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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括纳米材料填料的加热元件、其制造方法和包括其的设备-CN201611130231.X在审
发明人：金世润;水崎壮一郎;高行德;金度润;金夏辰;李昌洙;韩仁泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：提供包括纳米材料填料的加热元件、其制造方法和包括其的设备。所述加热元件包括基体材料和纳米材料型的填料。所述纳米材料型的填料可为纳米片填料或者纳米棒填料。所述纳米片填料可具有大于给定值例如1,250S/m的电导率。所述填料可包括如下的至少一种或至少两种氧化物、硼化物、碳化物、和硫属化物。所述基体材料可为玻璃粉。所述玻璃粉可为例如氧化硅或者添加了添加剂的氧化硅。
包括纳米材料填料加热元件制造方法设备

[发明专利]无机电致发光器件-CN200910171748.7无效
发明人： 韩仁泽 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2003-12-23 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种无机电致发光器件。该器件具有堆叠结构，其中在与无机发光层相接触的介电层与电极之间设置了电场增强层。在器件中，通过电场增强层提供了额外的电子，从而增大了发光效率，使得器件能够发射具有所需亮度的光，并且延长器件的寿命。
无机电致发光器件

[发明专利]半导体器件利用碳纳米管的层间布线及其制造方法-CN200710007707.5无效
发明人： 韩仁泽;金夏辰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-01-29 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的利用碳纳米管的层间布线结构以及制造该层间布线结构的方法。该层间布线结构包括从催化剂层表面生长的多个碳纳米管和碳纳米管束，其中由于上部中碳纳米管的聚集，该碳纳米管束的上部比该碳纳米管束的下部具有更高的碳纳米管密度。该方法包括形成电连接到下电极的催化剂层；从该催化剂层的表面生长多个碳纳米管；通过聚集上部中的所述碳纳米管形成上部比下部具有更高碳纳米管密度的碳纳米管束；形成层间电介质，其覆盖该下电极，围绕该碳纳米管束，且暴露该碳纳米管束的仅上表面；以及形成上电极，其接触该碳纳米管束的所述上表面。
半导体器件利用纳米布线及其制造方法

[发明专利]形成碳纳米管结构的方法及用其制造场发射器件的方法-CN200710003741.5无效
发明人：金夏辰;韩仁泽;崔荣喆;郑光锡 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种形成碳纳米管(CNT)结构的方法以及利用形成碳纳米管结构的该方法制造场发射器件的方法。形成CNT结构的方法包括：在基板上形成电极；在所述电极上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成颗粒形催化剂层；蚀刻通过所述催化剂层暴露的所述缓冲层；以及从形成在所述被蚀刻的缓冲层上的所述催化剂层生长CNT。
形成纳米结构方法制造发射器件

[发明专利]生长碳纳米管的方法及形成半导体器件的导电线的方法-CN200610153696.7无效
发明人： 韩仁泽;金夏辰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-09-14 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种生长碳纳米管的方法和一种使用该碳纳米管形成半导体器件的导电线的方法。形成半导体器件的导电线的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成具有多个突起的电极；在电极上形成催化剂层，其覆盖突起并促进碳纳米管的生长；形成覆盖催化剂层的绝缘层；在绝缘层中形成通孔，其暴露催化剂层的表面的一部分；以及通过在催化剂层的表面上方向通孔内注入含碳气体，在催化剂层的表面上生长碳纳米管，从而形成导电线。该形成导电线的方法可以用于减小半导体器件的电阻并提高半导体器件的电流密度，并实现半导体器件的超高度集成，因为碳纳米管导电线可以应用于微小通孔。
生长纳米方法形成半导体器件导电

[发明专利]生长碳纳米管的方法和制造场致发射器件的方法-CN200610101172.3无效
发明人：金夏辰;韩仁泽 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-07-05 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述的生长碳纳米管的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被无定形碳层覆盖的催化剂金属层的表面生长碳纳米管。在所述的生长碳纳米管的方法中，以适于场致发射器件的发射器的密度，在低温下，以低成本生长碳纳米管。
生长纳米方法制造发射器件

[发明专利]用于制造碳纳米管的催化剂的制备方法-CN200510079413.4无效
发明人： 韩仁泽;金夏辰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： B01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种以更高的均匀性形成催化剂颗粒的新方法，该催化剂用于生长碳纳米管；以及一种均匀性得到提高的碳纳米管的合成方法。所述形成催化剂颗粒的方法包括：将催化金属前体溶液涂布到基材上；冷冻干燥涂布到基材上的催化金属前体溶液；及还原冷冻干燥的催化金属前体为催化金属。该形成催化剂颗粒的方法，在通过冷冻干燥催化剂金属前体溶液形成催化剂颗粒时，可以使催化剂颗粒的结块和/或重结晶最小化。通过该方法形成的催化剂颗粒，具有非常均匀的颗粒尺寸，并非常均匀地分布在基材上。
用于制造纳米催化剂制备方法

