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[发明专利]一种阻变存储器及制备方法-CN202110712659.X有效
发明人： 韩素婷;杜春雨;周晔;屈之洋 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种阻变存储器及制备方法，所述阻变存储器包括顶电极、底电极和设置在所述顶电极和所述底电极之间的阻变层，所述阻变层的材料为银咪唑配合物，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子。本发明将银咪唑配合物作为制备阻变存储器的阻变层的材料，银离子的迁移范围限制在银咪唑配合物晶粒中，缩短了银离子迁移的距离，从而降低了因银离子迁移所消耗的能量，降低了阻变存储器操作电压和功耗。同时，银咪唑配合物晶粒限制银离子的迁移范围可以有效降低银离子迁移随机性，从而提升阻变存储器的均一性和稳定性。
一种存储器制备方法

[发明专利]基于共价有机框架的气体识别阻变存储器及其制备方法-CN202110271293.7有效
发明人： 韩素婷;李腾;周晔 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于共价有机框架的气体识别阻变存储器及其制备方法，采用共价有机框架薄膜作为阻变存储器的介质层，所述共价有机框架薄膜具有连接气体识别阻变存储器的底电极和顶电极的孔道，所述孔道内具有导电细丝。本发明的阻变存储器不仅能够实现非易失性存储的特性，而且可以作为气体识别器件对气体进行识别。共价有机框架薄膜的多孔性以及在不同方向的电场作用下导电细丝的移动，使得阻变存储器一方面能够吸附气体分子，并在电场的作用下获得响应数据从而对气体进行识别，另一方面能够对吸附的气体进行解吸附，从而使器件可以重复并稳定的进行气体识别，保证了长期对气体进行识别的稳定性和准确性。
基于共价有机框架气体识别存储器及其制备方法

[发明专利]一种光电突触器件及其制备方法-CN202211640178.3在审
发明人：周晔;陈雪;韩素婷 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电突触器件及其制备方法，方法包括，提供表面沉积有介电层的硅基衬底；在所述介电层的表面沉积钙钛矿量子点溶液，得到钙钛矿量子点层；提供辅助膜；在所述辅助膜的表面设置源极和漏极作为金属电极，所述源极和漏极之间设置有沟道；在所述沟道的敞口处设置有沟道层，所述沟道层包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述源极和所述漏极相接，所述第二侧面设置有二维隧穿层；将所述辅助膜叠放在所述钙钛矿量子点层上，使所述二维隧穿层与所述钙钛矿量子点层贴合,得到光电突触器件。该方案避免了光刻过程中水氧的影响，同时，转移辅助膜可以进一步保护钙钛矿量子点。
一种光电突触器件及其制备方法

[发明专利]基于MOF材料的离子栅晶体管人工突触及其制备方法和应用-CN202211272587.2在审
发明人：丁光龙;周晔;韩素婷 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明属于晶体管人工突触领域，尤其涉及一种基于MOF材料的离子栅晶体管人工突触及其制备方法和应用。本发明以MOF材料作为离子栅晶体管人工突触沟道材料，将源、漏及栅电极连入电学测试设备，在电场作用下，利用MOF材料本身的多孔特性对介电层(采用固体电解质作为介电层材料)中的离子进行俘获和释放，进而改变MOF薄膜的电导，最终实现突触可塑性的模拟，有望用于人工神经网络中。
基于 mof 材料离子晶体管人工突触及其制备方法应用

[发明专利]一种垂直晶体管及其制备方法-CN202211154989.2在审
发明人：周晔;周奎;韩素婷 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明所提供的一种垂直晶体管及其制备方法，其中，所述制备方法包括步骤：将石墨烯薄膜转移至衬底上，并在所述衬底上图案化所述石墨烯薄膜，在所述石墨烯薄膜上制备二维氧化物层，在所述石墨烯、所述二维氧化物层和所述衬底上制备金属电极，制得所述垂直晶体管；其中，所述二维氧化物层包括不同掺杂比例的单层二维氧化物或者异质结构的多层二维氧化物。本发明的垂直晶体管将二维氧化物层作为沟道层，通过对二维氧化物层进行金属掺杂或形成异质结构的二维氧化物层，从而调控其掺杂金属比例，并提高二维氧化物层的稳定性，从而有效调控垂直晶体管沟道载流子性质，实现更高的开态电流和开关比。
一种垂直晶体管及其制备方法

