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[发明专利]光检测装置-CN202310802726.6在审
发明人：藤田卓也;田村有正;牧野健二;马场隆;山本晃永 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：光检测装置具备由化合物半导体构成的雪崩光电二极管阵列基板(10)。在雪崩光电二极管阵列基板(10)，二维排列有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(20)。电路基板(50)具有互相并联连接并形成至少1个信道(40)的多个输出单元(30)。各输出单元(30)具有被动淬灭元件(31)及电容元件(32)。被动淬灭元件(31)与多个雪崩光电二极管(20)的至少一个串联连接。电容元件(32)与至少1个雪崩光电二极管(20)串联连接且与被动淬灭元件(31)并联连接。
检测装置

[发明专利]光检测装置-CN201780069329.5有效
发明人：中村重幸;足立俊介;马场隆;永野辉昌;山本晃永 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：光检测装置具备：具有二维排列的多个像素的半导体光检测元件、具有对来自对应的像素的输出信号进行处理的多个信号处理部的搭载基板。半导体光检测元件在每个像素具有：多个雪崩光电二极管，其以盖革模式动作；多个灭弧电阻，其串联地电连接于对应的雪崩光电二极管；贯通电极，其与多个灭弧电阻电连接。各信号处理部具有通过对应的贯通电极而电连接有多个雪崩光电二极管并且输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号的电流镜电路。搭载基板具有的多个信号处理部的数量比各像素中的受光区域的数量多。
检测装置

[发明专利]光检测装置-CN201980009407.1有效
发明人：藤田卓也;田村有正;牧野健二;马场隆;山本晃永 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：光检测装置具备由化合物半导体构成的雪崩光电二极管阵列基板(10)。在雪崩光电二极管阵列基板(10)，二维排列有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(20)。电路基板(50)具有互相并联连接并形成至少1个信道(40)的多个输出单元(30)。各输出单元(30)具有被动淬灭元件(31)及电容元件(32)。被动淬灭元件(31)与多个雪崩光电二极管(20)的至少一个串联连接。电容元件(32)与至少1个雪崩光电二极管(20)串联连接且与被动淬灭元件(31)并联连接。
检测装置

[发明专利]光检测装置-CN201980009397.1有效
发明人： 马场隆;枦达也;铃木祥仁;牧野健二;中村重幸 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：光检测装置(1)具备由化合物半导体构成的雪崩光电二极管阵列基板(10)。电路基板(50)具有多个时间测量电路(40)及时钟驱动器(35)。各时间测量电路(40)具有延迟线部，根据延迟线(47)的动作结果，取得表示自对应的雪崩光电二极管(20)输入脉冲信号的时机的时间信息。延迟线部对应于脉冲信号输入到该时间测量电路(40)而开始延迟线(47)的动作，对应于来自时钟驱动器(35)的时钟信号输入到该时间测量电路(40)而停止延迟线(47)的动作，通过延迟线(47)的动作检测较时钟信号的周期短的时间间隔。
检测装置

[发明专利]物流管理装置、物流管理装置的控制方法以及控制程序-CN202180061557.4在审
发明人： 马场隆;张驰 -专利权人：株式会社米思米集团总公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06Q50/30 文献下载
摘要：物流管理装置对使用第一保管所、第二保管所以及第三保管所的物流系统进行管理，第一保管所用于保管由使用物品的用户进行领取的第一类物品，第二保管所用于保管向利用多个第一保管所的各个第一保管所的用户输送的第二类物品，第三保管所用于保管向利用多个第二保管所各自对应的多个第一保管所的各个第一保管所的用户输送的第三类物品，该物流管理装置具备：获取部件，其获取各用户使用物品的使用频度；以及分类部件，其基于属于针对第三保管所设定的输送对象区域的多个用户的使用频度，将与第一使用频度对应的物品分类为第一类物品，将与比第一使用频度低的第二使用频度对应的物品分类为第二类物品，将与比第二使用频度低的第三使用频度对应的物品分类为第三类物品。
物流管理装置控制方法以及控制程序

