专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光二极管元件-CN202180094583.7在审
  • 三嶋飞鸟;饭田大辅 - 浜松光子学株式会社
  • 2021-11-11 - 2023-10-13 - H01L33/06
  • 本发明的发光二极管元件(1)具备:半导体基板(10),其具有第1面(10a)、和第1面(10a)的相反侧的第2面(10b);半导体层叠部(20),其形成于半导体基板(10)的第1面(10a)上;第1电极(51),其与半导体层叠部(20)的半导体基板(10)侧的一部分连接;以及第2电极(52),其与半导体层叠部(20)的半导体基板(10)的相反侧的一部分连接,半导体层叠部(20)包括:n型半导体层(20A);活性层(25),其具有p型的导电型,层叠于n型半导体层(20A);以及p型半导体层(20B),其在与n型半导体层(20A)的相反侧,层叠于活性层(25),活性层具有包含AlInAs的势垒层和包括InAsSb的阱层交替地层叠而构成的多量子阱结构,势垒层的晶格常数小于n型半导体层(20A)的晶格常数,阱层的晶格常数大于n型半导体层(20A)的晶格常数。
  • 发光二极管元件
  • [发明专利]设备位置确定系统、罩以及设备位置确定方法-CN202180081160.1在审
  • 饭田大辅;古敷谷优介;本田奈月 - 日本电信电话株式会社
  • 2021-01-21 - 2023-08-08 - G01H9/00
  • 本发明的目的在于提供设备位置确定系统、罩以及设备位置确定方法,能够在不直接干扰架空线缆本身的情况下确定架空线缆的路径。本发明的设备位置确定系统具备:沿着架空线缆26的光纤25;筒状的罩40,在架空线缆26的长度方向的任意部位覆盖架空线缆26;光测量器20,与光纤25的端部连接,获取从罩40对架空线缆26施加振动时来自光纤25的散射光的时间变化,作为光纤25的长度方向的散射光强度分布的时间变化;和,信号处理部21,基于所述散射光强度分布确定被给予了所述振动的光纤25上的振动位置,通过使光纤25上的所述振动位置与架空线缆26在地图上的位置对应,确定被施加了所述振动的架空线缆26的现实位置。
  • 设备位置确定系统以及方法
  • [发明专利]振动分布测量装置及其方法-CN202080104705.1在审
  • 冈本达也;饭田大辅;押田博之 - 日本电信电话株式会社
  • 2020-08-26 - 2023-05-30 - G01H9/00
  • 本公开的目的是在适合测量对象的适当条件下,能够进行利用频谱移位的振动分析。本公开的振动分布测量装置,是在不同时间对被测量光纤中的后向散射光进行多次测量,从测量得到的多个后向散射光波形中提取确定的窗区间的光谱,并使用提取的所述多个后向散射光波形的光谱来测量所述被测量光纤中的振动分布的振动分布测量装置;所述振动分布测量装置使用所述被测量光纤在所述窗区间的振动振幅比在所述窗区间确定的阈值大的窗区间,计算出该窗区间的光谱。
  • 振动分布测量装置及其方法
  • [发明专利]光半导体元件-CN202211267029.7在审
  • 柳井崇秀;饭田大辅 - 浜松光子学株式会社
  • 2022-10-17 - 2023-04-21 - H01L27/144
  • 光半导体元件具备基板和多个元件。各元件具有光学层、第一半导体层及第二半导体层。多个元件包含第一元件及第二元件。第一元件的第二半导体层和第二元件的第一半导体层通过第一配线部的第一连接部而相互电连接。第一配线部具有以包围第一元件的光学层的四个边部的方式从第一连接部延伸的第一延伸部。光学层是产生3μm以上10μm以下的中心波长的光的活性层、或具有3μm以上10μm以下的最大灵敏度波长的吸收层。
  • 半导体元件
  • [发明专利]光半导体元件-CN202211271106.6在审
  • 柳井崇秀;饭田大辅 - 浜松光子学株式会社
  • 2022-10-17 - 2023-04-21 - H01L33/38
  • 光半导体元件具备:基板;半导体层叠体,其具有光学层、第一半导体层及第二半导体层,光学层及第一半导体层构成台部,第二半导体层具有外侧部分;第一电极,其形成于台部上,与第一半导体层连接;第一绝缘层,其形成于第一电极上;第二电极,其具有在外侧部分与第二半导体层连接的第一部分、及以与第一电极重叠的方式配置在第一绝缘层上的第二部分;以及第二绝缘层,其形成于第二电极上。在第一绝缘层上形成有露出第一电极的开口。在第二绝缘层上形成有露出第二电极的第二部分的开口。
  • 半导体元件
  • [发明专利]光频域反射计测装置及方法-CN202080103152.8在审
  • 冈本达也;饭田大辅;押田博之 - 日本电信电话株式会社
  • 2020-09-15 - 2023-03-28 - G01M11/00
  • 本公开的目的在于,能够以100μm以下的空间分辨率测量超过1km的远距离,使对设置在远距离的光学设备的健全性进行诊断成为可能。本公开的装置为光频域反射计测装置,包括:本地光延迟光纤,使本地光延迟;光90度混合器,输入通过所述本地光延迟光纤延迟后的本地光以及来自测量对象的后向散射光,使本地光和后向散射光发生干涉,生成由该干涉产生的节拍信号的同相分量以及正交分量;和,平衡光电检测器,检测所述节拍信号的同相分量和正交分量;所述装置对以所述本地光延迟光纤为基准的相对距离,测量测量对象的光频率响应。
  • 光频域反射装置方法
  • [发明专利]应变变化测量装置和应变变化测量方法-CN202080101927.8在审
  • 胁坂佳史;大野槙悟;饭田大辅;押田博之 - 日本电信电话株式会社
  • 2020-06-22 - 2023-02-14 - G01B11/16
  • 本发明提供应变变化测量装置和应变变化测量方法,目的在于以高采样率实施施加于分支后的各芯线的振动的分布测定。本发明的应变变化测量装置在参照时刻,将具有频率相对于时间而线性变化的啁啾的第一啁啾脉冲光入射到由耦合器分支的被测定光纤,取得相对于第一啁啾脉冲光的第一散射光的信号,在各监测时刻,将使啁啾与第一啁啾脉冲光在时间轴上反转的第二啁啾脉冲光入射到所述被测定光纤,取得相对于第二啁啾脉冲光的第二散射光的信号,求出使第一散射光的信号在时间轴上反转而且偏移的波形与第二散射光的信号的波形之间的相关成为最大的偏移量,并使用该偏移量来计算从参照时刻到各监测时刻的所述被测定光纤中的应变量的变化。
  • 应变变化测量装置测量方法

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