[发明专利]MXene材料及其制备方法与应用-CN202211156397.4在审
发明人：周晔;陈若思;韩素婷;丁光龙 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了MXene材料及其制备方法与应用，MXene材料的制备方法包括步骤：提供MAX相材料；将MAX相材料加入到LiF和盐酸的混合溶液中进行刻蚀，然后水洗去除多余的酸后，在预设温度下加热氧化预设时间，得到具有所需功函数的MXene材料。本发明将MAX相材料加入到LiF和盐酸的混合溶液中进行刻蚀，然后水洗去除多余的酸后，得到含有MXene材料的水溶液，然后在预设温度下加热氧化预设时间，使得MXene材料表面的官能团发生变化，且通过采用不同的加热氧化时间，可得到具有不同功函数的MXene材料，将MXene材料作为晶体管中的电极材料时，由于其功函数可以调控，可以利用得到的MXene材料替代高功函金属以及低功函金属，通用性较强，对晶体管中不同半导体材料适应性较强。
mxene 材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于铁电顶栅的忆阻器及其制备方法与调控方法-CN202210392593.5在审
发明人： 韩素婷;吕子玉;周晔;高展;王燕;罗明涛;张宇琦 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于铁电顶栅的忆阻器及其制备方法与调控方法。所述忆阻器包括：衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极、设置于所述第一电极和第二电极之间的阻变层、设置于所述阻变层上的铁电层、设置于所述铁电层上的顶栅极。本发明利用铁电效应调控忆阻器的存储效应，可实现忆阻行为的双向、非易失性调控；铁电效应也可在调控过程中，优化器件的存储性能，如降低器件操作电压，多比特存储和快速写入/擦除操作。铁电层的引入也使得器件可在两种模式下完成编程：其一，铁电层处于未极化翻转状态下，是单独的电场作用下完成电阻切换；其二，铁电层处于极化翻转状态，铁电场和电场的共同作用完成电阻切换。
一种基于铁电顶栅忆阻器及其制备方法调控

[发明专利]一种可降解阻变存储器及其制备方法-CN201910643462.8有效
发明人： 韩素婷;张晨;周晔 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可降解阻变存储器及其制备方法，包括：基底；底电极，设置在所述基底上；阻变活性层，设置在所述底电极上；顶电极，设置在所述阻变活性层上；其中，所述阻变活性层由聚合物和纳米颗粒构成。本发明通过采用生物可降解的聚合物复合材料作为阻变活性层，并采用生物降解的镁或者锌等作为电极，能够制备柔性的全生物可降解阻变存储器，具有生产成本低、易于大规模生产的效果，并为下一代绿色、高性能存储器的开发提供指导。
一种降解存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法-CN201810366934.5有效
发明人： 韩素婷;周晔;吕子玉;徐振庭 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法，其中，阻变存储器包括阻变层，采用短肽组装体作为所述阻变层。短肽组装体作为一种生物材料，易于获取，成本较低，具有良好的生物相容性和可降解性，有利于制备绿色环保的存储器件，并且短肽组装体还具有很好的热稳定性和化学稳定性，电子传输效率高。
一种基于组装存储器制备方法

[发明专利]一种二维金属有机框架材料的制备方法及产物-CN201910795870.5有效
发明人：周晔;周奎;韩素婷 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维金属有机框架材料的制备方法及产物。本发明主要采用将金属源、衬底以及有机源放入化学气相沉积反应器中，所述衬底设置在所述金属源上方，采用化学气相沉积法，在所述衬底表面生成二维金属有机框架材料。本发明采用化学气相沉积的方法制备二维金属有机框架，通过调控反应过程的反应条件，可以控制所制得的二维MOF材料的层数以及横向尺寸，从而实现了大面积连续二维MOF薄膜的制备。
一种二维金属有机框架材料制备方法产物