[发明专利]光检测装置-CN202180017048.1在审
发明人：枦达也;岩科进也;马场隆;中村重幸 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-02-15 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明的光检测装置(1)中，电路基板(20)具有处理从对应的像素输出的检测信号的多个信号处理部(SP)。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部(SP)中，时机测量部(42)基于检测信号，测量光入射至对应的像素的时机。能量测量部(43)基于检测信号，测量向对应的像素的入射光的能量。存储部(44)存储时机测量部(42)和能量测量部(43)中的测量结果。设有多个像素的光检测区域(α)和设有多个信号处理部的信号处理区域(β)至少一部分重叠。
检测装置

[发明专利]光检测装置-CN201780069391.4有效
发明人：石田笃司;马场隆;永野辉昌;细川畅郎 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：光检测装置包括：具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板；和在厚度方向上贯通半导体基板的多个贯通电极。半导体基板具有以盖革模式工作的多个雪崩光电二极管。多个贯通电极与对应的雪崩光电二极管电连接。半导体基板包括：至少在第一方向上排列有多个雪崩光电二极管的第一区域；和二维排列有多个贯通电极的第二区域。第一区域和第二区域，从与第一主面正交的方向看在与第一方向正交的第二方向上排列。
检测装置

[发明专利]光检测装置-CN201780046066.6有效
发明人：石田笃司;细川畅郎;永野辉昌;马场隆 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：光检测装置包括：半导体基板；具有配置于半导体基板的第一主面侧的受光区域且在半导体基板二维排列的多个雪崩光电二极管；以及与对应的受光区域电连接的贯通电极。贯通电极配置于在多个雪崩光电二极管被二维排列的区域内贯通半导体基板的贯通孔。在半导体基板的第一主面侧，包围贯通孔的槽形成于贯通孔和与贯通孔相邻的受光区域之间的区域。槽的边缘与被槽包围的贯通孔的边缘的第一距离比槽的边缘与和被槽包围的贯通孔相邻的受光区域的边缘的第二距离长。
检测装置

[发明专利]光检测装置-CN201780046098.6有效
发明人：石田笃司;永野辉昌;马场隆 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：光检测装置包括：半导体基板；具有受光区域且呈行列状排列在半导体基板的多个雪崩光电二极管；以及与对应的受光区域电连接的多个贯通电极。多个贯通电极配置于被多个雪崩光电二极管中的彼此相邻的四个雪崩光电二极管所包围的各个区域。从与半导体基板的第一主面正交的方向观察，各个受光区域呈多边形形状，该多边形形状包括：在行方向上彼此相对且在列方向上延伸的一对第一边；以及与包围受光区域的四个贯通电极相对且分别在与行方向以及列方向交叉的方向上延伸的四个第二边。第一边的长度比第二边的长度短。
检测装置

[发明专利]半导体装置-CN201680018576.8有效
发明人：石田笃司;细川畅郎;永野辉昌;马场隆 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明所涉及的半导体装置(1)中的贯通孔(7)为垂直孔。对于包含贯通孔(7)的中心线(CL)的平面来说在分别着眼于中心线(CL)的两侧区域的情况下，将连结对应于绝缘层(10)的开口(10a)的边缘的第1点(X1)和对应于第2开口(7b)的边缘的第2点(X2)的线段设定为第1线段(S1)，将连结第2点(X2)和对应于第2开口(7b)与绝缘层(10)的表面(10b)交叉的点的第3点(X3)的线段设定为第2线段(S2)，将连结第3点(X3)和第1点(X1)的线段设定为第3线段(S3)。此时，相对于第1线段(S1)位于一方侧的绝缘层(10)的第1面积(A1)大于由第1线段(S1)和第2线段(S2)以及第3线段(S3)围起来的绝缘层(10)的第2面积(A2)与相对于第3线段(S3)位于另一方侧的绝缘层(10)的第3面积(A3)之和。
半导体装置

