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[发明专利]太阳能电池光电吸收转换层成膜后处理剂及使用方法-CN201610410928.6有效
发明人： 陈良范;孙嵩泉;甄永泰 -专利权人：安徽恒致铜铟镓硒技术有限公司
申请日： 2016-06-04 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层成膜后的处理剂，它由以下组分混合组成：水、氢氧化钠、氢氧化钾、氯化铁、硫脲、氢氧化铵。其使用方法具有以下步骤：将所述的处理剂搅拌加热至40~90℃；将成膜有太阳能电池铜铟镓硒光电吸收转换层的衬底浸没至处理剂中20~60分钟，并不断摆动，以使薄膜周围的处理剂成分均匀；取出处理后的衬底，用去离子水反复冲洗至去离子水电阻值达10MΩ以上；用机械甩干的方式去除衬底上残留的水渍，在150℃烤箱内烘烤10分钟。利用本发明所提供的处理剂及使用方法对电吸收转换层处理后，抑制了薄膜中铜元素的析出以及表面铜元素与氧的反应，从而提高了转换效率并解决了薄膜老化现象。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层成膜后处理使用方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层的制备方法-CN201610410939.4有效
发明人： 陈良范;孙嵩泉;甄永泰 -专利权人：安徽恒致铜铟镓硒技术有限公司
申请日： 2016-06-04 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层的制备方法，其基本步骤按顺序依次为1）用物理真空溅射沉积薄膜的方法沉积一层铜镓合金薄膜。2）将上述铜镓薄膜在真空蒸发镀膜的硒蒸汽环境中硒化处理。3）在硒化处理后的薄膜上用真空共蒸发法沉积铟和硒元素。4）最后用真空蒸发法在上述薄膜之上沉积少量的镓以调节铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层的电学性能。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换制备方法

[实用新型]铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板-CN201120327157.7有效
发明人：孙嵩泉;陈良范;宁海洋;章新良;罗毅 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯板，衬底板上所镀的膜层依次为Mo薄膜导电层，铜铟镓硒膜层，CdS薄膜缓冲层，i-ZnO本征层，AL-ZnO窗口层，在AL-ZnO窗口层上镀有氟化镁防反射层。本实用新型通过氟化镁防反射层的增设，可使光线反射度大大减弱，功能层接受光能增加，整个电池芯片的功率获得提升。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池

[发明专利]太阳能电池铜铟镓硒膜层的制备方法-CN201110257686.9无效
发明人： 陈良范;孙嵩泉;罗毅;宁海洋;章新良 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：太阳能电池铜铟镓硒膜层的制备方法，包括以下步骤：a、在衬底板上使用磁控溅射法预制元素铜，或元素铜和镓；b、在真空蒸发室通过蒸发法依次在衬底板上蒸镀元素铟、镓、硒，或元素铟、硒。本发明提供的方法采用磁控溅射法与蒸发法相结合，将蒸发温度较高的金属元素采用磁控溅射法向衬底板上预制，将蒸发温度较低的金属元素采用蒸发法向衬底板上预制，既降低了温度控制的难度，又可避免在蒸发法中使用剧毒气体硒化氢，从而使得制备过程控制容易，且可避免操作人员受有毒气体的影响。
太阳能电池铜铟镓硒膜层制备方法

[实用新型]一种薄膜太阳能电池-CN201020559490.6无效
发明人： 陈良范;罗毅;李晨;马磊;任伟男 -专利权人：普乐新能源(蚌埠)有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种薄膜太阳能电池，衬底的玻璃基板上覆盖有由导电膜、硅膜、负电极等膜叠加构成的电池层，电池层的各侧面处在基板边沿的内侧，且电池层的各侧面为平整的平面。本实用新型的电池层侧面处于基板边沿内侧，两者间有明显的距离，既可避免导电膜容易短路的现象，又可免除加工中的喷砂清边工序，确保电池的性能及质量。
一种薄膜太阳能电池