[发明专利]铁电冷阴极及包括相同物的铁电场致发射装置-CN200610093763.0无效
发明人：郑得锡;陈勇完;韩仁泽;崔濬熙 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-06-19 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了铁电冷阴极和包括其的铁电场致发射装置。该铁电冷阴极包括：基板；下电极层，其由该基板的上表面上的导电材料形成；铁电层，其由该下基板的上表面上的铁电材料形成；和超细线性材料网，其形成该铁电层上的上电极，并且通过分布在网结构中的超细线性导电材料粒子形成的多个网孔外露该铁电层上表面的一部分。
铁电冷阴极包括相同电场发射装置

[发明专利]碳纳米管结构及其制造方法、场发射装置及其制造方法-CN200610008640.2无效
发明人： 韩仁泽;金夏辰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供CNT结构及其制造方法、以及利用该CNT结构的FED装置及其制造方法。该CNT结构包括基板、涂覆在基板上具有预定尺寸的多个缓冲颗粒、通过对在基板上沉积至预定厚度从而覆盖缓冲颗粒的催化剂材料进行退火而形成在缓冲颗粒的表面上的多个催化剂层、以及从催化剂层生长的多个CNT。
纳米结构及其制造方法发射装置

[发明专利]制备合成碳纳米管的催化剂层和用其合成碳纳米管的方法-CN200610009266.8无效
发明人：陈勇完;韩仁泽;郑得锡 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-02-15 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： B01J37/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于合成碳纳米管的催化剂层的制备方法和使用其合成碳纳米管的方法。所述催化剂层的制备方法包括：在基底上涂覆由共聚物形成的薄膜；热处理所述基底上的薄膜以形成规则结构；去除形成所述共聚物的嵌段共聚物的一部分；在去除所述嵌段共聚物的一部分的薄膜上沉积催化剂基体；以及去除所述薄膜以形成由多个金属催化剂点的催化剂层。
制备合成纳米催化剂方法

[发明专利]构图催化剂层的方法和场发射器件的制造方法-CN200510137515.7无效
发明人： 韩仁泽;朴相铉;金夏辰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种构图用于合成碳纳米管(CNT)的催化剂层的方法和使用该方法制造场发射器件(FED)的方法。所述构图催化剂层的方法包括：在基板上形成催化剂层，所述催化剂层由具有弱酸负离子团的金属盐形成；在所述催化剂层上形成光致抗蚀剂；使用光掩模将所述光致抗蚀剂曝光为预定的图案；使用强碱显影溶液来去除所述光致抗蚀剂和催化剂层的预定区；和去除所述光致抗蚀剂。
构图催化剂方法发射器件制造

[发明专利]使用电泳垂直排列碳纳米管的方法-CN200510131015.2无效
发明人：金夏辰;陈勇完;韩仁泽;李亢雨 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直排列碳纳米管的方法。该方法包括：在形成有催化剂金属层的基板上生长碳纳米管；以束的形式从该基板分离生长的碳纳米管；在放入有充电物的电解液内放入分离的碳纳米管束，将碳纳米管与充电物混合，并且使碳纳米管束带电；以及将带电的碳纳米管束利用电泳垂直附着到电极的表面上。
使用电泳垂直排列纳米方法

[发明专利]碳纳米管发射器及利用其的场发射器件及它们的制造方法-CN200510113205.1无效
发明人：李亢雨;陈勇完;韩仁泽;金夏辰;裵民钟 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。
纳米发射器利用发射器件它们制造方法

[发明专利]制备基底催化剂的方法及利用它制备碳纳米管的方法-CN200510082139.6无效
发明人：金夏辰;韩仁泽 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-07-04 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种形成基底催化剂的新方法，及利用该形成基底催化剂的方法合成碳纳米管的方法，该基底催化剂可以控制碳纳米管的生长密度并增加碳纳米管的均匀性。形成用于生长碳纳米管的基底催化剂的方法包括：将包含催化金属前体、固体和溶剂的前体糊涂布在基材上；及还原涂布在所述基材上的前体糊的催化金属前体，从而形成催化金属颗粒。
制备基底催化剂方法利用纳米

[发明专利]场发射器件及使用该场发射器件的场发射显示器-CN200510072913.5无效
发明人：朴永俊;陈勇完;韩仁泽 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-05-23 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射器件及使用该场发射器件的场发射显示器。该场发射器件包括玻璃基板、形成在玻璃基板上且具有凹的部分的材料层、形成在材料层上的阴极电极、形成在阴极电极凹的部分上的电子发射极、形成在阴极电极上并具有与凹的部分连通的腔的栅极绝缘层、以及形成在栅极绝缘层上并具有与腔对准的栅极孔的栅极电极。
发射器件使用该场显示器

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