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[实用新型]支撑装置和具有其的晶体生长设备-CN202223400102.1有效
发明人： 颜子棋;李向阳;冯参 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种支撑装置和具有其的晶体生长设备，支撑装置包括：固定件，固定件为环形且在内侧限定支撑空间，固定件具有容纳腔，固定件上形成有连通口，连通口连通容纳腔与支撑空间；支撑件，支撑件在初始位置和支撑位置之间可活动地设于固定件，支撑件在初始位置时，支撑件位于容纳腔内，支撑件在支撑位置时，支撑件的穿过连通口伸入支撑空间用于支撑二次加料管。根据本实用新型的支撑装置，通过设置固定件和支撑件，使支撑件在不需要对二次加料管支撑时不凸出在晶体生长设备内壁外，从而避免在晶体生长设备工作过程中产生的粉尘颗粒物堆积到支撑件上，同时避免了支撑件突出于晶体生长设备内壁而对炉内工艺气体流动造成扰动的不利影响。
支撑装置具有晶体生长设备

[实用新型]防晶棒坠落装置和具有其的晶体生长设备-CN202223212855.X有效
发明人： 颜子棋;李向阳 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防晶棒坠落装置和具有其的晶体生长设备，防晶棒坠落装置包括：安装座和托臂，托臂可转动地设于安装座上，托臂具有防脱状态，在防脱状态，托臂在第一防坠位置和第二防坠位置之间可活动，托臂在第一防坠位置、第二防坠位置和位于第一防坠位置和第二防坠位置之间的任一位置，托臂均可承接晶棒。根据本实用新型的防晶棒坠落装置，通过安装座上设置的可活动托臂，可以在取棒的整个过程中，为晶棒提供承接作用，进而可以防止晶棒坠落至地面，降低对晶棒本身、地面操作人员及生长设备造成损坏及伤害。
防晶棒坠落装置具有晶体生长设备

[发明专利]防晶棒坠落装置、晶体生长设备及防止晶棒坠落方法-CN202211532815.5在审
发明人： 颜子棋;李向阳 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种防晶棒坠落装置、晶体生长设备及防止晶棒坠落的方法，防晶棒坠落装置包括：安装座和托臂，托臂可活动地设于安装座上，托臂在第一防坠位置和第二防坠位置之间可活动，在第一防坠位置时，托臂位于晶棒的下侧，托臂适于与晶棒的尾部的外表面接触，或，托臂适于与尾部上下相对，以使托臂可承接晶棒；在第二防坠位置时，托臂位于晶棒的径向外侧，托臂与晶棒的等径部的外表面接触，或，托臂与等径部的外表面之间的间距小于预设防坠间距，以使托臂可承接晶棒。根据本发明的防晶棒坠落装置，可以在取棒的整个过程中，为晶棒提供承接作用，进而可以防止晶棒坠落至地面，降低对晶棒本身、地面操作人员及生长设备造成损坏及伤害。
防晶棒坠落装置晶体生长设备防止方法

[实用新型]限流结构、分水器及单晶炉的水排系统-CN202222706194.X有效
发明人： 颜子棋;李向阳 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： F17D1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种限流结构、分水器及单晶炉的水排系统，所述限流结构包括：限流件，限流件具有用于液体流动的第一通道，第一通道内设有封堵件，封堵件的外周壁与第一通道的内周壁连接，封堵件上设有多个间隔开的限流孔；调节柱，调节柱为多个，每个限流孔内均可选择的设置调节柱以封堵限流孔。根据本实用新型的限流结构，通过控制调节柱封堵限流孔的数量，从而控制从封堵件流出的液体流量，进而控制第一通道的出口流出的液体流量。同时，通过限流件和调节柱的设置有效保证从第一通道的出口流出的液体流量稳定。另外，可以根据需求精准调整限流结构流出的液体流量，且结构简单，操作方便，具有较高的可靠性。
限流结构分水单晶炉系统