[发明专利]一种基于异质结的光调控忆阻器及其制备方法与应用-CN202111672945.4在审
发明人： 韩素婷;宫悦;周晔 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于异质结的光调控忆阻器及其制备方法与应用，所述光调控忆阻器的异质结层为黑磷BP和CsPbBr3 QDs通过自组装形成的CsPbBr3 QDs‑BP异质结，其具有高电荷载流子迁移率以及高吸收系数；忆阻器制作在柔性基底上，通过合适的溶液配比，器件表现出易失特性；所述忆阻器利用光刺激来激发模拟神经元功能。将所述光调控忆阻器应用于LIF模型人工神经元，显示了基于光刺激电位计算关键特征：强度调制频率响应，通过不同的光强实现对神经元的刺激脉冲频率调控，光强越强，神经元的输出脉冲频率越高。作为突触后神经元，其被证明适用于无监督脉冲神经网络。这些结果表明，本发明所开发的人工神经元可以实现脉冲神经元的基本功能，具有很强的神经形态计算潜力。
一种基于异质结调控忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]一种平面型的阻变存储器及其制备方法-CN202110347035.2在审
发明人： 韩素婷;吕子玉;周晔;邢雪朝;王燕;翟永彪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种平面型的阻变存储器及其制备方法。所述平面型的阻变存储器包括：衬底、位于所述衬底两端的第一电极和第二电极、及位于所述第一电极和第二电极之间的介质层，所述介质层为一维纳米材料或一维微米材料。本发明利用低维度的纳米材料或微米材料，且纳米材料或微米材料本身的晶型也有利于构筑易于离子迁移的介质层，从而可以构筑低维度的、易于离子迁移的通路，实现导电细丝的限域生长，进而提高器件的一致性。另外，本发明器件制备工艺简单，制备成本低。
一种平面存储器及其制备方法

[发明专利]一种闪存器件及其制备方法-CN201910643367.8有效
发明人：周晔;张晨;韩素婷 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存器件及其制备方法，所述闪存器件包括：基底；栅极，位于所述基底上方；绝缘层，位于所述栅极上方；浮栅层，位于所述绝缘层上方；隧穿层，位于所述浮栅层上方；半导体层，位于所述隧穿层上方；以及源极和漏极，分别位于所述半导体层顶部两端；其中，所述源极和漏极包括具有金字塔微结构的聚合物薄膜和位于聚合物薄膜上的金属电极。压力信号通过具有形变空间的具有金字塔微结构的聚合物薄膜以实现在施加不同压力的条件下，达到神经突触的权重不同，从而能够将压力传感器与闪存集成于一体，用于对神经突触的模拟。
一种闪存器件及其制备方法

[发明专利]一种晶体管型甲醛传感器及其制作方法-CN201810562889.0有效
发明人：周晔;徐兴雨;韩素婷 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管型甲醛传感器及其制作方法，其中，所述晶体管型甲醛传感器包括基底、设置在所述基底上的栅电极、设置在所述栅电极上的介电层、设置在所述介电层上的复合薄膜、设置在所述复合薄膜上的源电极和漏电极，所述复合薄膜为吸附有金属纳米颗粒的氧化锌薄膜。本发明所提供的晶体管型甲醛传感器对甲醛具有特异性选择性且抗干扰性强，解决了现有技术中甲醛传感器稳定性、选择性较差的问题。
一种晶体管甲醛传感器及其制作方法

[发明专利]一种基于双极型半导体的光控人工突触及其制备方法-CN201910791348.X有效
发明人：周晔;任意;韩素婷 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双极型半导体的光控人工突触及其制备方法，所述基于双极型半导体的光控人工突触包括：半导体层；所述半导体层包括：光致变色化合物和双极型聚合物；其中，所述双极型聚合物的HOMO能级位于开环的光致变色化合物的HOMO能级和闭环的光致变色化合物的HOMO能级之间。通过施加不同波段的光实现了半导体沟道的重构，进而可以实现在相同电压极性下和相同光照波段下沟道导电性的增强或抑制，本发明采用光来重构人工突触，降低了电子突触的能耗，提高了稳定性和重复性，另外，电学端口的缩减有利于操作复杂程度的降低，较好的柔性性能也能实现器件的高机械性。
一种基于双极型半导体光控人工突触及其制备方法

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