[发明专利]光检测装置-CN201780069330.8有效
发明人： 马场隆;足立俊介;中村重幸;永野辉昌;山本晃永 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：光检测装置具备一维排列有多个像素的半导体基板。光检测装置在每个像素具有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管、串联地电连接于对应的雪崩光电二极管的多个灭弧电阻、对来自多个雪崩光电二极管的输出信号进行处理的信号处理部。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部具有栅极接地电路和电连接于栅极接地电路的电流镜电路。在栅极接地电路，通过多个灭弧电阻电连接有对应的像素的多个雪崩光电二极管。电流镜电路输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号。
检测装置

[发明专利]半导体光检测装置-CN201980047257.3在审
发明人：土屋龙太郎;永野辉昌;马场隆 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G01S7/4863 文献下载
摘要：半导体基板具有互相相对的第一主面和第二主面、以及矩阵状地二维排列的多个单元。各单元包含以盖革模式动作的至少一个雪崩光电二极管。在半导体基板，贯通半导体基板的沟槽以从正交于第一主面的方向观察时包围各单元的方式形成。遮光构件光学地分离多个单元中的互相相邻的单元。遮光构件具有在沟槽的第一主面上的开口端与沟槽的第二主面上的开口端之间沿半导体基板的厚度方向延伸的第一部分、和从第二主面突出的第二部分。绝缘膜具有覆盖第二部分的部分。
半导体检测装置

[发明专利]背面入射型半导体光检测装置-CN201980031120.9在审
发明人：石田笃司;马场隆;冈田真昇;永野辉昌 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：背面入射型半导体光检测装置(1)包括具有被二维排列的多个像素(U)的光检测基板(10)和具有对来自对应的像素(U)的输出信号进行处理的多个信号处理部的电路基板。光检测基板(10)在每个像素(U)中包括分别具有设置在半导体基板(50)的第一主面(1Nb)侧的受光区域(S)并且以盖革模式进行动作的多个雪崩光电二极管(APD)。在半导体基板(50)中，从与第一主面(1Nb)正交的方向观察时，沟槽(13)在每个像素(U)中包围包含受光区域(S)的至少一个区域(α)。多个信号处理部的数量比各像素(U)中的受光区域(S)的数量多，由各像素(U)中的沟槽(13)包围的区域(α)的数量为该像素(U)中的受光区域(S)的数量以下。
背面入射半导体检测装置

[发明专利]光检测装置-CN201610029960.X有效
发明人：永野辉昌;细川畅郎;铃木智史;马场隆 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明的半导体光检测元件(10)将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(APD)、相对于各雪崩光电二极管(APD)串联连接的灭弧电阻(R1)、及并联连接有灭弧电阻(R1)的信号线(TL)的光电二极管阵列(PDA)作为一个信道且具有多个信道。搭载基板(20)与各信道对应的多个电极(E9)配置于主面(20a)侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部(SP)配置于主面(20b)侧。在半导体基板(1N)中，在各信道形成有与信号线(TL)电连接的贯通电极(TE)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸块电极(BE)而电连接。
检测装置

[发明专利]光检测装置-CN201610044557.4有效
发明人：永野辉昌;细川畅郎;铃木智史;马场隆 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：半导体光检测元件(10)包含：多个雪崩光电二极管(APD)，其以盖革模式动作并且形成在半导体基板(1N)内；灭弧电阻(R1)，其相对于各个雪崩光电二极管(APD)串联连接并且配置在半导体基板(1N)的主面(1Na)侧；以及多个贯通电极(TE)，其与灭弧电阻(R1)电连接且从主面(1Na)侧至主面(1Nb)侧为止贯通半导体基板(1N)而形成。搭载基板(20)包含对应于每个贯通电极(TE)而配置在主面(20a)侧的多个电极(E9)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸点电极(BE)而电连接，且半导体基板(1N)的侧面(1Nc)与玻璃基板(30)的侧面(30c)成为同一平面。
检测装置

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