[实用新型]隔离阀组件和具有其的晶体生长设备-CN202222714182.1有效
发明人： 颜子棋;李向阳 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： F16K5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种隔离阀组件和具有其的晶体生长设备，隔离阀组件适于设在主室和副室之间，且包括阀体、阀芯和驱动装置，阀体限定出阀腔，阀腔为球形腔，球形腔具有第一通口和第二通口；阀芯可转动地设于阀腔内，阀芯为球台结构，且阀芯限定出连通通道，连通通道贯穿阀芯的轴向两端端面，阀芯具有第一位置和第二位置，在第一位置，连通通道竖直设置且连通第一通口和第二通口，在第二位置，连通通道水平设置且隔断第一通口和第二通口。根据本实用新型的隔离阀组件，可以保证在主室和副室之间气体流动方向的单一性，同时隔离阀组件结构简单，有效减少隔离阀组件的异常故障的出现，且方便隔离阀组件的清洁维护。
隔离组件具有晶体生长设备

[实用新型]过滤装置和晶体生长装置-CN202222297211.9有效
发明人： 颜子棋;李向阳 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B01D46/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种过滤装置和晶体生长装置，所述过滤装置包括：壳体，壳体内具有过滤腔，壳体上形成有与过滤腔连通的进气口和出气口，过滤腔的底部设有排尘口；过滤件，过滤件设于过滤腔内且位于进气口和出气口之间，过滤件用于过滤粉尘；振动机构，振动机构适于与过滤件相连，振动机构用于驱动过滤件振动。根据本实用新型的过滤装置，通过在过滤腔内设有过滤件，用来过滤气体中的粉尘；并且设置了振动机构与过滤件相连，振动机构可对过滤件的滤芯外表面进行振动除尘，延长过滤件的使用时间，由此，提高过滤装置的寿命；在过滤腔的底部还设有排尘口，可以定期的将粉尘通过排尘口排出，有效避免罐体内残余粉尘回流到晶体生长设备腔体内。
过滤装置晶体生长

[实用新型]抽真空系统和具有其的晶体生产装置-CN202222598709.9有效
发明人： 颜子棋;李向阳 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： F04B37/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抽真空系统和具有其的晶体生产装置，抽真空系统包括：真空泵、抽气管、第一开关阀、调节管、第一调节阀和过滤器。抽气管的入口端连通待抽气腔室且出口端连接真空泵，第一开关阀串接在抽气管上，调节管的两端分别与第一开关阀的两端的管路相连，第一调节阀串接于调节管上；过滤器串接在抽气管上且位于第一开关阀和第一调节阀的上游。根据本实用新型的抽真空系统，通过将过滤器设置在真空泵的上游，避免杂质及粉尘状小颗粒物进入真空泵内而对真空泵造成损坏，从而使抽真空系统工作更为稳定，降低对抽真空系统的清理难度，同时设置第一开光阀和第一调节阀，实现快速抽气和对抽真空系统内气体流量进行连续的调节。
真空系统具有晶体生产装置

[实用新型]清扫装置、连接管组件和晶体生长设备-CN202222634672.0有效
发明人： 颜子棋;李向阳 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B08B9/047 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种清扫装置、连接管组件和晶体生长设备，清扫装置包括固定件、清扫部件和第一驱动部件，固定件适于固设于第二支路的远离第一支路的一端；清扫部件包括连杆、承载台和铲除器，连杆穿设于固定件，承载台和铲除器沿连杆的轴向间隔设置，铲除器具有镂空部，铲除器位于承载台的背离固定件的一侧且用于至少清扫第一支路的内壁面，承载台用于承载铲除器去除的附着物的至少部分；第一驱动部件设于固定件且用于驱动连杆沿连杆的轴向移动。根据本实用新型的清扫装置，可以提高对管路的清理能力，节约清扫时间，延长对管路清扫周期，同时避免了管路堵塞造成的生产损失。
清扫装置接管组件晶体生长设备

[实用新型]抽真空系统-CN202221043704.3有效
发明人： 颜子棋 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： F04B41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抽真空系统，所述抽真空系统包括：炉体、主泵、主管和压力检测器；所述炉体具有多个第一抽气口；所述主泵具有第一入口端；所述主管连接在多个所述第一抽气口与所述第一入口端之间，所述主管上设有用于调节所述主管内单位时间所通过的气体流量的调节结构；所述压力检测器设于所述炉体用于检测所述炉体内的压力，所述压力检测器与所述调节结构通讯连接。根据本实用新型的抽真空系统，通过在主管上设置可以改变气体流量的调节机构，来减小炉内抽真空过程中气体的流量，进而避免抽真空过程中炉体反气、倒吸的现象发生，有利于提升生产效率以及产品品质。
真空系统

