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[发明专利]一种基于莫特忆阻器与TDC逻辑芯片的立体堆叠量化系统架构-CN202310110887.9在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：一种基于莫特忆阻器与TDC逻辑芯片的立体堆叠量化系统架构，可以实现模拟信号转换成数字信号，并实现量化编码输出。与传统（数模转换）AD电路相比，莫特器件在功能上可以直接将模拟信号转变成数字信号，结构上可以做成阵列及立体堆叠结构，尺寸单元非常小，用于芯片3D堆叠技术。本发明重点解决了传统技术中（数模转换）AD无法大规模阵列集成的痛点。本发明适用于所有面向大规模应用的后端含有（数模转换）AD转换器芯片的数据处理系统。
一种基于莫特忆阻器 tdc 逻辑芯片立体堆叠量化系统架构

[发明专利]一种基于忆阻器的ASK电磁波调制的超表面-CN202310385800.9在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的ASK电磁波调制的超表面，包括，金属谐振单元、底座，其中，金属谐振结构由两个完全相同的半封闭式谐振金属环组成，其中一个作为忆阻器的顶电极，一个作为忆阻器的底电极，阻变层采用外延生长方式，衬底采用导电材料，同时在衬底和阻变层之间加入钝化层。本发明利用忆阻器结构将阻变层作为超表面的介质层，通过改变超表面外加电压的大小，实现对电磁波的ASK调控。传统无线通信系统的载波调制过程，需要利用混频器等设备将基带信号与载波进行混频。在本系统中，设计编码超表面来接收信号的调制和传输，而不需要使用原来复杂的模拟器件。
一种基于忆阻器 ask 电磁波调制表面

[发明专利]一种基于忆阻器的高速模数转换电路-CN202310446409.5在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的高速模数转换电路，包括，分压电路、忆阻器阵列、读出及复位电路、译码器，分压电路包含2n个均值电阻网络，将参考电压Vref拆分得到2n‑1个等步距的中间电压，分压电路网络可以集成在芯片内部，也可以采用外接分压方式，读出及复位电路对忆阻器进行读写，实现忆阻器在高低状态间的转换。本发明具有高速度、低功耗、易集成、占用芯片面积小的优点。尤其适用于芯片3D堆叠技术。
一种基于忆阻器高速转换电路

[发明专利]一种新型神经形态感知系统-CN202310184213.3在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明提出一种新型神经形态感知系统，将仿生传感器的电极与忆阻器电极共用一个，直接将防生传感信号转换为脉冲信号，应用于硬件神经形态脉冲神经网络，实现了模拟信号到脉冲信号的转换，具有结构简单、功能多、功耗低等优点，更加适应于NC脉冲神经网络。解决了传统CMOSFET构建的电子传入神经元存在的功耗高、电路结构和工艺复杂、难以适用于新型神经形态脉冲神经网络等技术问题。
一种新型神经形态感知系统

[发明专利]一种基于忆阻器的高密度MEA神经信号采集处理电路-CN202310445106.1在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A61B5/294 文献下载
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的高密度MEA神经信号采集处理电路，包括CMOS高密度膜电极阵列、信号预处理单元、莫特忆阻器单元、时序控制电路。CMOS高密度膜电极阵列由CMOS膜电极组成，信号预处理单元由滤波电路与运算放大器组成，CMOS高密度膜电极阵列用于对脑电波进行收集，然后由信号预处理单元对脑电波进行滤波与提取，并将信号传输给莫特忆阻器单元，莫特忆阻器单元把模拟信号转换为数字信号，时序控制电路用于控制莫特忆阻器单元的输出。本发明公开了一种基于莫特忆阻器的高密度MEA神经信号采集处理电路。重点解决了传统技术中数模转换部分无法大规模阵列集成的以及高功耗痛点。
一种基于忆阻器高密度 mea 神经信号采集处理电路

[发明专利]一种基于忆阻器的超宽带外抑制非互易滤波器-CN202310263064.X在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明提出一种基于忆阻器的超宽带外抑制的非互易滤波器具有低插入损耗、高隔离度、切换速度快，易于大规模集成等特点，包括滤波器、介质基板。本发明中，忆阻器通过控制不同的电压可以产生不同的频率信号，且具有非常宽的变化范围。可以从1KHz到1GHz,可以用作非互易性滤波器的低频时变调制信号，采用时空调制的方法来打破时间反演对称性，可以实现频率可重构特性的非互易性滤波器。
一种基于忆阻器宽带抑制非互易滤波器

[发明专利]一种基于压电式传感器的零静态功耗神经拟态触觉感知系统-CN202310198912.3在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基于压电式传感器的零静态功耗神经拟态触觉感知系统，包含压电式传感器单元与忆阻器单元，将压电传感器的顶电极、压电层采用共用方式，只设计不同的底电极，加工工艺更简单，且将传感器与莫特忆阻器结合，直接实现信号感知数模转换一体化，且无需外接电源，传感器还具有事件触发特性，整个感知系统具有超低功耗的特性。整个系统应用于硬件神经形态脉冲神经网络，实现了模拟信号到脉冲信号的转换，具有结构简单、功能多、功耗低等优点，更加适应于脉冲神经网络。解决了传统技术中构建的电子传入神经元存在的功耗高、电路结构和工艺复杂、难以适用于新型神经形态脉冲神经网络等技术问题。
一种基于压电传感器静态功耗神经拟态触觉感知系统

