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[发明专利]基于感应耦合等离子体的原子分析系统和方法-CN202180077921.6在审
发明人：亚历山大·洛博达;雷蒙德·琼;迈克尔·沙利文;谢尔盖·沃罗比耶夫;罗伯特·罗滕贝格;埃米尔·斯特拉图拉蒂夫;马克西姆·沃罗诺夫;马克·阿姆斯特朗 -专利权人：富鲁达加拿大公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：感应耦合等离子体(ICP)分析器使用ICP炬生成等离子体，在该ICP炬中，样品被雾化和电离。可以通过原子分析(例如质谱分析法(MS)或原子发射光谱分析法(AES))执行对原子离子的分析。基于颗粒的ICP分析包括通过在ICP炬箱中雾化并电离颗粒、随后进行原子分析来分析颗粒(例如，细胞、磁珠或激光烧蚀羽流)。在质谱流式细胞技术中，通过质谱分析法，例如通过ICP‑MS来分析颗粒的质量标签。本主题申请的系统和方法包括以下各项中的一项或多项：可拆卸的ICP炬保持器组件、外部点燃设备、包括环形翅片的ICP加感线圈、颗粒悬浮样品引入射流、以及它的ICP分析器。
基于感应耦合等离子体原子分析系统方法

[发明专利]含玻璃的阻燃聚碳酸酯组合物-CN202180062311.9在审
发明人： 马克·阿姆斯特朗;马克·万德米;托尼·法雷尔;雷姆科·维尔茨 -专利权人：高新特殊工程塑料全球技术有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C08G77/448 文献下载
摘要：描述了阻燃组合物、制备该组合物的方法、以及包含该组合物的复合材料。阻燃组合物可以包含10重量％至85重量％的第一聚(碳酸酯‑硅氧烷)共聚物；10重量％至30重量％的含玻璃的填充剂，优选玻璃纤维；和1重量％至10重量％的有机磷阻燃剂。第一聚(碳酸酯‑硅氧烷)共聚物可以是含有小于0.5摩尔％的直接与其他硅氧烷单元偶联的硅氧烷单元的无规共聚物，并且包含5重量％至25重量％的硅氧烷含量。组合物具有2重量％至15重量％的总硅氧烷含量，并且该组合物具有在1.5mm的厚度下大于70％的透光率，和/或在1.5mm的厚度下V0的UL94等级。
玻璃阻燃聚碳酸酯组合

[发明专利]产品展示架-CN201780072015.0有效
发明人：雷·布尔克;马克·阿姆斯特朗;纳鲁特·鲁蒂拉蓬 -专利权人： WM.雷格利 JR.公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： A47F1/00 文献下载
摘要：公开了用于展示架的方法和设备。该展示架包括托盘、支架和偏压构件。该托盘包括多个壁，所述多个壁被构造成容纳多个消费品。该支架联接到所述托盘并包括内部壁，该内部壁在第一构造中脱离支架边缘的内表面，并且在第二构造中接合所述支架边缘，在该第一构造中，所述支架被折叠，在该第二构造中，所述支架竖立。所述偏压构件联接到支架，并且偏压所述支架以从第一构造移动到第二构造。
产品展示

[发明专利]装置-CN202080054907.X在审
发明人：埃米·利达姆;约书亚·麦卡锡;任宗云;雪莉·刘;丹尼尔·麦克斯;阿兰娜·莱顿;马克·斯派尔;马克·阿姆斯特朗 -专利权人：莫提格医疗产品私人有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： A61B17/00 文献下载
摘要：用于在外科程序期间取回标本的装置，该装置包括：轴组件，该轴组件具有：外轴；内轴，该内轴被配置为在外轴内纵向可移动；柄体端部；以及，标本端部，该标本端部与柄体端部相对形成；标本取回构件，该标本取回构件在标本端部处可操作地连接至轴构件；以及，在柄体端部处连接至轴构件的柄体设备，该柄体设备在未展开状态和展开状态之间至少部分可移动，以使内轴相对于外轴移动以取回标本。
装置

[发明专利]具有凸起的结区域的PMOS晶体管应变最优化-CN200410050187.2有效
发明人：马克·T·伯尔;塔希尔·加尼;斯蒂芬·塞亚;凯扎德·米斯特里;克里斯托弗·P·奥特;马克·阿姆斯特朗;基恩·E·扎瓦兹基 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有凸起的结区域的PMOS晶体管。由器件的结区域中的与衬底的表面处于非同面的关系的硅合金材料提供了PMOS晶体管沟道区域中的最优应变。选择硅合金材料、硅合金材料的尺寸以及硅合金材料与衬底表面的非同面的关系，使得硅合金材料的晶格间距和衬底的晶格间距之间的差异引起衬底表面下方以及衬底表面上方的硅合金材料中的应变，以在衬底沟道中产生最优的硅合金引起的应变。此外，可以选择非同面的关系，使得由形成在硅合金材料上方的具有不同晶格间距的层所引起的任何应变对沟道区域中的应变的影响减小。
具有凸起区域 pmos 晶体管应变优化

[发明专利]利用特定晶体管取向的CMOS制造方法-CN01819761.2有效
发明人： 马克·阿姆斯特朗;格哈德·施罗姆;克林·J·库恩;保罗·A·帕茨卡恩;苏尼特·D·佳格;斯科特·E·汤普森 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-11-06 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：互补金属氧化物半导体晶体管形成在硅基片上。基片具有{100}结晶取向。形成在基片上的晶体管的取向，是使电流在晶体管沟道内的流动方向平行于<100>方向。此外，在沟道上还施加纵向拉应力。
利用特定晶体管取向 cmos 制造方法