[实用新型]晶体生长装置-CN202123390633.2有效
发明人： 颜子棋 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体生长装置，包括炉体、隔离阀和护套组件，炉体内限定出炉腔，炉腔包括主室、隔离室和副室，隔离室设于主室和副室之间，且与主室和副室分别连通，隔离阀设于隔离室，且用于隔断或导通隔离室，护套组件的至少部分设于隔离室，护套组件限定出连通通道以连通主室和副室，护套组件适于套设于晶体外，隔离阀导通隔离室时在炉体的径向上，护套组件适于将晶体与隔离室的周壁面以及隔离阀间隔开。根据本实用新型的晶体生长装置，可以减小保护气流流场不恒定对晶体生长的影响，有利于提升晶体生长效率以及晶体品质。
晶体生长装置

[实用新型]用于长晶炉的校准组件和长晶炉组件-CN202120276771.9有效
发明人： 颜子棋 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于长晶炉的校准组件和长晶炉组件，所述校准组件包括：本体，所述本体包括底座和校准圆环，所述底座适于安装在所述坩埚轴上，所述校准圆环为多个且均设在所述底座的远离所述坩埚轴的一侧，多个所述校准圆环同轴设置且内外套设配合，且每个所述校准圆环的轴线适于与所述坩埚轴的轴线平行。根据本实用新型的用于长晶炉的校准组件，结构简单，使用方便，可以便捷准确进行监测装置校准，且校准精确。
用于长晶炉校准组件

[实用新型]安装支架、监测装置和晶体生长设备-CN202023342117.8有效
发明人： 颜子棋 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： F16M13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种安装支架、监测装置和晶体生长设备，安装支架包括安装座和驱动装置，驱动装置与安装座相连以驱动安装座运动，驱动装置包括第一滑台和第二滑台，第一滑台用于驱动安装座沿第一方向运动，第二滑台用于驱动安装座沿第二方向运动，其中，第一方向与第二方向之间夹角非零。根据本实用新型的安装支架，可以实现自动化调整、校准，减小了误差，便于实现自动化操作。
安装支架监测装置晶体生长设备

[实用新型]用于晶体生长设备的加料筒、加料器和晶体生长设备-CN202023230519.9有效
发明人： 颜子棋 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于晶体生长设备的加料筒、加料器和晶体生长设备，加料筒包括内筒和外筒，外筒套设在内筒外，内筒限定出加料腔且包括沿内筒的轴向设置的多个管段，相邻两个管段通过凹凸结构配合，凹凸结构包括凹槽和凸起，凹槽形成在相邻两个管段中的其中一个的端部，凸起形成在相邻两个管段中的另一个的端部且配合于凹槽。根据本实用新型的用于晶体生长设备的加料筒，维护简单、方便，维护成本较低，便于保证使用寿命。
用于晶体生长设备加料料器

[实用新型]用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉-CN201822268859.7有效
发明人：张楠;陈松松;颜子棋 -专利权人：徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉，其中，用于硅晶锭生长的换热器在沿轴向方向上包括多个冷却区间，所述多个冷却区间包括至少一个慢冷区间和至少一个快冷区间，其中，所述慢冷区间的冷却效率低于所述快冷区间的冷却效率。由此，采用该换热器对硅晶锭进行冷却，可以使得空位在径向上充分扩散，分布均匀，避免原生缺陷因局部较高空位浓度而产生的氧沉淀聚集。
硅晶锭换热器冷却区间冷却效率生长炉快冷慢冷生长本实用新型原生缺陷轴向方向氧沉淀空位冷却高空扩散

[发明专利]用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉和制备硅晶锭的方法-CN201811646237.1在审
发明人：张楠;陈松松;颜子棋 -专利权人：徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉和制备硅晶锭的方法，其中，用于硅晶锭生长的换热器在沿轴向方向上包括多个冷却区间，所述多个冷却区间包括至少一个慢冷区间和至少一个快冷区间，其中，所述慢冷区间的冷却效率低于所述快冷区间的冷却效率。由此，采用该换热器对硅晶锭进行冷却，可以使得空位在径向上充分扩散，分布均匀，避免原生缺陷因局部较高空位浓度而产生的氧沉淀聚集。
硅晶锭换热器冷却区间冷却效率生长炉快冷慢冷制备生长原生缺陷轴向方向氧沉淀空位冷却高空扩散

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