包覆氧化锡层，能够提高透明电极材料的耐热性与导电稳定性。制备方法通过控制加入的Sn2+浓度以及加水量，在银纳米线制备的过程中直接进行氧化锡膜的生长，避免了冗长的银纳米线纯化、稀释过程，极大地节省时间与资源且提高效率。
一种透明电极材料制备方法及其应用

[发明专利]三氟甲基酮类化合物的制备方法及其应用-CN202211645475.7在审
发明人：张秋根;易贵钦;马溢昌 -专利权人：嘉庚创新实验室
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C07C45/45 文献下载
摘要：本申请公开一种三氟甲基酮类化合物的制备方法及其应用，采用通式为的化合物和三氟乙酸酐作为反应原料，并以吡啶类化合物作为催化剂，在催化剂的催化作用下，反应原料反应生成三氟甲基酮类化合物，通过将上述通式所示结构的化合物与吡啶类化合物的摩尔比限定在1：(1～8)以控制吡啶类化合物的用量，有效避免吡啶类化合物与产物之间发生成盐反应，减少了反应副产物的种类，从而降低了产物分离提纯的难度，进而提升了三氟甲基酮类化合物的产率，三氟甲基酮类化合物的产率可达75％以上，纯度可达98％以上。
甲基酮类化合物制备方法及其应用

[发明专利]聚合物及其制备方法以及阴离子交换膜-CN202210497739.2在审
发明人：张秋根;马溢昌 -专利权人：嘉庚创新实验室;厦门大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C08G81/00 文献下载
摘要：本申请涉及聚合物及其制备方法以及阴离子交换膜，该聚合物包括式(1)所示的结构单元和式(2)所示的结构单元，其中，Ar1和Ar2各自独立地选自源自芳香族化合物的亚芳基，L1选自C1‑C10的亚烷基，R2选自季铵基团；R4选自H或C1‑C7的烷基。由本申请的聚合物可以得到高离子电导、低溶胀、强耐碱的高性能阴离子交换膜，且合成方法无须贵金属催化剂、绿色简便，具有很高的应用前景。
聚合物及其制备方法以及阴离子交换

[发明专利]聚芳烃亚烷基高分子中空纤维超滤膜-CN202111566691.8在审
发明人：张秋根;豆杨成;马溢昌 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： B01D71/38 文献下载
摘要：聚芳烃亚烷基高分子中空纤维超滤膜，以聚芳烃亚烷基高分子为主要材料，经过一步非溶剂致相分离法制备，聚芳烃亚烷基高分子以芳烃化合物和酮类化合物为单体，超强酸为催化剂，经傅‑克反应合成，具有分子量高、热稳定性好、成膜性优异及耐化学腐蚀等优点。通过调控制膜工艺制备的聚芳烃亚烷基高分子中空纤维超滤膜具有贯穿指状孔的自支撑结构，其外径500～900μm，内径400～700μm，截留孔径5～20nm，纯水通量100～1000L/(m2h bar)。所述的聚芳烃亚烷基高分子中空纤维超滤膜应用广泛，可用于化工、环境、食品、医药等领域，聚芳烃亚烷基高分子也适用于制备平板超滤膜及内衬中空纤维超滤膜。
芳烃烷基高分子中空纤维超滤膜

[发明专利]一种钯离子印迹共聚物膜的制备方法以及钯离子印迹共聚物膜的应用-CN201910684733.4有效
发明人：曾坚贤;马溢昌;周虎;刘国清;蹇建;袁正求;刘源 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： B01D71/80 文献下载
摘要：本发明属于的领域，具体涉及一种钯离子印迹共聚物膜的制备方法以及钯离子印迹共聚物膜的应用，钯离子印迹共聚物膜的制备方法包括如下步骤：(1)双羟基端聚砜的制备：4,4‑二氯二苯砜与双酚A进行亲核缩聚反应制备双羟基端聚砜；(2)大分子链转移剂的合成；(3)三嵌段共聚物的制备；(4)金属‑有机复合物的制备；(5)成膜。本发明制备的钯离子印迹共聚物膜选择性吸附容量大、吸附速度快、使用寿命强，具备较好的膜分离能力和极高的通量，可极大地提高了钯离子的分离效率。本发明制备的非印迹共聚物膜在酸性溶液条件下能对钯离子有很好的特异性选择，钯离子印迹共聚物膜的特异性选择则更高，可以将钯(II)从电镀漂洗废水有效分离。
一种离子印迹共聚物制备方法以及应用

