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[实用新型]非晶丝磁阻抗传感器-CN201020276182.2有效
发明人： 韩喜萍 -专利权人：石家庄吉纳科技有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非晶丝磁阻抗传感器，包括：非晶丝；信号采样线圈，缠绕在非晶丝上，用于检测外部磁场信息；激励电路，用于直接向非晶丝提供激励信号；和信号采集与处理电路，采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理，从而输出直流电压信号，其中，还包括并联谐振电路由电容(C1)与信号采样线圈并联组成，不仅可以选择出有效电压信号，还可以对所选的有效电压信号进行放大。因此，在本实用新型的非晶丝磁阻抗传感器中设置并联谐振电路不仅可以实现已知的选频作用，而且还可以实现对所选的有效电压信号进行放大的作用，这样就可以节省信号采集与处理电路中的放大电路部分。
非晶丝磁阻传感器

[实用新型]非晶丝磁阻抗传感器-CN201020276174.8有效
发明人： 韩喜萍 -专利权人：石家庄吉纳科技有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非晶丝磁阻抗传感器，包括：非晶丝；信号采样线圈，缠绕在非晶丝上，用于检测外部磁场信息；激励电路，用于直接向非晶丝提供激励信号；和信号采集与处理电路，采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理，从而输出直流电压信号，其中，激励信号包括方波信号、正弦波信号、锯齿波信号或电噪声信号。由于本实用新型的激励电路所提供的激励信号的选择范围除了现有技术中通常使用的脉冲信号以外，还包括方波信号、正弦波信号和锯齿波信号，甚至还可包括电噪声信号，因此拓宽了激励信号波形的选择范围，使得本实用新型的非晶丝磁阻抗传感器可以根据不同的应用场合灵活地调整或选择不同的激励信号。
非晶丝磁阻传感器

[实用新型]非晶丝磁阻抗传感器-CN201020276181.8有效
发明人： 韩喜萍 -专利权人：石家庄吉纳科技有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非晶丝磁阻抗传感器，包括：非晶丝；信号采样线圈，缠绕在非晶丝上，用于检测外部磁场信息；激励电路，用于直接向非晶丝提供激励信号；和信号采集与处理电路，采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理，从而输出直流电压信号，其中，还包括直流偏置电压电路，直接与非晶丝连接，用于给非晶丝提供直流偏置电压，从而增强环形磁畴在圆周方向上的磁化，使得圆周磁导率增加，而且也使得非晶丝环形磁畴的指向趋于一致。通过采取直流偏置电压电路的方法能够显著增强非晶丝的磁阻抗效应，大大提高磁场测量的灵敏度，从而能够感测到更微弱的磁场变化。
非晶丝磁阻传感器

[发明专利]非晶丝磁阻抗传感器以及基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法-CN201010240575.2无效
发明人： 韩喜萍 -专利权人：石家庄吉纳科技有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶丝磁阻抗传感器，包括：非晶丝；信号采样线圈，缠绕在非晶丝上，用于检测外部磁场信息；激励电路，用于直接向非晶丝提供激励信号；和信号采集与处理电路，采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理，从而输出直流电压信号，其中，还包括并联谐振电路，由电容(C1)与信号采样线圈并联组成，不仅可以选择出有效电压信号，还可以对所选的有效电压信号进行放大。因此，在本发明的非晶丝磁阻抗传感器中设置并联谐振电路不仅可以实现已知的选频作用，而且还可以实现对所选的有效电压信号进行放大的作用，这样就可以节省信号采集与处理电路中的放大电路部分。本发明还提供了一种基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法。
非晶丝磁阻传感器以及基于效应磁场探测方法

[发明专利]非晶丝磁阻抗传感器以及基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法-CN201010240589.4无效
发明人： 韩喜萍 -专利权人：石家庄吉纳科技有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶丝磁阻抗传感器，包括：非晶丝；信号采样线圈，缠绕在非晶丝上，用于检测外部磁场信息；激励电路，用于直接向非晶丝提供激励信号；和信号采集与处理电路，采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理，从而输出直流电压信号，其中，激励信号包括方波信号、正弦波信号、锯齿波信号或电噪声信号。由于本发明的激励电路所提供的激励信号的选择范围除了现有技术中通常使用的脉冲信号以外，还包括方波信号、正弦波信号和锯齿波信号，甚至还可包括电噪声信号，因此拓宽了激励信号波形的选择范围，使得本发明的非晶丝磁阻抗传感器可以根据不同的应用场合灵活地调整或选择不同的激励信号。本发明还提供了一种基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法。
非晶丝磁阻传感器以及基于效应磁场探测方法