[发明专利]一种基于异向晶界的忆阻器-CN202310263056.5在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于异向晶界的忆阻器，包括顶电极、阻变层、底电极。本发明所提供的一种基于异向晶界的忆阻器，将忆阻器中阻变层设计成两种不同的二维电介质材料，以不同角度交替生长的，形成晶界，同时利用两种金属氧化物不同的氧离子迁移势垒，使氧离子迁移形成导电细丝，阻态可进行稳定的缓变，实现对导电细丝通断的调制效果，提高了忆阻器的稳定性和一致性。其制备工艺与传统集成电路芯片技术CMOS工艺兼容，可以通过后端工艺与CMOS工艺集成，制备流程简单，可操作性强。
一种基于忆阻器

[发明专利]一种基于忆阻器的微波柔性超表面-CN202310250090.9在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提出一种基于忆阻器的微波柔性超表面，包括金属谐振单元、阻变层、衬底。本发明是一种基于忆阻器的柔性超表面，主要用于射频微波领域，具有低插入损耗、高隔离度、切换速度快，易于大规模集成等特点。本发明利用忆阻器结构将阻变层作为超表面的介质层，通过改变超表面外加电压的大小，从而改变等效电路的参数，实现对电磁波的调控。阻变材料从晶体到非晶体状态过渡时间远小于声光开关的开关时间，可以实现高速开关。
一种基于忆阻器微波柔性表面

[发明专利]一种基于忆阻器的射频开关-CN202310250091.3在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01P1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的射频开关，包括射频信号传输层，忆阻器，钝化层。本发明具有高速、高频、低损和易集成等优势，忆阻器阻变材料在晶体状态下的低电阻率保证了连接射频终端时的低电阻,是实现开关低插入损耗，忆阻器阻变材料在非晶态的高电阻率保证了射频信号传输端口之间的高隔离。与二极管开关和场效应管开关相比,基于忆阻器开关在微波、毫米波的高频段甚至太赫兹频段仍然具有切换速度快、寿命长、体积小、结构简单等优点。本发明提供一种基于忆阻器的射频开关，主要用于5GHz以上频段，具有低插入损耗、高隔离度、切换速度快，易于大规模集成等特点。
一种基于忆阻器射频开关

[发明专利]一种高速低功耗信号读出电路-CN202310178933.9在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速低功耗读出电路，具体包括莫特忆阻器阵列单元和频率计数TDC单元，重点解决了传统技术中（数模转换）AD无法大规模阵列集成的以及高功耗痛点。尤其适用于图像传感器和存算一体化等含有大规模信号处理的芯片。
一种高速功耗信号读出电路

[发明专利]一种基于忆阻器的数字编码超材料-CN202310250092.8在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的数字编码超材料，包含金属谐振单元。本发明主要用于射频微波领域，具有低插入损耗、高隔离度、切换速度快，易于大规模集成等特点，同时可以与CMOS电路很好的结合。很容易集成到电子系统中，无需额外增加外部设备。
一种基于忆阻器数字编码材料

[发明专利]一种可见光-红外光的脉冲编码型莫特忆阻器-CN202310125335.5在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种见光‑红外光的脉冲编码型莫特忆阻器，通过采用合适的顶电极,底电极以及VO2或者W、Nb等元素掺杂的VOx薄膜组合的中间阻变层，使得忆阻器在可见光‑红外光频段表现许多优异的性能，包括柔性、循环稳定性、抗疲劳性。并在超低的工作电压下实现了信号编码脉冲特性，大幅度降低了器件的功耗。在生物视神经突触模拟方面表现出很好的突触可塑性，可用于仿真机器人的眼睛。
一种可见光红外光脉冲编码型莫特忆阻器

[发明专利]一种基于忆阻器的动态视觉图像传感器-CN202310151839.4在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的动态视觉图像传感器，利用VO2作为莫特忆阻器的阻变层，在可见光与红外光频段具有电压脉冲特性，同时能保证忆阻器具有很好的稳定性，以及脉冲响应，并具有超低工作电压，使其器件在多次循环后内部结构变化相对减小，极大的增强了器件的时间保持性和抗疲劳性。基于VO2的光电莫特忆阻器，组成大规模阵列，构成光感元件层。莫特忆阻器可以将不同波长的光直接转换成电压或电流脉冲信号。后端只需要加一个简单的逻辑电路，直接将光信号转换成数字信号并量化编码输出。不再需要模拟电路以及（数模转换）A/D转换等过程，简化了整体的电路结构。莫特忆阻器单元可以直接输出电压脉冲信号，且不同波段的光波具有不同幅度和频率的电压脉冲信号，再加一个简单的频率计数器TDC直接实现量化编码，等同于传统数模转换ADC功能。基于此将基于VO2的光电莫特忆阻器用于动态视觉传感器设计。大大简化了电路结构，并可以同时做大规模信号处理。
一种基于忆阻器动态视觉图像传感器

[发明专利]一种基于压阻式传感器的低功耗神经拟态触觉感知系统-CN202310198913.8在审
发明人：刘洋 -专利权人： 陕西格芯国微半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明提供一种基于压阻式传感器的低功耗神经拟态触觉感知系统，包括压阻式传感器单元与忆阻器单元。本发明提出的低功耗神经拟态触觉感知系统，直接将触觉传感信号转换为脉冲信号，且具有事件触发特性，将仿生传感器的顶电极、压敏层采用共用方式，只设计不同的底电极，加工工艺更简单，且将传感器与莫特忆阻器结合，直接实现信号感知数模转换一体化，传感器还具有事件触发特性，整个感知系统具有超低功耗的特性。
一种基于压阻式传感器功耗神经拟态触觉感知系统

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