[发明专利]一种含铂废水的处理方法-CN201810331938.X有效
发明人：曾坚贤;吕超强;刘国清;曾令玮;董志辉;曾杰辉;马溢昌 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明属于化工传质和分离技术领域，具体涉及一种含铂废水的处理方法，包括如下步骤：(1)自然沉降；(2)有机悬浮物的处理；(3)高浓度重金属处理；(4)将经步骤(3)处理后的上清液泵送至转移池，调节pH；(5)膜处理：将步骤(4)中的废水泵送至膜过滤设备进行膜滤，所述膜过滤设备中的膜组件包括Pt(IV)离子印迹共混膜；(6)膜反洗：将步骤(5)中的Pt(IV)离子取出进行反洗，回收Pt(IV)离子。本发明的方法简单，净化能力强，有效清除污水中的有害物质的同时回收目标铂，显著提高环保效益和经济效益。
一种废水处理方法

[发明专利]一种钨酸根离子印迹陶瓷膜的制备方法以及含钨废水的处理方法-CN201810331940.7有效
发明人：曾坚贤;董志辉;郑柏树;周虎;吕超强;曾杰辉;马溢昌 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明属于离子印迹技术领域，具体涉及一种钨酸根离子印迹陶瓷膜的制备方法以及含钨废水的处理方法，所述钨酸根离子印迹陶瓷膜的制备方法包括如下步骤：(1)聚乙烯亚胺和聚多巴胺共沉积的陶瓷膜的制备；(2)聚乙烯亚胺和聚多巴胺共沉积的陶瓷膜与钨酸根离子吸附反应；(3)将吸附饱和的共沉积的陶瓷膜浸入到戊二醛的乙醇溶液中，反应完全后真空处理预定时间；(4)模板离子的洗脱。本发明制备的钨酸根离子印迹陶瓷膜不仅对钨酸根离子拥有高的吸附性能，同时便显出卓越的选择性和超快速的吸附速率，而且结构性能稳定，陶瓷膜表面的印迹材料分布均匀，二者结合性能好，不易脱落，该印迹陶瓷膜的可重复利用性能优异。
一种酸根离子印迹陶瓷膜制备方法以及废水处理

[发明专利]一种离子印迹共混膜的制备方法-CN201810333720.8有效
发明人：曾坚贤;吕超强;周虎;郑柏树;董志辉;马溢昌;曾杰辉 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子印迹共混膜的制备方法，包括如下步骤：(1)大分子链转移剂的合成：利用甲基丙烯酸甲酯和RAFT试剂在热引发剂按预定的比例合成；(2)两亲性嵌段功能聚合物的合成：将4‑乙烯基吡啶、热引发剂以及步骤(1)中合成的大分子链转移剂合成；(3)模板离子‑高分子配合物的合成；(4)铸膜：将步骤(3)中的模板离子‑高分子配合物与膜基体按预定的比例溶解在溶剂中搅拌预定时间至混合均匀得到铸膜液，将铸膜液脱除气泡后铸膜；(5)洗脱。本发明在成膜过程中亲水嵌段能快速移动到膜的表面，不会因为模板离子被PVDF包埋的过深而不易洗脱，在膜的表面产生更多的结合位点，增加离子印迹共混膜吸附选择性和吸附容量。
一种离子印迹共混膜制备方法

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