[实用新型]一种经过优化绝缘处理的薄膜太阳能电池-CN201020559503.X无效
发明人： 陈良范;罗毅;李晨;沈峰 -专利权人：普乐新能源(蚌埠)有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种经过优化绝缘处理的薄膜太阳能电池，它包括自下而上依次设有透明导电膜、功能膜、背电极膜的长方形衬底玻璃板；透明导电膜上沿其长度方向开有第一凹槽；功能膜将第一凹槽填满后沉积在透明导电膜上，功能膜上沿其长度方向开有第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽同向的旁侧处；背电极膜将第二凹槽填满后沉积在功能膜上，背电极膜、功能膜上沿两者的长度方向开有第三凹槽，第三凹槽位于第二凹槽同向的旁侧处；背电极膜、功能膜、透明导电膜上在三者长度方向的两侧处各开有一道垂直于第三凹槽、第二凹槽、第一凹槽的阶梯凹槽，阶梯凹槽由上下连通的第四凹槽和第五凹槽构成，第四凹槽的深度使得其槽底到达透明导电膜，第五凹槽的深度使得其槽底处于透明导电膜内，第四凹槽的宽度大于第五凹槽的宽度。本电池具有次品率低、电输出功率高的优点。
一种经过优化绝缘处理薄膜太阳能电池

[实用新型]一种高寿命薄膜太阳能电池组件-CN200920171841.3无效
发明人： 陈良范;王杨阳;房如枫;宁海洋;周金海 -专利权人：普乐新能源(蚌埠)有限公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高寿命薄膜太阳能电池组件，包括两块玻璃板(1)，玻璃板(1)间设有EVA板(3)，其特征在于：玻璃板和EVA板的周边设有硅胶边框(2)。所述硅胶为道康宁7091硅胶，硅胶边框(2)的厚度为1-5毫米之间。本实用新型的有益效果是利用硅胶粘接力强，拉伸强度大、不透水，同时又具有耐候性、抗振性，适应冷热变化大的特点以及在光照条件下化学性能稳定的特性，采用在玻璃板和EVA板的周边涂上硅胶进行边缘保护，增加薄膜太阳能电池组件的寿命。
一种寿命薄膜太阳能电池组件

[实用新型]应用掺氟氧化锡的薄膜太阳能电池-CN200920142679.2无效
发明人：孙嵩泉;陈良范;张庆丰;夏筱红;李长浩 -专利权人：普乐新能源(蚌埠)有限公司
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种应用掺氟氧化锡导电玻璃作为前电极的薄膜太阳能(非晶硅、微晶硅、CIGS等)电池，包括镀有掺氟氧化锡透明导电膜的玻璃衬底，玻璃衬底上的薄膜太阳能电池功能层和金属背电极，掺氟氧化锡透明导电膜作为电池的前电极，金属作为薄膜太阳能电池的背电极。本实用新型结构简单，成本较低适合大面积应用，采用掺氟氧化锡(SnO₂:F)透明导电膜在强光及弱光条件下性能均很稳定，在实际应用中不会对薄膜电池的稳定性造成影响，优化了电池产品性能。
应用氧化薄膜太阳能电池

[实用新型]一种高光电转化效率的薄膜太阳能电池-CN200920142680.5无效
发明人： 陈良范;罗毅;沈峰;龚瑞;马磊;赵建华 -专利权人：普乐新能源(蚌埠)有限公司
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高光电转化效率的薄膜太阳能电池，包括有玻璃衬底、氧化锡掺氟透明导电薄膜层、P型非晶硅薄膜层、I型非晶硅薄膜层、N型非晶硅薄膜层、金属背电极，所述的N型非晶硅薄膜层、金属背电极之间有氧化锌掺铝透明导电薄膜层。在溅射Al或Ag背电极之前，采用磁控溅射的方法，沉积一层氧化锌掺铝(AZO)透明导电薄膜。这种新型的电池结构，相对于传统的电池结构，短路电流增大了5％左右。
一种光电转化效率薄膜太阳能电池

[发明专利]应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法-CN200910116082.5有效
发明人： 陈良范;罗毅;李晨 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，它包括以下步骤：用绿激光在衬底玻璃上的透明导电膜上刻出若干等宽的凹槽；在透明导电膜上沉积出非晶硅膜或微晶硅膜；在非晶硅膜或微晶硅膜上位于透明导电膜上的每一条凹槽的同向旁侧处第二次用绿激光分别刻出一条凹槽；在非晶硅或微晶硅膜上沉积负电极膜；再使用绿激光对非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的凹槽的同向旁侧，三次刻槽在同一台激光刻膜机的平台上完成。本发明可降低刻错的几率，提高良品率，使产品精确度大大提高，它工艺可靠，掌握容易，可操作性强。
应用激光制备薄膜太阳能电池方法

