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[实用新型]一种石墨基座-CN202020747685.7有效
发明人：王作义;康宏;雒林生;卞小玉;韩立琼 -专利权人：四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨基座，包括基座本体，所述基座本体的上端面设置有多个载台，所述载台凸出于基座本体，所述基座本体的上端面在载台的外侧设置有多个限位块，多个限位块沿着载台外圆周均匀布置，所述限位块的高度大于载台的高度，所述限位块内壁与硅片的外壁接触。本实用新型实现了尽可能减少硅片装取时与石墨基座的接触面积，且便于硅片的取放。
一种石墨基座

[发明专利]硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺-CN202010381767.9在审
发明人：康宏;王作义;雒林生;石广宁;韩立琼 -专利权人：四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺，包括以下步骤：1)、选择衬底片：采用重掺硼或重掺砷衬底片，所述衬底片为P型掺杂；2)、衬底片抛光：采用HCl进行气相抛光；3)、气流吹扫：衬底片抛光后采用H2进行吹扫；4)、外延生长：硅源用SiHCl3，先进行反型外延生长，生长温度为1080‑1100℃，生长速率为0.8‑1.0um/min，再进行双层外延生长，生长温度为1120‑1150℃，生长速率为1.2‑1.6um/min；所述硅源与衬底片接触之前先进行恒温预热处理；5)、外延生长完成后反应炉降温，取片。本发明所述制备工艺通过合理控制参数，提高了硅外延片厚度均匀性、电阻率均匀性。
英寸大功率元器件外延制备工艺

[发明专利]一种外延硅片的预处理方法-CN202010381771.5在审
发明人：康宏;王作义;石广宁;雒林生;何传奇 -专利权人：四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延硅片的预处理方法，包括以下步骤：1)、臭氧发生：空气依次经过空气压缩机和臭氧发生机产生臭氧；2)、臭氧前处理：将臭氧发生机产生的臭氧通过第一进气管通入鼓泡瓶中的去离子水中，臭氧在鼓泡瓶进行温度和浓度调节；3)、臭氧氧化：经过前处理的臭氧通过排气管上的喷射装置喷射在外延硅片的表面进行氧化处理，在外延硅片的表面形成均匀的钝化层，所述臭氧在喷射之前进行流量控制。本发明解决了采用双氧水浸泡方式导致钝化层均匀性较差的问题，同时本发明具有操作难度低和工作量小的优点。
一种外延硅片预处理方法