[发明专利]应用红、绿激光制备薄膜太阳能电池的方法-CN200910116083.X无效
发明人： 陈良范;宁海洋;沈峰 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：应用红、绿激光制备薄膜太阳能电池的方法，为：用红外激光在衬底玻璃的透明导电膜上刻出多条等宽的凹槽；采用等离子体增强化学气相沉积法在导电膜上沉积非晶硅膜或微晶硅膜；在非晶硅膜或微晶硅膜上位于导电膜上的每条凹槽的同向旁侧处用绿激光分别刻出一条凹槽；采用磁控溅射法在非晶硅膜或微晶硅膜上沉积负电极膜；再用绿激光对负电极膜、非晶硅膜或微晶硅膜进行第三次刻槽，第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的每条凹槽的同向旁侧处。刻槽采用1064、532、532nm的红外激光、绿激光、绿激光。相邻三凹槽的宽度之和小于或等于1mm。本法可工业化应用，工艺简单，刻蚀的速度快、精度高，以致电池的电性能输出和稳定性较佳。
应用激光制备薄膜太阳能电池方法

[发明专利]薄膜太阳能电池制造过程中清洗的一种新方法-CN200910116049.2无效
发明人：孙嵩泉;陈良范;罗毅;王杨阳;章新良 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池制造过程中清洗的一种新方法，在薄膜太阳能生产过程中，根据各工艺不同特点，采取了新的清洗方法。在生产过程中总共需要四次清洗，分别为透明导电玻璃刻膜前清洗，透明导电玻璃刻膜后清洗，薄膜电池功能层沉积刻膜后清洗，电池片清洗。根据工艺的特点，在电池片制造过程前后四次清洗均使用了超声清洗机进行清洗，提高了薄膜太阳能电池片的性能。
薄膜太阳能电池制造过程清洗一种新方法

[实用新型]炉具的改良保温结构-CN200820020800.X无效
发明人：罗毅;章新良;刘海;孙嵩泉;陈良范 -专利权人：蚌埠市普乐新能源有限公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： F27D1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及炉具的改良保温结构。结构为：盒体封闭地包裹在保温层外，盒体上开有与炉具的炉胆外壁上的筋板相适配的凹槽。盒体上在凹槽的一侧还开有用来穿装电线的贯通槽孔。将本结构卡装在炉具的炉胆外壁上，就可达到对炉具的保温效果。采用以上的技术方案后，保温层因结晶、脆化现象而形成的粉体就无法泄漏，不会有所述粉体悬浮在工作环境的空气中，因此，可有效地避免所述粉体对工作环境的污染，减少职业病的发生；另外，检修炉具时只须解除盒体与炉具的炉胆之间的卡合联接，就能相当容易且快速地将保温层拆除，因此，检修炉具时相当方便。
炉具改良保温结构

[实用新型]用于多路激光刻划机的光功率均衡器-CN200820020799.0无效
发明人：孙嵩泉;陈良范;宁海洋;章新良 -专利权人：蚌埠市普乐新能源有限公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型属于光学技术领域，涉及一种用于多路激光刻划机的光功率均衡器。由控制器、依次放置在多路激光刻划机初始激光光路中的偏振控制器、起偏器、分光片和在分光片反射光路中的光电探测器及依次放置在多路激光刻划机下行实施刻划的每个激光光路中的偏振控制器、检偏器、分光片和在分光片反射光路中的光电探测器组成，由各激光光路中的光电探测器监测各激光光路的光功率，并把监测信号输给控制器，控制器向放置在初始激光光路及各个下行实施划机光路中偏振控制器发送不同的模拟控制信号，通过调节激光的偏振态配合起偏器与检偏器达到使刻划机多路激光功率均衡的目的。
用于激光刻划功率均衡器

[发明专利]用于多路激光刻划机的光功率均衡器-CN200810015832.5有效
发明人：孙嵩泉;陈良范;宁海洋;章新良 -专利权人：蚌埠市普乐新能源有限公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明属于光学技术领域，涉及一种用于多路激光刻划机的光功率均衡器。由控制器、依次放置在多路激光刻划机初始激光光路中的偏振控制器、起偏器、分光片和在分光片反射光路中的光电探测器及依次放置在多路激光刻划机下行实施刻划的每个激光光路中的偏振控制器、检偏器、分光片和在分光片反射光路中的光电探测器组成，由各激光光路中的光电探测器监测各激光光路的光功率，并把监测信号输给控制器，控制器向放置在初始激光光路及各个下行实施划机光路中偏振控制器发送不同的模拟控制信号，通过调节激光的偏振态配合起偏器与检偏器达到使刻划机多路激光功率均衡的目的。
用于激光刻划功率均衡器

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